Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Miroslav Mikolášek"

Analiza temperaturowych charakterystyk I-V testowych ogniw słonecznych na bazie związków złożonych (In,Ga)(As,N) DOI:10.15199/13.2016.7.1


  Analiza temperaturowych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych pozwala na określenie zmian w wartościach podstawowych parametrów ogniwa: gęstości prądów nasycenia j0 i zwarciowego jsc, napięcia rozwarcia Voc, współczynnika wypełnienia FF oraz sprawności konwersji η. Ponadto prezentowane wyniki umożliwiają porównanie charakterystyk ogniwa pracującego przy oświetleniu widmem AM 1.5 oraz 20-krotnie skoncentrowanym promieniowaniem słonecznym. Słowa kluczowe: InGaAsN, ogniwo słoneczne, pomiary I-V-T.W otaczającym nas świecie wszystko zależy od zmian temperatury, nie inaczej jest z przyrządami półprzewodnikowymi. Temperatura ma ogromny wpływ na podstawowe właściwości półprzewodników takie jak przewodność czy przerwa energetyczna. Zmiany tej ostatniej określa tzw. zależność Varshni’ego wyrażona równaniem [1, 2]: (1) gdzie Eg(0) to wartość przerwy energetycznej w temperaturze zera bezwzględnego, α oraz β to stałe charakterystyczne dla danego półprzewodnika, a T to temperatura. W następstwie zmian temperatury rośnie koncentracja nośników samoistnych (ni) w półprzewodniku, spowodowane jest to jonizacją atomów domieszki oraz termiczną generacją nośników z pasma walencyjnego. Następstwem wzrostu koncentracji samoistnej jest wzrost gęstości prądu nasycenia j0, wyrażony zależnością [1, 2]: (2) gdzie q to ładunek elementarny, Dn, Dp, Ln, Lp odpowiednio st[...]

Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs DOI:10.15199/ELE-2014-102


  Sprawność konwersji jednozłączowych, półprzewodnikowych ogniw słonecznych ograniczona jest tzw. limitem Shockleya- Queissera do 33,7% [1, 2]. Rozwiazaniami pozwalającymi na przekroczenie tego limitu są: zastosowanie struktur o obniżonej wymiarowości (studnie i kropki kwantowe) w obszarze czynnym ogniwa, wytworzenie ogniwa wielozłączowego oraz zastosowanie skoncentrowanego promieniowania słonecznego [3]. Materiał na ogniwo o wysokiej sprawności powinien spełniać szereg wymagań, takich jak prosta struktura przejść optycznych, wysoka wartość współczynnika absorpcji oraz opanowana i powtarzalna metoda otrzymywania struktur o określonych parametrach. Półprzewodniki AIII-BV doskonale realizują kryteria stawiane materiałom na wysokowydajne ogniwa tandemowe. Technologia podogniwa p-i-n wytworzonego z InGaAsN Ogniwo słoneczne typu p-i-n wytworzone zostało metodą epitaksji z fazy gazowej z wykorzystaniem związków metaloorganicznych, przy ciśnieniu atmosferycznym (AP-MOVPE). Szczegóły dotyczące wzrostu heterostruktury InGaAsN/GaAs opisano w pracy [4]. Obszar aktywny ogniwa (zaznaczony kolorem szarym na rys. 1) stanowi niedomieszkowana warstwa InGaAsN umiejscowiona pomiędzy buforem z GaAs domieszkowanym krzemem oraz warstwą InGaAsN domieszkowaną cynkiem. Parametry elektryczne i op[...]

Zastosowanie funkcji Lamberta W do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu ogniw słonecznych DOI:10.15199/13.2015.8.6


  Rzeczywista, zmierzona charakterystyka prądowo-napięciowa I-V ogniwa słonecznego może być analizowana z wykorzystaniem jednodiodowego modelu zastępcszego. W modelu takim ogniwo reprezentowane jest przez diodę pn, generowany w wyniku oświetlenia fotoprąd przedstawiony jest jako źródło prądowe, natomiast rezystancje szeregowa i równoległa (Rs i Rsh) odpowidają za straty występujące w przyrządzie. Schemat omawianego modelu ogniwa słonecznego przedstawiono na rys. 1.gdzie Id, I0 i Iph to odpowiednio prąd płynący przez diodę, prąd nasycenia i fotoprąd, q - ładunek elektronu, V - napięcie, n - współczynnik doskonałości złącza, k - stała Boltzmana, T - temperatura. Analizując prąd płynący przez rzeczywiste ogniwo należy uwzględnić wpływ pasożytniczych rezystancji Rs i Rsh, wówczas równanie opisujące prąd ogniwa przyjmuje następujacą postać: . Dotychczasowa prosta zależność Shockleya zmienia się w funkcję uwikłaną, tzn. zmienna odpowiadająca za prąd znajduje się po obu stronach równania. Takie równanie nie ma analitycznego rozwiązania, możliwe jest natomiast wyznaczenie parametrów modelu jednodiodoweg[...]

 Strona 1