Wyniki 11-14 spośród 14 dla zapytania: authorDesc:"WOJCIECH FILIPOWSKI"

Analiza występowania wiskerów na powierzchni wysokocynowych stopów lutowniczych poddanych działaniu skrajnych warunków środowiskowych


  Obligatoryjne implementowanie 1 lipca 2006 r. do prawa krajów członkowskich Unii Europejskiej Dyrektywy 2002/95/WE Parlamentu Europejskiego i Rady z 27 stycznia 2003 w sprawie ograniczenia stosowania niektórych niebezpiecznych substancji w sprzęcie elektronicznym i elektrycznym zwanej w skrócie Dyrektywą RoHS, wywołało bardzo poważne konsekwencje w obszarze technologii montażu elektronicznego. Ołów, będący dotąd jednym z głównych składników stopów lutowniczych, został w większości wytwarzanego sprzętu elektronicznego wycofany. W miejsce spoiw ołowiowych producenci zaczęli masowo wprowadzać wysokocynowe stopy przeważnie typu SnAg lub SnAgCu, niejako pomijając poważne zagrożenia jakie niesie za sobą stosowanie ich w praktyce, jednym z nich jest zdolność do spontanicznego tworzenia się tzw. wąsów cynowych (ang. tin whiskers), rosnących w wyniku relaksacji naprężeń występujących wewnątrz warstwy stopu. Fakt ten, stał się powodem znacznego wzrostu ilości publikacji dotyczących wpływu wiskerów na pogorszenie niezawodności sprzętu elektronicznego. Znaczna część z autorów zwraca uwagę na istotne ryzyko, jakie niesie za sobą powszechne przejście na stosowanie wysokocynowych stopów lutowniczych w sposób niewystarczający poprzedzone wieloletnimi badaniami niezawodnościowymi. Analiza warunków powstawania, sposobów mierzenia oraz metod ograniczania zjawiska wiskerów wg norm i publikacji JEDEC Realność radykalnego pogorszenia niezawodności układów elektronicznych, wykonanych technologiami bezołowiowymi w wyniku ewentualnego pojawienia się wiskerów dała podstawę do stworzenia jednolitych dokumentów, które w sposób znormalizowany, umożliwiałyby producentom sprzętu elektronicznego zminimalizować ryzyko z tym związane. W marcu 2006 r. międzynarodowe organizacje JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) oraz iNEMI (International Electronics Manufacturing Initiative) opublikowały dwa dokumenty, intencją których była chęć upowszechni[...]

Efektywne wartości współczynnika dyfuzji dla modelu domieszkowania dyfuzyjnego warstwy emiterowej ogniwa słonecznego


  Głównym celem przeprowadzonych badań było wyznaczenie efektywnych wartości współczynnika dyfuzji dla modelu procesu dyfuzji zakładającego niezależność współczynnika dyfuzji od koncentracji dyfundującej domieszki. Ze względu na bardzo duże rozbieżności pomiędzy profilami wyznaczanymi na podstawie opisywanych w literaturze modeli [1-8], a pomiarami rzeczywistych profili koncentracji metodą SIMS konieczne stało się wyznaczenie współczynników modelu pozwalających na wyznaczenie rozkładu koncentracji domieszki zbliżonego do wyników uzyskanych z pomiarów. Matematyczny opis procesu dyfuzji - prawa Ficka Ilość domieszki dyfundującej w jednostce czasu przez jednostkę powierzchni przekroju jest proporcjonalna do gradientu koncentracji, przy czym przesuwanie się domieszki zachodzi w kierunku mniejszych koncentracji. W przypadku dyfuzji izotropowej, co zachodzi dla półprzewodników monokrystalicznych, można napisać tzw. pierwsze prawo Ficka: (1) gdzie: J - strumień dyfundujących atomów domieszki, N - koncentracja atomów domieszki, D - współczynnik dyfuzji. J = -D⋅ gradN Stosując równanie ciągłości do (1) otrzymuje się tzw. drugie prawo Ficka: (2) gdzie: t - czas. W technologii ogniw słonecznych wytwarza się na ogół struktury płaskorównoległe i dlate[...]

Badanie właściwości cienkich warstw pasywujących z SiO2 w strukturze ogniwa fotowoltaicznego


  Opracowano wiele technologii wytwarzania krzemowych, jednozłączowych ogniw fotowoltaicznych. Na rysunku 1 przedstawiono jeden z wariantów taniej technologii wytwarzania z wykorzystaniem techniki druku sitowego. W strukturze klasycznego krzemowego jednozłączowego ogniwa słonecznego (rys. 1) istotną rolę pełni warstwa pasywująca, wykonana najczęściej z ditlenku krzemu SiO2. Warstwy tego typu wytwarzane są standardowo przy wykorzystaniu procesu utleniania termicznego w klasycznych piecach do obróbki termicznej półprzewodników (rys. 2). Dozowniki gazów, wyposażone są w saturatory umożliwiające wykonanie procesu utleniania termicznego w tlenie "suchym" lub "mokrym". W saturatorze jest stosowana woda dejonizowana o rezystywności na poziomie18 MΩcm. Obecność na powierzchni krzemu cienkiej warstwy dielektrycznej poprawia parametry ogniwa. W tabeli 1 przedstawiono wyniki ilustrujące wpływ obecności warstwy pasywującej powierzchnię krzemu na parametry struktury fotowoltaicznej. Tab. 1. Porównanie parametrów jednozłączowego krzemowego ogniwa słonecznego z war[...]

Wyznaczanie rezystancji powierzchniowej warstwy emiterowej ogniwa słonecznego z wykorzystaniem efektywnych wartości współczynnika dyfuzji niezależnego od koncentracji domieszki DOI:10.15199/48.2015.09.08

Czytaj za darmo! »

W niniejszym artykule poddano weryfikacji wyznaczone przez autorów efektywne wartości współczynnika dyfuzji fosforu w krzemie. W ramach przeprowadzonych badań, w różnych temperaturach procesu domieszkowania dyfuzyjnego, wytworzono warstwy emiterowe na podłożach krzemowych a następnie dokonano pomiarów rezystancji powierzchniowej. W kolejnym etapie wyniki pomiarów porównano z wartościami obliczonymi z wykorzystaniem efektywnych wartości współczynnika dyfuzji. Abstract. In this paper was verified effective diffusion coefficient of phosphorus in silicon. As part of the research have been produced emitter layers on silicon wafers and then sheet resistance were measured. In a next step the measurement results are compared with the values calculated using the effective diffusion coefficient. (Determination of the sheet resistance of solar cell emitter layer using effective concentration-independent diffusion coefficient). Słowa kluczowe: ogniwo słoneczne, warstwa emiterowa, rezystancja powierzchniowa, domieszkowanie dyfuzyjne. Keywords: solar cell, emitter layer, sheet resistance, diffusion doping. Wprowadzenie Jednym z podstawowych etapów produkcji krystalicznego, krzemowego ogniwa słonecznego jest wytworzenie warstwy emiterowej. Najczęściej dokonuje się tego w procesie domieszkowania dyfuzyjnego. Wytworzona warstwa emiterowa powinna zapewnić możliwość konwersji fotowoltaicznej na najwyższym możliwym poziomie, przy czym etap wytwarzania warstwy emiterowej m[...]

« Poprzednia strona  Strona 2