Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"Piotr Bogusławski"

Domieszkowanie ZnO na typ p przy użyciu N i Ag: tworzenie wytrąceń i rola wodoru


  Efektywne domieszkowanie ZnO na typ p jest problemem technologicznym, który nie doczekał się jak dotąd zadowalającego rozwiązania. Efektywne domieszkowanie wymaga spełnienia kilku warunków, mianowicie: (1) akceptor powinien być możliwie płytki, (2) powinien się on charakteryzować wysoką rozpuszczalnością, pozwalającą na uzyskanie wysokich koncentracji dziur, (3) rozkład domieszek powinien być możliwie jednorodny, gdyż tworzenie się wytrąceń zmniejsza efektywność domieszkowania. W praktyce efektywność domieszkowania jest dodatkowo ograniczona przez tworzenie się kompensujących defektów rodzimych, czyli luk tlenowych i międzywęzłowego cynku w ZnO [1]. W praktyce, bardzo poważnym problemem jest obecność wodoru w ZnO [1]. Wodór jest donorem kompensującym intencjonalne akceptory.Wnika w warstwy ZnO z atmosfery, a jego typowe i jednocześnie równowagowe koncentracje są rzędu 1019-1020 cm-3 w zależności m in. od typu przewodnictwa. Tak więc przyczyny niskiej efektywności domieszkowania są po części fundamentalne i wynikają ze struktury elektronowej czystego ZnO oraz jego właściwości termodynamicznych, które implikują wysokie koncentracje równowagowe kompensujących defektów rodzimych. Zastosowanie nierównowagowych technik wzrostu, takich jak osadzanie z wiązek molekularnych czy sputtering, pozwala na jedynie częściowe przekroczenie tych naturalnych barier poprzez dobór odpowiednich warunków wzrostu i wygrzewania. Obecność wodoru jest trudna do uniknięcia. Domieszkowanie na typ p osiągnięto używając atomów grupy V, przede wszystkim N i P podstawiających tlen [1],atomów grupy I - takich jak międzywęzłowy Li [1] oraz atomów grupy IA, mianowicie Ag, Cu i Au podstawiających Zn [2]. Wyniki osiągnięte przy u[...]

Obliczenia z pierwszych zasad własności defektów rodzimych w ZnRh2O4 DOI:10.15199/ELE-2014-124


  Przezroczyste tlenki przewodzące charakteryzuje zarówno wysoka przezroczystość w obszarze światła widzialnego, jak i wysoka ruchliwość nośników i dobre przewodnictwo elektryczne, co powoduje iż są one istotne z punktu widzenia zastosowań [1]. Większość tlenków wykazuje przewodnictwo typu n. Badania prowadzone w ostatnim okresie poświęcone były w znacznej mierze uzyskaniu przewodnictwa typu p. Dwie grupy tlenków, mianowicie delafosyty CuXO2 (X = Al, Ga, In) [2] i spinele ZnX2O4 (X = Co, Rh, Ir), wykazują przewodnictwo typu p [3-6], które może być aktywowane termicznie poniżej temperatury pokojowej, i przybiera wartości rzędu 0,4-3,4 S/cm w T = 300 K [5]. Co więcej, struktura elektronowa obu grup jest zbliżona. Najwyższe przewodnictwo elektryczne zaobserwowano dla X = Rh i Ir [5]. W szczególności własności ZnRh2O4 są obiecujące dla optoelektroniki. Pomiary Mizoguchiego i in. wykazały, iż w ZnRh2O4 optyczna przerwa wzbroniona Egap wynosi 2,1 eV [3]. W pracy tej przyjęto, iż wierzchołek pasma walencyjnego (VBT) jest zbudowany z orbitali 4d 6 atomów Rh w stanie niskospinowym. Dokładniejsze pomiary Dekkersa i in. [5] wykazały, że Egap = 2,74 eV, zaś przewodnictwo typu p zostało przypisane obecności dziur. Równolegle z badaniami doświadczalnymi prowadzone były obliczenia teoretyczne struktury elektronowej [4, 7-9] w ramach teorii funkcjonału gęstości. Potwierdziły one hipotezę wysuniętą w pracy [3], że przerwa wzbroniona jest utworzona pomiędzy stanami 4d(Rh) rozszczepionymi przez oktaedryczne pole krystaliczne na zapełniony tryplet t2g i pusty dublet eg. Orbitale d znajdują się w konfiguracji niskospinowej. Zbliżoną strukturę pasmową otrzymano w pracach [8, 9] przy zastosowaniu funkcjonałów hybrydowych, które prowadzą do wartości Egap bliższej wartości doświadczalnej. W pracy [10] przeprowadzono obliczenia struktury pasmowej idealnego materiału i defektów stosując przybliżenie uogólnionego gradientu (GGA), które wykazały też istotn[...]

Bezstykowy hybrydowy ogranicznik prądów zwarciowych DOI:10.15199/48.2017.02.57

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono budowę bezstykowego hybrydowego ogranicznika prądów zwarciowych. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych z uwzględnieniem zagadnienia jak najkrótszego wyłączania zwarcia poprzez odpowiedni dobór czasów sterowania tranzystorem IGBT. Abstract. The article discusses the operation and main characteristics of contactless hybrid current limiter (Contactless hybrid current limiter). The results from experiments which take into account the fastest short circuit removal by the IGBT’s on-time control was presented. Słowa kluczowe: bezpiecznik krótkotopikowy, ogranicznik prądów, tranzystor IGBT, krzywa V Keywords: contactless hybrid current limiter, CHCL, ultrashort fuse, V-curve Wstęp Wraz z rozwojem cywilizacji wzrasta uzależnienie od urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Zwiększająca się liczba urządzeń powoduje konieczność zapewnienia odpowiedniej mocy elektrycznej zasilającej. Urządzenia elektroniczne wymagają dostawy energii elektrycznej o określonej jakości, głównie bez zapadów napięcia. Zwiększająca się moc urządzeń skutkuje potrzebą budowy stacji elektroenergetycznych o dużych prądach roboczych i tym samym o dużych wartościach prądów zwarciowych. W przypadku zwarcia awaryjnego obok skutków cieplnych i elektrodynamicznych powstaje zanik napięcia, który będzie się przenosił na inne obwody systemu elektroenergetycznego. W takim przypadku istotne jest szybkie wyłączenie obwodu powodującego zwarcie. Dotychczasowe rozwiązania opierały się na klasycznym zestyku umieszczonym w różnego rodzaju urządzeniach i środowiskach umożliwiających zgaszenie łuku elektrycznego. Masywny styk przystosowany do przewodzenia znacznych prądów roboczych wymuszał konieczność zastosowania odpowiedniego napędu otwierającego zestyk, a to z kolei wydłużało czas działania całego aparatu - nawet do blisko 100 ms. W takim przypadku aparat ogranicza jedynie skutki cieplne bez ograniczenia skutków elektrodynamicznych. Rozwój[...]

Układ bezprzerwowego zasilania średniego napięcia z superkondensatorowym zasobnikiem energii DOI:10.15199/74.2017.5.12


  Słowa kluczowe: superkondensator, zanik napięcia, wielopoziomowy przekształtnik energoelektroniczny W artykule przedstawiono opis układu bezprzerwowego zasilania średniego napięcia zawierającego: zasobnik superkondensatorowy, wielopoziomowy przekształtnik DC/AC i szybki łącznik próżniowy. Opracowany system może służyć jako zabezpieczenie wydzielonej sieci energetycznej średniego napięcia przed zanikami lub zapadami. Opisano ideę działania, realizację wybranych bloków układu oraz wyniki badań laboratoryjnych. Keywords: supercapacitor, voltage sag, multilevel powerelectronic converter This article describes the uninterruptible power supply in a medium voltage setup comprising a supercapacitor storage device, DC/AC multi-level inverter and fast vacuum switch. Described system can secure islanded grid of medium voltage against interrupions or sags. An idea of functioning, implementation of selected components and laboratory results was shown.Zaburzenia w sieciach dystrybucyjnych napięcia przemiennego ze względu na miejsce ich powstawania można podzielić na dwie grupy [4]. Do pierwszej należą zaburzenia generowane w infrastrukturze sieciowej na skutek: zwarć, czynności łączeniowych lub zakłóceń powodowanych przez oddziaływania atmosferyczne, a do drugiej - generowane przez użytkowników energii elektrycznej. Są one powodowane przez zwarcia w odbiornikach a także rozruchy napędów elektrycznych dużych mocy. Ze względu na kształt zaburzenia napięcia można wyróżnić sześć grup [1] pokazanych na rys. 1. Przyjmują one postaci zakłóceń napięcia i mogą objawiać się w formie: przepięć (1), migotań (2), wahań (3), zapadów (4), przerw (5) lub innych zniekształceń przebiegu napięcia zwykle o charakterze losowym (6). Według normy PN-EN 50160 przez zapad rozumie się nagłe i chwilowe obniżenie napięcia do wartości z przedziału od 1 do 90% na czas od 10 ms do 1 min, po którym następuje powrót do poprzedniej wartości. Przerwę w zasilaniu definiuje[...]

 Strona 1