Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Yury ZIMIN"

Bonding of silicon and crystal quartz wafers at the minimized residual stresses

Czytaj za darmo! »

In this work, strong low-temperature bonding of silicon and crystalline quartz wafers, effecting in mechanical strength, which is close to initial materials has been described. High bonding strength is associated with minimization of the residual stresses, optimization of surface activation, and application of an electric field during annealing. The bonding has a wide application field because both, silicon and crystalline quartz are key materials for many devices including generators, high frequency filters, gyroscopes, microbalances of high stability, etc. Streszczenie- W pracy przedstawiono proces uzyskiwania silnych połączeń spajalnych płytek kwarcowych i silikonowych w niskiej temperaturze. Mechaniczna wytrzymałość połączeń jest bliska wytrzymałości materiałów wyjściowych. Wysoka wytrzymałość połączenia wynika z minimalizacji naprężeń własnych materiału, z optymalnego procesu aktywacji powierzchni płytek oraz z zastosowania pola elektrycznego podczas procesu wygrzewania. Polaczenia tego typu mogą być szeroko stosowane gdyż zarówno kwarc krystaliczny jak i silikon wykorzystywany jest do wyrobu szeregu urządzeń; w tym, w mikro i nanotechnologiach. (Proces uzyskiwania silnych połączeń spajalnych płytek kwarcowych i silikonowych w niskiej temperaturze) Keywords: Bonding, crystal quartz, silicon, residual stress, plasma surface processing Keywords: Połączenia spajalne , kwarc krystaliczny, silicon, naprężenia własne, plazmowa obróbka powierzchni Introduction Direct bonding of silicon and quartz wafers can be applied to the fabrication of advanced microelectromechanical and optical devices. Conventional bonding technology of identical materials, such as quartzquartz, silicon-silicon, etc., is well known and typically involves an annealing at elevated temperature. High temperature increases the mobility of atoms across the interface that largely determines a bonding strength. When bonded structure consists of materials with different the[...]

Energy distribution of residual stresses in bi-layer structure

Czytaj za darmo! »

The analysis of energy of elastic strain induced by the residual stresses in bonded structure in the framework of Timoshenko’s model has been done. The analysis revealed the energy is due to the forces aimed at splitting the structure. The energy as well as the splitting forces strongly depended on the thickness ratio of the bonded layers and the total thickness of the structure. The dependence included the point where splitting forces were equal zero (E1h1 2 = E2h2 2). The latter allows reducing the debonding problem, often appearing in the case of bonded structures of dissimilar materials, which becomes peculiarly important in micro and nanofabrication processes. Streszczenie. W pracy dokonano analizy rozkładu odkształceń elastycznych zainicjowanych przez naprężenia resztkowe przy użyciu modelu Timoshenko. Energia powstała wskutek działania sił w spojonej, dwuwarstwowej strukturze powodowała rozwarstwianie się materiału. Wartości energii oraz siły rozwarstwiającej były zależne od stosunku grubości spajanych materiałów oraz całkowitej grubości uzyskanej struktury. Zależność uwzględniała przypadek, w którym siły rozwarstwiające były równe zeru (E1h1 2 = E2h2 2). Pozwala to na zredukowanie problemu odklejania i rozwarstwiania jaki często ma miejsce w spajaniu materiałów o różnych właściwościach, co staje się szczególnie ważne w procesach mikro i nanofabrykacji. (Rozkład energii naprężeń resztkowych w strukturach dwuwarstwowych) Keywords: Bonding, crystal quartz, silicon, residual stress, surface processing, thin surface coatings, Keywords: Połączenia spajalne , kwarc krystaliczny, silicon, naprężenia własne, obróbka powierzchni, powłoki cienkościenne, Introduction The development of the galvanic coating technology caused an urgent need for a proper theory describing the residual stresses in a structure consisting of the thin film deposited on the thick substrate. Stoney provided such theory in 1909 [1] under assumption of very sm[...]

 Strona 1