Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"Piotr Musznicki"

Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors DOI:10.15199/48.2019.02.28

Czytaj za darmo! »

Nowadays, achieving high efficiency, power density and reduction of overall weight of power electronics devices is the main researcher’s topics [1]. The main merits of Wide Bandgap (WBG) devices are low on-state resistance, small inter-terminal capacitances, ability to operate at the high temperature and extremely low switching times (ns-range). All those factors allow to break the limits appointed by the stateof- art Silicon transistors. The subsequent issue is the protection of short-circuit current (SCC) which can lead to thermal and/or electrical damage of semiconductor. The SCC operation depends on the inductance in power stage, gate voltage and voltage of DC-Bus (VDC)[2]. The 600 and the 650 V - class GaN transistors have very stable short-circuit (SC) response and relatively large withstand time for VDC below 300 V. For voltage in the range above 400 V the SC withstand time is on the level of hundreds of nanoseconds[3, 4]. Thus, the properly fast protection of WBG semiconductors has a significant impact and should be considered for power converters. Production process of GaN HEMT transistors is constantly developed. The basis and the simplest technology ensure best performing GaN transistor, however, device structure is "normally-on". In "normally-on" devices negative gate voltage should be apply to switch it off. Moreover, without driving voltage permanent state is "on" and that might cause failure of whole device or system (e.g. short-circuit). Due safety of operation power converters it is recommended to apply normally-off device. Currently there are available three types of "normally-off" GaN Transistor: Enhancement- Mode GaN Transistor (e-HEMT), Gate Injection Transistor (GIT) and Cascode GaN Transistor. Their specific parameters are rather different: gate threshold voltage of e-HEMT is relatively low, GaN GIT transistor is characterized by large current flowing in gate circuit, which is required to switch [...]

Modelowanie falownika napięcia z quasi-rezonansowym obwodem pośredniczącym

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono szerokopasmowe modelowanie falownika napięcia z quasi-rezonansowym obwodem pośredniczącym w środowisku symulatora SABER. Modele łączników energoelektronicznych oraz algorytm sterowania zostały zaimplementowane z wykorzystaniem języka programowania MAST. Dokładność modelu zweryfikowano w oparciu o porównanie charakterystycznych przebiegów symulacyjnych układu z przebiegami eksperymentalnymi oraz analizę porównawczą widm zaburzeń składowych wspólnych wprowadzonych do sieci zasilania DC. Abstract. This paper presents results on wide-band modelling of a parallel quasi-resonant DC-link voltage inverter in the SABER simulator environment. Models of semiconductor switches and control algorithm are implemented with the aid of the MAST programming language. Validation of the model is performed by comparing simulation waveforms with the corresponding experimental results. Comparative analysis of spectra of the common mode distortions introduced to the DC supplying grid is presented. (Modelling of quasi-resonant dc link voltage inverter). Słowa kluczowe: szerokopasmowe modelowanie, quasi-rezonansowy falownik napięcia, symulacja komputerowa Keywords: broadband modelling, quasi-resonant dc-link voltage inverter, computer simulation Wstęp Trójfazowe falowniki przełączalne przy zerowym napięciu ZVS (Zero Voltage Switching) ograniczają komutacyjne stromości napięcia (dv/dt) oraz zmniejszają emisję zaburzeń elektromagnetycznych EMI (Electromagnetic Interference Emissions) do otoczenia. Pozwala to na zwiększenie częstotliwości ich pracy, ograniczenie roli filtrów EMI - zmniejszając całkowitą masę i wymiary. Przewiduje się zatem, że dalszy rozwój topologii falowników miękko-przełączalnych będzie miał szczególne znaczenie w awionice i motoryzacji elektrycznej. Tym bardziej postęp, który dokonał się w zakresie wbudowanych systemów sterowania a także elementów pasywnych skłania do ponownej oceny opracowanych wcześniej miękko-przełąc[...]

Impact of dielectric deterioration on the conducted EMI emissions in the DC-DC boost converter

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono wpływ starzenia kondensatorów elektrolitycznych na poziom zaburzeń elektromagnetycznych generowanych przez układ podwyższający napięcie w oparciu o metody symulacyjne oraz cyfrowe przetwarzanie sygnału (filtracje Wienera). Wyniki przedstawiono w formie widm zaburzeń generowanych przez układ oraz transmitancji pomiędzy źródłem zaburzeń a zaburzeniami. (Wpływ starzenia się dielektryków na poziom zaburzeń generowanych w impulsowym układzie podwyższającym napięcie) Abstract. The magnitude of emitted noise generated by DC-DC converters depends of their electrical behavior and parameters. Some of these can change during the converter life time, especially due to some deterioration process. In this paper the impact of the dielectric materials aging is presented using both circuit simulation and a digital signal processing method based on Wiener filtering. The change of the total EMI spectrum as a function of the dielectric property has been investigated. Application can be either aging diagnostig, or a forecast of the EMI spectrum evolution with the time. Słowa kluczowe: kompatybilność elektromagnetyczna, procesy starzeniowe, symulacje komputerowa, filtracje Wienera. Keywords: EMC, aging process, computer simulation, Wiener filtering. Introduction Increasing switching frequencies of switch-mode power supplies is strongly connected with increasing of electromagnetic interference (EMI) emissions. Many EMC standards and regulations such as the Federal Communications Commission (FCC), the International Electrotechnical Commission (IEC) and the International Special Committee on Radio Interference (CISPR) standards have been established for controlling EMI emission. EMI generated by electronic equipment should be lower than limits defined in standards. The level of emitted noise is determined by the electrical behavior which depends on geometrical structures of the system, devices packaging, layout of the circuit, paras[...]

Analiza impedancji sieci prądu stałego w instalacjach fotowoltaicznych DOI:


  Dokonano analizy impedancji sieci prądu stałego w instalacji fotowoltaicznej. Analizę tę przeprowadzono pod względem predykcji charakterystyki zaburzeń elektromagnetycznych generowanych przez instalacje PV. Badania przeprowadzono zarówno dla zaburzeń różnicowych, jak i wspólnych. Zastosowano podejście analityczne - wykorzystując teorię linii długiej oraz pomiary wykonane na stanowisku laboratoryjnym. Słowa kluczowe: instalacja fotowoltaiczna, impedancja, zaburzenia elektromagnetyczne Rosnąca popularność instalacji fotowoltaicznych (PV - Photovoltaic) spowodowała wzrost zainteresowania zaburzeniami elektromagnetycznymi (EMI - Electromagnetic Interferences), występującymi w obwodzie prądu stałego tych systemów oraz ich filtracją [4], [5]. Wysokoczęstotliwościowe zaburzenia występujące w instalacji prądu stałego mogą mieć niekorzystny wpływ na otoczenie i sąsiednie urządzenia, dlatego nie można ich zaniedbać. W artykule przedstawiono analizę ścieżek propagacji zaburzeń elektromagnetycznych pomiędzy źródłem PV a przekształtnikiem. Poziomy i częstotliwości tych zaburzeń są ściśle powiązane z impedancją ścieżek ich propagacji. Im[...]

 Strona 1