Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"Małgorzata Musztyfaga-Staszuk"

OBLICZENIA DOTYCZĄCE ELEMENTÓW SKŁADOWYCH WPŁYWAJĄCYCH NA WARTOŚĆ REZYSTANCJI SZEREGOWEJ KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO DOI:10.15199/13.2019.7.1


  Rezystancja szeregowa jest sumą rezystancji poszczególnych elementów składowych ogniwa (rys. 1). Rezystancja szeregowa jest wynikiem: rezystancji półprzewodnika (R2,R3), rezystancji metalowych kontaktów (R0,R5,R6) i rezystancji przejścia metal-półprzewodnik (R1,R4). Rezystancja R1 jest zwykle bardzo mała, wynika to głównie z całej powierzchni, która bierze udział w przewodzeniu prądu. Rezystancja R2 określana jest stopniem jej domieszkowania i jej udział w stratach mocy nie przekracza 1%. Rezystancja R3 zależy głównie od poziomu domieszkowania zwłaszcza w obszarze powierzchniowym ogniwa, dlatego wnosi znaczący wkład do rezystancji szeregowej fotoogniwa. Rezystancja R5 zależy w znacznym stopniu od geometrii przedniego kontaktu, metody jego wytwarzania oraz rodzaju stosowanego materiału, a jej celem jest minimalizacja wpływu rezystancji warstwy dyfuzyjnej R3. Rezystancja R6 zależy w znacznym stopniu od geometrii przedniego kontaktu, metody jego wytwarzania oraz rodzaju stosowanego materiału. Tabela 1 przedstawia wzory do obliczenia elementów składowych ogniwa słonecznego. Na podstawie danych literaturowych [1, 2] można stwierdzić, że rezystancję całkowitą ogniwa fotowoltaicznego wraz z sześcioma składnikami rezystancji szeregowej przedstawionymi w tabeli 3 można obliczyć zgodnie z zależnością [2]: R V J PFF FF PFF s cał oc sc [ / ][ ] / ( .) = - (1) gdzie: PFF - idealny FF dla Rs= 0, zmierzony na Suns-VOC. Natomiast rezystancję kontaktu (R4), której celem jest minimalizacja wpływu rezystancji warstwy dyfuzyjnej R3, a zależy ona od składu stosowanego materiału (elektrody i podłoża), od warunków jej wytwarzania, np. temperatury procesu metalizacji, oblicza się wg zależności [9]: R = R [R +R +R +R +R ] 4 s(cał. ) 6 5 3 2 1 - Rezystywność kontaktu można też wyznaczyć metodą linii transmisyjnych opisaną szczegółowo w pracach [11,12]. MATERIAŁ DO BADAŃ I PRZYGOTOWANIE PRÓBKI Do badań zastosowano płytkę krzemu monokrystalicznego [...]

Mikroobróbka laserowa przednich kontaktów elektrycznych w krzemowych ogniwach słonecznych

Czytaj za darmo! »

Postęp w zakresie produkcji ogniw słonecznych o coraz większej sprawności dokonuje się w ostatnich latach zwłaszcza dzięki wykorzystaniu nowoczesnych technik laserowych, umożliwiających automatyzację i intensywny rozwój poszczególnych etapów wytwarzania. Jedną z wytwórczych operacji ogniwa słonecznego jest wykonanie elektrody przedniej o wymaganym rozmiarze i kształcie, zagłębieniu w materiał półprzewodnikowy, mikrostrukturze bez porów i pęknięć oraz najmniejszej rezystancji jej połączenia z podłożem, z zastosowaniem odpowiedniego składu pasty. W związku z tym zainteresowanie tą tematyką badawczą wydaje się jak najbardziej uzasadnione i trafne. Rozwój krzemowych ogniw słonecznych W ostatnich kilkunastu latach obserwuje się wzrost zainteresowania pozyskiwania energii elektrycznej z ogniw słonecznych, pomimo wysokich cen utrzymania tych źródeł energii. W wyniku dużych zapasów płytek krzemowych wytwarzane na ich bazie ogniwa słoneczne zdominowały rynek. Prognozuje się nawet, że aktualny stan dominacji utrzyma się aż do roku 2020. Do najważniejszych technologii zalicza się wytwarzanie ogniw słonecznych na bazie krzemu krystalicznego oraz cienkowarstwowego [1÷3]. Rozwój nowych technologii z użyciem ogniw słonecznych wymaga wykonywania dalszych badań w wybranych obszarach przemysłu fotowoltaicznego (tab. 1). Zestawienie zdolności produkcyjnych dla technologii krystalicznych przedstawiono na rysunku 1, natomiast na bazie krzemu cienkowarstwowego na rysunku 2. Materiał do badań i przygotowanie pró bek Badania wykonano na płytkach z krzemu monokrystalicznego typu p domieszkowanego borem o grubości ~330 μm oraz polu powierzchni 25 cm2. Do badań zastosowano proszek srebra o granulacji <40 nm, szkliwo ceramiczne i nośnik organiczny. Wyboru składu chemicznego past dokonano doświadczalnie. Na rysunku 3 przedstawiono schemat doboru materiału do badań i przygotowania próbek, opracowany na podstawie przeglądu piśmiennictwa w celu z[...]

ZASTOSOWANIE AUTORSKIEGO PRZYRZĄDU DO POMIARU REZYSTANCJI ELEKTRODY PRZEDNIEJ KRZEMOWEGO OGNIWA FOTOWOLTAICZNEGO METODĄ LINII TRANSMISYJNYCH


  W artykule wyodrębnić można dwa aspekty. Pierwszym aspektem niniejszej pracy są jej walory naukowe i poznawcze. Określono wpływ warunków wytwarzania elektrody przedniej zarówno metodą tradycyjną, jak i metodą selektywnego spiekania laserowego na strukturę uzyskanej elektrody oraz strefę jej połączenia z podłożem krzemowym. Analizie poddano również wpływ morfologii (powierzchnia teksturowana lub bez tekstury) oraz stanu powierzchni płytek krzemowych (warstwa antyrefleksyjna lub jej brak) na wynik uzyskanych rezystancji. Drugi aspekt pracy dotyczy wyznaczenia rezystancji elektrod przednich zastosowaną metodą linii transmisyjnych na stanowisku badawczym, w którym zaprojektowano i wykonano najważniejsze elementy składowe: moduł sterowania, przystawkę oraz matrycę pomiarową. Słowa kluczowe: metoda linii transmisyjnych, krzemowe ogniwa słoneczne, elektroda przednia APPLICATION OF COPYRIGHT DEVICE FOR THE RESISTANCE MEASUREMENT OF THE FRONT ELECTRODE OF THE SILICON PHOTOVOLTAIC CELL BY THE TRANSMISSION LINE MODEL METHOD The article can be distinguished two aspects. The first aspect of this study are its advantages and cognitive science. The influence of the manufacturing front electrode both the traditional method and the method of selective laser sintering of the structure of the resulting electrode and the connection zone between electrode and silicon. It was also analyzed the influence of morphology (surface textured or without texture) and the state of the surface of silicon wafer (layer anti-reflective or i ts l ack o f) o n t he r esult obtained resistance. The second aspect of the work concerns the front electrode resistance of the transmission line method was used on the test, which was designed the most important components: a control unit, attachment and measurement matrix. Keywords: transmission line method, silicon solar cells, front electrode Wprowadzenie Wśród materiałów stosowanych do produkcji ogniw fotowoltaicznych najbardzie[...]

Analiza parametrów elektrycznych przedniej metalizacji wytworzonej na bazie nowej pasty miedziowej DOI:10.15199/13.2018.7.4


  Na świecie wykonuje się wiele prac naukowo-badawczych w obszarze technologii grubowarstwowej. Przełom nastąpił w latach osiemdziesiątych w pracach Roberta W. Vesta [1, 2]. W literaturze często pod pojęciem materiałów stosowanych do wykonania struktury warstwowej techniką druku sitowego nazywa się pasty, kompozycje lub atramenty, które są przedmiotem wielu badań i mogą zawierać w większości informacje objęte tajemnicą handlową producentów (takich jak, np. DuPont, Ferro, ESL oraz Heraeus) [3-6]. Ich oferta jest ciągle zwiększana, gdyż współczesne pasty spełniają wymagania Unijnej dyrektywy RoHS (ang. Restriction of Hazardous Substances) z 27 stycznia 2003 roku, wykazują dobre własności elektryczne i termiczne, stosowane są do wytwarzania elementów, układów pracujących gdzie jest możliwość narażenia środowiska [7,8]. Wytwarzanie past można podzielić na następujące etapy [9]: 1) uformowanie wszystkich składników podstawowych, 2) połączenie tych składników w jednorodną kompozycję. Chociaż skład past jest objęty tajemnicą producentów to ogólną zasadę tworzenia pasty w przemyśle fotowoltaicznym przedstawia tabeli 1. Materiał do badań i przygotowanie próbek Charakterystyka struktur podłożowych Jako materiał bazowy do badań użyto płytek krzemu monokrystalicznego (Cz-Si) typu p o powierzchni 25 cm2, wyjściowej orientacji krystalograficznej powierzchni (100), grubości 150-160 μm i rezystywności 1 Ωcm. Wytworzenie struktur polegało na przygotowaniu chemicznym powierzchni płytek Si, teksturyzacji powierzchni oraz jej oczyszczeniu i wykonaniu procesu dyfuzji. W wyniku procesu wytworzono emiter n+. Po usunięciu szkliwa krzemowo- fosforowego i usunięciu złącza z obszaru krawędzi [...]

 Strona 1