Wyniki 11-18 spośród 18 dla zapytania: authorDesc:"ANDRZEJ KWATERA"

Warstwy Al2O3 na narzędziach skrawających z węglików spiekanych otrzymywane metodą MOCVD

Czytaj za darmo! »

Warstwy Al2O3 są nanoszone na narzędzia skrawające z węglików spiekanych na skalę przemysłową od lat 70. XX w. za pomocą metody CVD (Chemical Vapour Deposition). Do syntezy warstw stosowane są następujące reagenty: AlCl3 - H2 - CO2 [1] lub AlCl3 - H2O - CO2 [2]. Temperatura procesu wynosi powyżej 1000°C. Ponadto konieczne jest uprzednie pokrycie podłoża z węglików spiekanych warstwą pośrednią TiC lub Ti(C, N). Wysoka temperatura procesu sprzyja powstawaniu proszków w fazie gazowej (nukleacji homogenicznej). W konsekwencji, aby zapobiec tej szkodliwej reakcji przy syntezie warstw gęstych, proces ich syntezy powinien być prowadzony przy niskim stężeniu reagentów, co znacznie wydłuża czas syntezy warstw o optymalnej grubości 5 μm (szybkość wzrostu warstwy: 0,5÷1 μm/h [3]). Wysoka temperatura także przyczynia się do wzrostu chropowatych warstw Al2O3 (na powierzchni warstwy wzrastają krystality o wydłużonym kształcie). Wydaje się, że zastosowanie bardziej reaktywnych metaloorganicznych reagentów powinno pozwolić uzyskać warstwy Al2O3 na podłożach z węglików spiekanych o wysokiej gęstości i gładkości w znacznie niższej temperaturze. Praca przedstawia wyniki badań nad syntezą warstw Al2O3 metodą MOCVD z użyciem acetyloacetonianu glinu (Al(O2C5H7)3) jako podstawowego reagenta. MATE RIAŁY I METODY KA BADAŃ Warstwy Al2O3 syntezowano na narzędziach skrawających z węglików spiekanych S30S SNUN 120412 (SANDVIK BAILDONIT) metodą MOCVD. Jako podstawowego reagenta użyto acetyloacetonianu glinu (zawartość Al(O2C5H7)3 - min. 98%). Jako gazu nośnego użyto argonu (99,995%). Do syntezy warstw użyto również powietrza (jako źródła O2, a [...]

Synthesis of samarium oxide layers by MOCVD method

Czytaj za darmo! »

This work presents results of investigations on synthesis of samarium oxide layers on quartz glass by MOCVD method using samarium tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate) as precursor. Air and argon were used as carrier gases. Air was also necessary for elimination of carbon - solid by product of Sm(tmhd)3 pyrolisis. Sm2O3 layers were deposited in the range of temperatures 500-700oC. The[...]

« Poprzednia strona  Strona 2