Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Małgorzata GODLEWSKA"

Electrothermal Model of Ferromagnetic Cores DOI:10.15199/48.2015.06.32

Czytaj za darmo! »

W pracy zaproponowano elektrotermiczny model rdzeni ferromagnetycznych dla programu SPICE, dedykowany do analizy układów energoelektronicznych. Przedstawiono postać modelu oraz sposób wyznaczania jego parametrów magnetycznych, geometrycznych oraz cieplnych. Poprawność prezentowanego modelu została zweryfikowana przez porównanie obliczonych i zmierzonych charakterystyk wybranych rdzeni wykonanych z różnych materiałów i pracujących przy różnych wartościach indukcji pola magnetycznego, częstotliwości i temperatury otoczenia oraz przy różnych warunkach chłodzenia. We wszystkich przypadkach uzyskano dobrą zgodność między wynikami obliczeń i pomiarów. (Elektrotermiczny model rdzenia ferromagnetycznego) Abstract. This paper presents an electrothermal model of ferromagnetic cores dedicated for SPICE software. The form of this model, dedicated to be used in power electronics applications, is presented and the procedure of estimating magnetic, geometric and thermal parameters of the presented model is proposed. The correctness of the proposed model is verified by comparing the calculated and measured characteristics of the selected ferromagnetic cores operating at different values of flux density, frequency, ambient temperature and cooling conditions. The satisfied agreement between the results of calculations and measurements is obtained. Słowa kluczowe: modele uśrednione, przetwornica boost, dławik, samonagrzewanie, SPICE Keywords: Ferromagnetic cores, electrothermal model, parameter estimation Introduction Magnetic elements (choking-coils and transformers) containing ferromagnetic cores are important components of switch-mode power supplies [1, 2, 3]. These cores have non-linear characteristics and significantly influence magnetic properties of the mentioned elements [4, 5] and circuits containing these elements [2, 3, 6]. In the literature, many works are devoted to modelling properties of the ferromagnetic cores [3, 7, 8, 9]. Models of the[...]

Modelowanie charakterystyk przetwornicy półmostkowej DOI:10.15199/48.2015.09.09

Czytaj za darmo! »

W pracy rozważany jest problem modelowania charakterystyk przetwornicy półmostkowej w programie SPICE. Przedstawiono wybrane modele transformatora impulsowego, będącego istotnym komponentem rozważanego układu oraz przedstawiono wyniki analiz komputerowych badanej przetwornicy. Analizy wykonano przy wykorzystaniu różnych modeli transformatora impulsowego, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów. Przedyskutowano zasadność stosowania poszczególnych modeli transformatora oraz oceniono wpływ zastosowanego modelu transformatora na zgodność między wynikami obliczeń i pomiarów. Abstract. In the paper the problem of the modelling characteristics of a half-bridge converter in the SPICE software is considered. Selected models of the impulse-transformer, being the essential component of considered circuit is presented and results of computer analyses of the investigated converter are discussed. Analyses were performed with the use of different models of the impulse-transformer, and obtained results of calculations are compared with results of measurements. The validity of the use of each models of the transformer is discussed and the influence of applied model of the transformer on the agreement between results of calculations and measurements are evaluated. (Modelling characteristics of halfbridge converters). Słowa kluczowe: transformator impulsowy, modelowanie, przetwornica półmostkowa. Keywords: pulse transformers, modelling, half-bridge converters. Wprowadzenie W impulsowych układach zasilających wymagających izolacji galwanicznej między wejściem a wyjściem często wykorzystuje się półmostkowe przetwornice dc-dc [1]. Ważnym elementem takiej przetwornicy jest transformator impulsowy z dzielonym uzwojeniem wtórnym. Przy analizie i projektowaniu układów elektronicznych powszechnie wykorzystuje się symulacje komputerowe, które wymagają modeli komputerowych wszystkich elementów analizowanego układu [2]. Modele te powinny uwzględn[...]

Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego na charakterystyki wybranych elementów elektronicznych DOI:10.15199/48.2019.10.29

Czytaj za darmo! »

W otaczającym nas świecie wykorzystuje się coraz więcej urządzeń elektronicznych, które pracują przy coraz niższych wartościach napięcia zasilającego. W ślad za obniżaniem wartości tego napięcia maleje odporność układów elektronicznych na zakłócenia pochodzące od zewnętrznych pól elektromagnetycznych [1, 2]. Źródłem tych pól mogą być m.in. urządzenia łączności bezprzewodowej lub impulsowe układy zasilające, ale także wyładowania atmosferyczne lub oddziaływania wiatru słonecznego z atmosferą ziemską. Do oceny wpływu zewnętrznych pól elektromagnetycznych na właściwości urządzeń elektronicznych niezbędne są modele elementów elektronicznych dedykowane do programów analizy układowej uwzględniajace te zjawiska. Programem powszechnie stosowanym w analizie układów elektronicznych jest SPICE [3, 4]. Jednak wbudowane w tym programie modele elementów elektronicznych nie uwzględniają wpływu rozważanych pól elektromagnetycznych [5]. W literaturze, np. [6, 7, 8, 9] opisano koncepcję tworzenia tzw. modeli hybrydowych, które umożliwiają uwzględnienie dodatkowych, pomijanych w modelach wbudowanych w programie SPICE, zjawisk fizycznych, istotnych z punktu widzenia konkretnej aplikacji. Przykładowo, w pracach [6 - 11] pokazano sposób uwzględnienia wpływu zjawiska samonagrzewania na charakterystyki wybranych przyrządów półprzewodnikowych. W niniejszej pracy zaproponowano sposób modelowania statycznych i dynamicznych charakterystyk elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Na przykładzie diody przedstawiono postać takiego modelu oraz zaprezentowano i skomentowano wyniki obliczeń wykonanych przy wybranych wartościach parametrów charakteryzujących zewnętrzne pole elektromagnetyczne. Koncepcja modelowania Jak zaznaczono we Wprowadzeniu, do modelowania właściwości przyrządów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu nowych, pomijanych dotychczas zjawisk fizycznych można zastosować, znaną z li[...]

 Strona 1