Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Marcin ZAJĄC"

Methods of picture segmentation in recognition digital satellite images DOI:10.15199/48.2019.11.30

Czytaj za darmo! »

In recent years, the possibilities of image processing have developed to a large extent. Thanks to the new algorithms, we can get better and better results from the same satellite imagery [1, 2]. The information obtained from different sources is widely used in various areas of the economy, such as geodesy and cartography, forestry, electronic warfare systems water management [3-7]. They also make a significant contribution to rescue and the fight against the effects of natural disasters. Various algorithms for processing and recognizing digital images can be found in the literature [8-10]. The first step is segmentation of the image, i.e. its division into disjoint areas that meet certain criteria of homogeneity. This approach allows us to skip individual pixel analysis and focus on the larger areas. These areas are internally uniform, which means that there are no clear boundaries between them, they have similar texture, color, brightness. There are many methods for segmenting digital images, such as thresholding, splitting and combining, area expansion and edge detection. Each of them has the task of extracting objects from the background, but using different image processing algorithms results in completely different results. To do this, select the appropriate segmentation method for the display in order to obtain the desired final result of the object recognition. Image segmentation by thresholding It consists in determining the threshold T, which defines the value on the brightness scale of the image, on the basis of which an analysis of individual pixels of the image is carried out [11]. Pixels that meet the condition: f (x, y) ≥ T are an object and pixels that do not meet it are the background. The result of the threshold operation can be represented by the following function (1) 􀝃􁈺􀝔, 􀝕􁈻 􀵌 􀵜 1 􀝀􀝈􀜽 􀝂 􁈺&#[...]

AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications


  At present, next generation of high-efficiency lighting and highpower electronics are one of the focus areas for energy saving innovation technologies in world industry. Gallium Nitride semiconductor crystallizes in wurtzite-type structure and has wide, direct band-gap (about 3.44 eV at room temperature) [1]. Besides, it has high electron mobility, high breakdown voltage, good thermal conductivity and mechanical properties. Therefore, Gallium Nitride (GaN) has attracted a great attention for these material properties that are useful for applications in short-wavelength optoelectronic and high power electronic devices, such as white or colour light emitting diodes (LEDs), blue laser diodes (LDs), UV detectors and high-power -high-frequency transistors. For example, GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are characterized by at least one order of magnitude higher power density and efficiency than Si- and GaAs-based conventional devices [2], enabling 10-fold reduction of electronic chip size under the same output power. However, the currently available devices use GaN deposited by heteroepitaxy on sapphire or SiC substrates. The resulting thin films suffer from large defect concentrations (dislocation density 106 - 109 cm-2), mainly due to a difference in lattice parameters and thermal expansion coefficients between such non-native substrates and GaN. High dislocation density also increases the level of energy dissipation in HEMTs used for high power electronics. Therefore, the development of low-cost optoelectronic and HEMT devices of sufficiently high efficiency is limited due to a lack of suitable substrates for growing homoepitaxial structures. Under such circumstances, the use of truly bulk GaN substrates would be an ideal solution of this problem. At the moment, satisfactory results were obtained by growth of thick layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) [3], used commercially for fabrication of lasers in [...]

Układ lock-in z cyfrową syntezą częstotliwości w technice FPGA


  Układy typu lock-in umożliwiają detekcję sygnału o określonej częstotliwości nawet w otoczeniu szumów przekraczających 1000 razy amplitudę badanego przebiegu. Urządzenie działa jak filtr pasmowo-przepustowy o niezwykle wąskim paśmie i dużej dobroci [1]. W trakcie pomiaru wykorzystywana jest technika znana jako detekcja fazoczuła, wymagająca sygnału referencyjnego o ściśle określonych parametrach. Lock-in znany jest również pod nazwami nanowoltomierz, woltomierz homodynowy, prostownik fazoczuły. Znajduje zastosowanie w wielu dziedzinach nauki m.in. do pomiarów tłumienia światłowodów, częstotliwości rezonansowych układów elektronicznych czy właściwości materiałowych powierzchni (jako element mikroskopu AFM). Pierwsze układy detekcji fazoczułej wykonywane były za pomocą elementów analogowych. Dynamiczny rozwój techniki cyfrowej pozwolił na skonstruowanie numerycznych układów lock-in o lepszej stabilności i dokładności pomiaru oraz znacznie większej rezerwie dynamicznej niż ich analogowe odpowiedniki [2-4]. Artykuł opisuje własną konstrukcję cyfrowego detektora wykonanego na bazie techniki FPGA i popularnych przetworników A/C i C/A, kontrolowanego przez komputer PC. Detekcja fazoczuła i synteza częstotliwości Kluczowymi elementami układu lock-in są detektor fazy PSD (Phase Sensitive Detector) i generator. Istotą detekcji fazy jest pomiar składowej sygnału o bardzo dokładnie określonej częstotliwości. Wybór częstotliwości odniesienia odbywa się poprzez sygnał referencyjny. Może on być doprowadzony z zewnętrznego źródła, lub generowany wewnątrz układu, np. za pomocą bezpośredniej syntezy cyfrowej DDS (Direct Digita[...]

 Strona 1