Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2016 - zeszyt 8

Kwantowe Lasery Półprzewodnikowe w ITE

10.15199/13.2016.8.2

M. Bugajski

nr katalogowy: 100433
10.15199/13.2016.8.2

W artykule podsumowano ostatnie 25 lat prac badawczych i aplikacyjnych nad laserami półprzewodnikowymi prowadzonych w Zakładzie Fotoniki ITE. Prace te dotyczyły nowej generacji laserów półprzewodnikowych, których działanie opiera się na wykorzystaniu specyficznych zjawisk fizycznych zachodzących w nanostrukturach. Były to prace pionierskie w skali kraju, nawiązujące do aktualnych trendów nauki światowej. Stały się one możliwe dzięki wprowadzeniu do Polski nowych technologii wzrostu struktur półprzewodnikowych, nowych sposobów finansowania prac badawczych i szerokiemu otwarciu na współpracę międzynarodową. Słowa kluczowe: lasery półprzewodnikowe, nanostruktury.Wiele klasycznych dziedzin nauki i techniki korzysta z postępów nanotechnologii. Jednym z przykładów może być tu optoelektronika - dział nauki zajmujący się współdziałaniem optyki i elektroniki. Już samo określenie obszaru znaczeniowego pojęcia optoelektronika wskazuje na jego silnie interdyscyplinarny charakter i łączenie ze sobą pozornie odległych zagadnień z dziedziny nauk podstawowych z zagadnieniami typowymi dla inżynierii materiałowej i elektroniki. Niezależnie jednak od korzeni tej dyscypliny, podstawowym obiektem jej zainteresowań, jako dziedziny szeroko pojętej elektroniki, są przyrządy i układy (systemy) optoelektroniczne. Zastosowania są siła napędową rozwoju optoelektroniki; i to zarówno w sensie intelektualnym jak i ekonomicznym. Optoelektronika jest technologią, która wyodrębniła się z elektroniki w drugiej połowie XX wieku. Za początek optoelektroniki półprzewodnikowej uważa się rok 1962, który był rokiem wynalezienia lasera półprzewodnikowego, przyrządu uznawanego za jedną z głównych sił napędowych rozwoju tej dyscypliny techniki. Od samego początku optoelektronika była bardzo silnie związana z fizyką, w szczególności z fizyka ciała stałego i optyką kwantową. W latach osiemdziesiątych pojawił się nowy termin - fotonika. Pojęciowo zakres terminu optoelektro[...]

Bibliografia

[1] M.Kaniewska, K.Regiński, J.Muszalski, D.Kryńska, A.Litkowiec, M.Bugajski, 1996. Device applications of (AlGa)As quantum well semiconductor structures grown by MBE, Electron Technology, vol. 29, 131.
[2] M.Bugajski, M.Kaniewska, K.Regiński, J.Muszalski, D.Kryńska, A.Litkowiec, 1996. GRIN SCH SQW AlGaAs/GaAs lasers grown by molecular beam epitaxy, Electron Technology, vol. 29 no. 4, 346.
[3] M.Kaniewska, K.Regiński, J.Muszalski, D.Kryńska, A.Litkowiec, J.Kaniewski, M.Wesołowski, M.Bugajski, 1996. Low threshold room temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW lasers grown by MBE, Acta Phys.Polonica A90, 847.
[4] M.Bugajski, M.Kaniewska, K.Regiński, A.Maląg, S.Łepkowski, J.Muszalski, 1997. GRIN SCH SQW AlGaAs/GaAs lasers grown by molecular beam epitaxy: Modeling and operating characteristics, SPIE Proc. vol. 3186, 310.
[5] Bugajski M., Regiński K., Mroziewicz B., Kubica J. M., Sajewicz P., Piwoński T., Zbroszczyk M., 2001. High-performance 980-nm strained-layer InGaAs/GaAs quantum-well lasers, Optica Applicata, vol.XXXI, pp. 267-271.
[6] Piwonski T., Sajewicz P., Kubica J.M., Zbroszczyk M., Reginski K., Mroziewicz B., Bugajski M., 2001. Long-wavelength strained-layer InGaAs/GaAs quantum-well lasers grown by molecular beam epitaxy, Microwave & Optical Technology Letters, vol. 29, pp. 75-77.
[7] Bugajski M., Mroziewicz B., Reginski K., Muszalski J., Kubica J., Zbroszczyk M., Sajewicz P., Piwonski T., Jachymek A., Rutkowski R., Ochalski T., Wojcik A., Kowalczyk E., Malag A., Kozlowska A., Dobrzanski L., Jagoda A., 2001. Strained layer SCH SQW InGaAs/GaAs lasers for 980-nm band, Optoelectronics Review, vol. 9, pp. 35-47.
[8] Zbroszczyk M., Bugajski M., 2004. Design optimization of In- GaAlAs/GaAs single and double quantum well lasers emitting at 808 nm, Proc. SPIE 5349, 446.
[9] Mroziewicz B., Zbroszczyk M., Bugajski M., 2004. Analysis of threshold current and wall-plug efficiency of diode lasers with asymmetric facet reflectivity, Optical and Quantum Electronics, 36, 443-457. 26 Elektronika 8/2016
[10] Kozłowska A., Latoszek M., Tomm J., Weik F., Elsaesser T., Zbroszczyk M., Bugajski M., Spellenberg B., Bassler M., 2005. Analysis of thermal images of diode lasers: Temperature profiling and reliability screening, Appl. Phys. Lett., vol. 86, 203503.
[11] Ochalski T., Pierścińska D., Pierściński K., Bugajski M., Tomm J.W., Grunske J.W., Kozłowska A.: 2006. Complementary Thermoreflectance and Mocro-raman Analysis of Facet Temperatures of Diode Lasers, Applied Physics Letters, vol. 89, str. 071104.
[12] Bugajski M., Piwoński T., Wawer D., Ochalski T., Diechel E., Unger P., Corbett B.: 2006. Thermoreflectance Study of Faced Heating in Semiconductor Lasers, Materials Science in Semiconductor Processing, vol. 9, str. 188-197.
[13] Pierścińska D., Pierściński K., Bugajski M., Tomm J.W.: 2007. “Thermal Properties of High Power Laser Bars Investigated by Spatially Resolved Thermoreflectance Spectroscopy", Physica Status Solidi A, vol. 204, nr. 2, str. 422-429.
[14] Kosiel K., Muszalski J., Szerling A., Bugajski M., Jakieła R.: 2007. “Improvement of Quantum Efficiency of MBE Grown ALGaAs/In- GaAs/GaAs Edge Emitting Lasers by Optimisation of Construction and Technology", Vacuum, vol. 82, nr. 4, str. 383-388.
[15] Pierścińska D., Kozłowska A., Pierściński K., Bugajski M., Tomm J.W., Ziegler M., Weik F.: 2008. “Thermal Processes in High-power Laser Bars Investigated by Spatially Resolved Thermoreflectance", Journal of Materials Science: Materials in Electronics, vol. 19, nr. 1, str. 150-154.
[16] B. Mroziewicz, T. Piwoński, E. Kowalczyk, S.J. Lewandowski: 2005. External Cavity diode lasers with ridge-waveguide type broad contact semiconductor amplifiers, SPIE Europe, Optics and Optoelectronics, Warsaw, Poland, (28 Aug.-2 Sept.2005).
[17] B. Mroziewicz, E. Kowalczyk, L. Dobrzański, J. Ratajczak, S.J. Lewandowski, 2007. External cavity diode lasers with E-beam written silicon diffraction gratings, Optical Quantum Electronics, vol.39, 585-595.
[18] T.Ochalski, J.Muszalski, M.Zbroszczyk, J.Kubica,. K.Regiński, J.Kątcki, M.Bugajski, Spontaneous emission control in InGaAs/ GaAs planar microcavites with DBR reflectors, NATO Science Series, 3.High Technology-vol.81, M.L.Sadowski et al. (eds.), 2000. Optical Properties of Semiconductor Nanostructures, Kluwer Academic Publishers, pp. 201-210.
[19] K.Regiński, J.Muszalski, M.Bugajski, T.Ochalski, J.M.Kubica, M.Zbroszczyk, J.Kątcki, J.Ratajczak; 2000. MBE growth of planar microcavites with distributed Bragg reflectors, Thin Solid Films, vol. 367, pp. 290-294.
[20] Muszalski J., Bugajski M., Ochalski T., Mroziewicz B., Wrzesińska H., Górska M., Kątcki, 2003. InGaAs Resonant Cavity Ligth Emitting Diodes (RC LEDs), SPIE Proc. 5230, 98.
[21] Regiński K, Ochalski T, Muszalski J., Bugajski M., Bergman J.P., Holtz P.O., Monemar B., 2002. Investigations of optical properties of active regions in vertical cavity surface emitting lasers grown by MBE, Thin Solid Films 412, 107.
[22] Wójcik A., Ochalski T.J., Muszalski J., Kowalczyk E., Goszczyński K., Bugajski M., 2002. Photoluminescence Mapping and High Resolved Photoluminescence of MBE Grown InGaAs/ GaAs RC LED and VCSEL Structures, Thin Solid Films, 412, 114.
[23] J. Muszalski, A. Broda, A. Jasik, A. Wójcik-Jedlińska, A. Trajnerowicz, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska: 2013. “VECSELs emitting at 976nm designed for second harmonic generation in the wavelength region", Proc. SPIE 8702, Laser Technology 2012: Progress in Lasers, 22 January 87020A.
[24] A. Jasik, J. Muszalski, A. Wójcik -Jedlińska, J. Kubacka -Traczyk, M. Wasiak, A. Sokół, I. Sankowska: 2013. DW VECSEL- Structure Design and MBE Fabrication , Photon.Lett.. of Poland , vol. 5, no 3, 91-93.
[25] J. Muszalski, A. Broda, A. Trajnerowicz, A. Wójcik-Jedlińska, R. P. Sarzała, M. Wasiak, P. Gutowski, I. Sankowska, J. Kubacka- Traczyk, K. Gołaszewska-Malec: 2014. Switchable double wavelength generating vertical external cavity surface-emitting laser, Optics Express, vol. 22, 6447
[26] Pierściński K., Pierścińska D., Bugajski M., Manz C., Rattunde M.: 2012. vol. 111, 053107.
[27] Kosiel K., Kosmala M., Regiński K., Bugajski M.: 2007. “MBE Technology of Saturable Bragg Reflectors for Mode Locking of Solid State Lasers", Laser Technology VIII: Progress in Lasers, Proceedings of SPIE: tom 6599, str. 659904.
[28] Jasik A., Muszalski J., Talalaev V.G., Kosmala M., Pierściński K., Bugajski M.: 2009. “Low-Temperature Grown Near Surface SESAM - Design, Growth Conditions, Characterization and Mode-Locked Operation", Journal of Applied Physics, vol. 106, str. 053101-1-053.
[29] A. Jasik, P. Wasylczyk, P. Wnuk, M. Dems, A. Wójcik-Jedlińska, K. Regiński, Ł. Zinkiewicz, K. Hejduk: 2014. “Tunable Semiconductor Double-Chirped Mirror with High Negative Dispersion", IEEE Photonics Technology Letters, vol. 26, nr 1, 14-17.
[30] P. Wnuk, P. Wasylczyk, Ł. Zinkiewicz, M. Dems, K. Hejduk, K. Regiński, A. Wójcik-Jedlińska, and A. Jasik: 2014. “Continuously tunable Yb:KYW femtosecond oscillator based on a tunable highly dispersive semiconductor mirror", Optics Express, vol. 22, issue 15,18284-18289.
[31] D. Wawer, T. Ochalski, T. Piwoński, A. Wójcik-Jedlińska, M. Bugajski, H. Page, 2005. Spatially resolved thermoreflectance study of facet temperature in quantum cascade lasers, phys. stat. sol. (a), vol. 202, 1227.
[32] K. Kosiel, J. Kubacka-Traczyk, P. Karbownik, A. Szerling, J. Muszalski, M. Bugajski, P. Romanowski, J. Gaca, M. Wójcik, 2009. Molecular-beam Epitaxy Growth and Characterization of Mid-infrared Quantum Cascade Laser Structures, Microelectronics Journal, vol. 40, 565.
[33] K. Kosiel, M. Bugajski, A. Szerling, J. Kubacka-Traczyk, P. Karbownik, E. Pruszyńska-Karbownik, J. Muszalski, A. Łaszcz, P. Romanowski, M. Wasiak, W. Nakwaski, I. Makarowa, P. Perlin , 2010. Photonics Letters of Poland, vol.1, 16.
[34] M. Bugajski, K. Pierściński, D. Pierścinska, A. Szerling, K. Kosiel, Multimode instabilities in mid-infrared quantum cascade lasers, Photonics Letters of Poland, vol. 5, nr. 3, 85-87 (2013)
[35] Pierściński K., Pierścińska D., Kosiel K., Szerling A., Bugajski M.: 2010. “Influence of Operating Conditions on Quantum Cascade Laser Temperature", Journal of Electronic Materials, vol. 39, nr. 6, str. 630-634.
[36] Pierściński K., Pierścińska D., Iwińska M., Kosiel K., Szerling A., Karbownik P., Bugajski M.: 2012. “Investigation of Thermal Properties of Mid-Infrared AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Lasers", Journal of Applied Physics, vol. 112, str. 043112-12.
[37] Kosiel K., Szerling A., Karbownik P., Sankowska I., Pruszyńska- Karbownik E., Pierściński K., Pierścińska D., Gutowski P., Bugajski M.: 2011. “Room Temperature AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Lasers", Photonics Letters of Poland, vol. 3, nr. 2, str. 55-57.
[38] M. Bugajski, K. Kosiel, A. Szerling, P. Karbownik, K. Pierściński, D. Pierścińska, G. Hałdaś and A. Kolek, 2012. High power AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers (invited paper), Semiconductor Lasers and Laser Dynamics V, K. Panajotov, M. Sciamanna, A. Valle, R. Michalzik, (eds.), Proc. of SPIE Vol. 8432, 84320I.
[39] M. Bugajski, P. Gutowski, A. Kolek, G. Hałdaś, K. Pierściński, D. Pierścińska, 2015. Low threshold, above room temprature operation of InGaAs/AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers, MIRSENS 3, 5-7.03, p.13, Wurzburg, Germany.
[40] P. Gutowski, P. Karbownik, A. Trajnerowicz, K. Pierściński, D. Pierścińska, I. Sankowska, J. Kubacka-Traczyk, M. Sakowicz, M. Bugajski, 2014. Room-temperature AlInAs/InGaAs/ InP quantum cascade lasers, Photonics Letters of Poland, vol. 6, nr 3.
[41] A. Kolek, G. Hałdaś, M. Bugajski, 2012. Nonthermal carrier distribution in the subbands of 2-phonon resonance mid-infrared quantum cascade laser, Applied Physics Letters, vol. 101, 061110.
[42] M. Bugajski, P. Gutowski, P. Karbownik, A. Kolek, G. Hałdaś, K. Pierściński, D. Pierścińska, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska, A. Trajnerowicz, K. Kosiel, A. Szerling, J. Grzonka, K. Kurzydłowski, T. Slight, W. Meredith, 2014. Mid-IR quantum cascade lasers: Device technology and non-equilibrium Green’s function modeling of electro-optical characteristics (invited paper), Physica Status Solidi (b), vol. 251, no. 6, 1144-1157.
[43] A. Kolek, G. Hałdaś, M. Bugajski, K. Pierściński, P. Gutowski, 2015. "Impact of Injector Doping on Threshold Current of Mid-Infrared Quantum Cascade Laser - Non-Equilibrium Green’s Function Analysis, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 21, no.1 1200110.)

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 100433 "Kwantowe Lasery Półprzewo..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2016-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2016-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma