Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Marek TURZYŃSKI"

Behawioralny model tranzystora IGBT

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w układzie przerywacza szeregowego. Abstract. This paper presents results on modelling of the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) for simulation of power electronics systems requiring adequacy both in steady-state and in switching conditions. The behavioural IGBT model in classic representation with nonlinear parasitic capacitances approximation is consider[...]

Modelowanie falownika napięcia z quasi-rezonansowym obwodem pośredniczącym

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono szerokopasmowe modelowanie falownika napięcia z quasi-rezonansowym obwodem pośredniczącym w środowisku symulatora SABER. Modele łączników energoelektronicznych oraz algorytm sterowania zostały zaimplementowane z wykorzystaniem języka programowania MAST. Dokładność modelu zweryfikowano w oparciu o porównanie charakterystycznych przebiegów symulacyjnych układu z przebiegami eksperymentalnymi oraz analizę porównawczą widm zaburzeń składowych wspólnych wprowadzonych do sieci zasilania DC. Abstract. This paper presents results on wide-band modelling of a parallel quasi-resonant DC-link voltage inverter in the SABER simulator environment. Models of semiconductor switches and control algorithm are implemented with the aid of the MAST programming language. Validation of the model is performed by comparing simulation waveforms with the corresponding experimental results. Comparative analysis of spectra of the common mode distortions introduced to the DC supplying grid is presented. (Modelling of quasi-resonant dc link voltage inverter). Słowa kluczowe: szerokopasmowe modelowanie, quasi-rezonansowy falownik napięcia, symulacja komputerowa Keywords: broadband modelling, quasi-resonant dc-link voltage inverter, computer simulation Wstęp Trójfazowe falowniki przełączalne przy zerowym napięciu ZVS (Zero Voltage Switching) ograniczają komutacyjne stromości napięcia (dv/dt) oraz zmniejszają emisję zaburzeń elektromagnetycznych EMI (Electromagnetic Interference Emissions) do otoczenia. Pozwala to na zwiększenie częstotliwości ich pracy, ograniczenie roli filtrów EMI - zmniejszając całkowitą masę i wymiary. Przewiduje się zatem, że dalszy rozwój topologii falowników miękko-przełączalnych będzie miał szczególne znaczenie w awionice i motoryzacji elektrycznej. Tym bardziej postęp, który dokonał się w zakresie wbudowanych systemów sterowania a także elementów pasywnych skłania do ponownej oceny opracowanych wcześniej miękko-przełąc[...]

Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications DOI:10.15199/48.2015.10.34

Czytaj za darmo! »

A top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could be employed to measure the external factor intensity. Streszczenie. Przedstawiono model grafenowego tranzystora polowego (GFET). Zastosowana metoda symulacyjna pozwala poprawnie odtworzyć charakterystyki tranzystora GFET i badać efekt domieszkowania wywołanego przez czynniki fizyczne, chemiczne i biologiczne. Pojawienie się w układzie dodatkowego ładunku powoduje przesunięcie charakterystyki prądowo-napięciowej, co może być wykorzystane do pomiaru wielkości działającego czynnika zewnętrznego. (Modelowanie grafenowego tranzystora polowego do zastosowań w sensorach elektronicznych). Keywords: graphene, Field-Effect Transistor, GFET, sensor. Słowa kluczowe: grafen, tranzystor polowy, GFET, sensor. Introduction Graphene is a two-dimensional material consisting of thin monolayer sheets of carbon atoms arranged in a honeycomb crystal structure. Due to its outstanding properties, such as large surface-to-volume ratio, excellent electrical conductivity, high carrier mobility and density, high thermal conductivity, unique optical properties and so on, graphene can be considered as a promising base for electronic sensing. What is more, graphene is thought to enable practically endless design possibilities of sensors that are smaller, lighter, more sensitive, exhibiting better selectivity, working quickly and being even less expensive than traditional sensors. The majority of graphene-based sensor designs utilize a Field-Effect Transistor (FET) devices with a graphene channel (GFET) (Fig. 1). Fig. 1. Illustration of [...]

 Strona 1