Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Agnieszka MARTYCHOWIEC"

Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC DOI:10.15199/48.2019.10.35

Czytaj za darmo! »

Monokrystaliczny węglik krzemu o heksagonalnej odmianie politypowej jest powszechnie wykorzystywanym materiałem półprzewodnikowym w technologii przyrządów mocy, pracujących także w zakresie wysokich częstotliwości. Stabilność chemiczna i termiczna węglika krzemu z jednej strony pozwala na pracę przyrządów w trudnych warunkach środowiskowych, takich jak promieniowanie wysokoenergetyczne lub wysoka temperatura, ale z drugiej strony komplikuje procesy technologiczne w porównaniu do technologii krzemowej. Problem dotyczy przede wszystkim przygotowania powierzchni przed kolejnymi procesami technologicznymi. Powtarzalność procesów czyszczenia zależy jednocześnie od gęstości defektów w podłożu. Pierwsze prace dotyczące technik usuwania niepożądanych zanieczyszczeń z powierzchni płytek półprzewodnikowych przeprowadzano w połowie lat sześćdziesiątych, jednak najwięcej osiągnięto w tym zakresie w okresie ostatniej dekady. Połączenie metod obróbki podłoży i ich czyszczenia pozwoliło na uzyskanie podłoży węglika krzemu o niskiej chropowatości powierzchni i wysokim poziomie czystości odpowiednich dla procesów epitaksji. Obecnie stosowane techniki przygotowania powierzchni dla typowych orientacji politypów 4H-SiC i 6H-SiC można uznać za dojrzałe. Metody czyszczenia politypu kubicznego (3C-SiC) wymagają dalszych badań [1]. Przygotowanie wstępne podłoży SiC Rozważając aspekty związane z przygotowaniem powierzchni SiC nie należy pomijać zagadnień związanych z polerowaniem powierzchni. Większość stosowanych w tym celu metod została zaczerpnięta z technologii krzemowej. Typowo wymagały one modyfikacji ze względu na dużą twardość i niską reaktywność chemiczną SiC w porównaniu do krzemu. Istnieje wiele parametrów, które należy brać w tym przypadku pod uwagę, takich jak polityp, poziom domieszkowania, orientacja krystalograficzna powierzchni. Kompleksowe przygotowanie płytek SiC obejmuje cztery kolejne etapy: - Szlifowanie: pozwala na popra[...]

 Strona 1