Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Joanna SZELĄGOWSKA"

Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT DOI:10.15199/48.2018.08.20

Czytaj za darmo! »

Węglik krzemu (SiC) to materiał półprzewodnikowy o szerokiej przerwie energetycznej przydatny do konstrukcji wysokonapięciowych i wysokotemperaturowych elementów półprzewodnikowych, który spełnia wciąż rosnące wymagania dotyczące materiałów półprzewodnikowych stosowanych do produkcji przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy. W porównaniu z krzemem, charakteryzuje się około 2,5-krotnie większą wartością szerokości przerwy energetycznej, dużo mniejszą wartością koncentracji nośników samoistnych w temperaturze pokojowej, ponad 2- krotnie większą wartością przewodności cieplnej oraz 10- krotnie większą wartością krytycznego natężenia pola elektrycznego [5, 7]. Zalety węglika krzemu powodują, że elementy SiC, w porównaniu z elementami krzemowymi, legitymują się również korzystniejszymi wartościami parametrów eksploatacyjnych, np. większą wytrzymałością napięciową, wyższą wartością maksymalnej temperatury wnętrza oraz krótszymi czasami przełączania [6, 7]. Od 2011 r. rynek oferuje innowacyjne przyrządy półprzewodnikowe mocy nazywane w literaturze SJT (ang. Silicon Carbide Junction Transistor) [1]. SJT to wykonane z węglika krzemu tranzystory NPN BJT, o bardzo dużej wartości współczynnika wzmocnienia prądowego, które wymagają niewielkiego prądu sterującego. Charakteryzują się one relatywnie dużymi wartościami dopuszczalnego napięcia wyjściowego i dużymi gęstościami prądu, nawet w wysokiej temperaturze otoczenia, a dodatkowo dobrymi właściwościami dynamicznymi charakteryzowanymi poprzez bardzo krótkie czasy przełączania. Obecnie, wiodącym producentem rozważanych przyrządów jest firma GeneSiC [1, 9, 10, 11]. W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk statycznych i dynamicznych oraz współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora 2N7635-GA, wyprodukowanego przez firmę GeneSiC. Oceniono wpływ temperatury otoczenia i prądu sterującego na wartość współczynnika wzmocnienia prądowego. Przedyskutowano także wpływ temperatury[...]

Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego na charakterystyki wybranych elementów elektronicznych DOI:10.15199/48.2019.10.29

Czytaj za darmo! »

W otaczającym nas świecie wykorzystuje się coraz więcej urządzeń elektronicznych, które pracują przy coraz niższych wartościach napięcia zasilającego. W ślad za obniżaniem wartości tego napięcia maleje odporność układów elektronicznych na zakłócenia pochodzące od zewnętrznych pól elektromagnetycznych [1, 2]. Źródłem tych pól mogą być m.in. urządzenia łączności bezprzewodowej lub impulsowe układy zasilające, ale także wyładowania atmosferyczne lub oddziaływania wiatru słonecznego z atmosferą ziemską. Do oceny wpływu zewnętrznych pól elektromagnetycznych na właściwości urządzeń elektronicznych niezbędne są modele elementów elektronicznych dedykowane do programów analizy układowej uwzględniajace te zjawiska. Programem powszechnie stosowanym w analizie układów elektronicznych jest SPICE [3, 4]. Jednak wbudowane w tym programie modele elementów elektronicznych nie uwzględniają wpływu rozważanych pól elektromagnetycznych [5]. W literaturze, np. [6, 7, 8, 9] opisano koncepcję tworzenia tzw. modeli hybrydowych, które umożliwiają uwzględnienie dodatkowych, pomijanych w modelach wbudowanych w programie SPICE, zjawisk fizycznych, istotnych z punktu widzenia konkretnej aplikacji. Przykładowo, w pracach [6 - 11] pokazano sposób uwzględnienia wpływu zjawiska samonagrzewania na charakterystyki wybranych przyrządów półprzewodnikowych. W niniejszej pracy zaproponowano sposób modelowania statycznych i dynamicznych charakterystyk elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Na przykładzie diody przedstawiono postać takiego modelu oraz zaprezentowano i skomentowano wyniki obliczeń wykonanych przy wybranych wartościach parametrów charakteryzujących zewnętrzne pole elektromagnetyczne. Koncepcja modelowania Jak zaznaczono we Wprowadzeniu, do modelowania właściwości przyrządów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu nowych, pomijanych dotychczas zjawisk fizycznych można zastosować, znaną z li[...]

 Strona 1