Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"Jakub Grochowski"

OBRONA SIECI INFORMACJOCENTRYCZNEJ PRZED ZATRUWANIEM TREŚCI PRZEZ NIEZAUFANYCH WYDAWCÓW Z UŻYCIEM MODELU INFEKCJI W GRAFACH DOI:10.15199/59.2019.7.13


  1. WSTĘP Sieci informacjocentryczne (ang. Information Centric Networking, ICN) są nową i wciąż rozwijaną technologią której celem jest rozwiązanie problemu nowoczesnego Internetu, jakim jest nadmierne zużycie zasobów sieciowych (np. pasma) związane z odległością między serwerami oferującymi w sieci pewne usługi lub treści a użytkownikami nimi zainteresowanymi. Podejściem stosowanym w architekturach ICN jest rozpowszechnianie kopii dostępnych treści do pamięci podręcznych istniejących w sieci urządzeń (węzłów) - dzięki temu prawdopodobnym jest, że użytkownik żądający od sieci udostępnienia pewnej treści (np. pliku) otrzyma ją z repozytorium w pamięci podręcznej pobliskiego węzła bez angażowania centralnych serwerów treści i związanego z tym obciążenia zasobów sieciowych [4][11]. Zatruwanie treści (ang. content poisoning attack, CPA) jest typem ataku, w którym intruz podmienia pewną dostępną treść na tak zwaną treść zatrutą. Zatruta treść posiada takie same metadane jak oryginalna treść poprawna, lecz różni się pod względem zawartości - powodując, że użytkownik otrzymuje treść fałszywą i być może szkodliwą. Sieci ICN są szczególnie narażone na atak przez zatruwanie treści, co wynika z samej jej zasady działania, zakładającej rozpowszechnianie treści do pamięci podręcznych węzłów i co za tym idzie, szybką ich propagację w całej sieci. Propagację zatrutych treści można ograniczyć, a ich szkodliwość dla użytkownika wyeliminować, poprzez umieszczenie w metadanych podpisu cyfrowego wydawcy umożliwiającego weryfikację poprawności treści [4]. Jednakże weryfikacja treści przez węzeł jest rozwiązaniem mało praktycznym z uwagi na duży narzut czasowy i komunikacyjny [7]. Jednocześnie nie zapobiega ona atakom przejęcia prywatnego klucza wydawcy treści przez intruza (atak taki można określić angielskim terminem content poisoning by compromised publisher, (CP)2). Jako że technologia ICN jest ciągle na wczesnym etapie rozwoju, dotychcza[...]

Analiza transmisji optycznej półprzewodnikowych warstw NiO osadzanych metodą magnetronowego rozpylania katodowego


  W ostatnich latach obserwuje się rosnące zainteresowanie przewodzącymi transparentnymi tlenkami półprzewodnikowymi. Materiały te są atrakcyjne z punktu widzenia zastosowań fotowoltaicznych oraz optoelektronicznych [1, 2]. Większość z nich, jak np. SnO2, CdO czy ZnO, to półprzewodniki typu n. Działania zmierzające do opracowania złącza p-n w oparciu o tego typu związki półprzewodnikowe doprowadziły do intensywnego poszukiwania transparentnych półprzewodników wykazujących przewodnictwo typu p. Jednym z nich jest właśnie tlenek niklu (NiO), który w postaci objętościowej i idealnej stechiometrii jest izolatorem [3], jednak w formie cienkich warstw ujawnia półprzewodnikowe właściwości typu p wskutek istnienia wakansji Ni oraz atomów tlenu znajdujących się w pozycjach międzywęzłowych [3]. Kryształ NiO charakteryzuje się kubiczną strukturą krystaliczną oraz prostą przerwą energetyczną o szerokości ok. 3,8 eV [4]. Materiał wykazuje ciekawe właściwości elektryczne [5], termoelektryczne [6], antyferromagnetyczne [7] oraz wysoką odporność chemiczną. Tlenek niklu jest używany do wytwarzania czujników gazów takich jak: amoniak [8], wodór [9] czy tlenek węgla - CO [10]. Znane są również literaturowe doniesienia o zastosowaniu NiO jako warstwy aktywnej diod fotodetekcyjnych promieniowania UV [11], czy też w charakterze materiału elektrod elektrolitycznych kondensatorów [12]. Tlenek niklu wykazuje również właściwości elektrochromowe [13] czyli możliwość odwracalnej zmiany właściwości optycznych (barwy) powodowanej przepływem prądu elektrycznego. Ostatnio rosnące zainteresowanie optycznymi i elektrochromowymi właściwościami tlenku niklu zostało wywołane potencjalnymi możliwościami zastosowania tego materiału do produkcji tzw. "inteligentnych okien" [ang. smart windows], umożliwiających zmianę ilości przepuszczanego światła oraz energii cieplnej pod wpływem chwilowego napięcia elektrycznego. Kolejnym badanym na świecie potencjalnym zastosowa[...]

Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O DOI:10.15199/ELE-2014-122


  W ostatnich latach obserwuje się globalne trendy poszukiwania nowych materiałów dla przemysłu elektronicznego [1]. Tradycyjne materiały, takie jak krzem, nie posiadają wystarczająco dobrych właściwości dla zastosowań między innymi w przezroczystej elektronice [2]. Z drugiej strony, podejście eksperymentalne stosowane do poszukiwania nowych materiałów jest czasochłonne i generuje wysokie koszty. Symulacje komputerowe pozwalają odkrywać właściwości nowych materiałów minimalizując potrzebę prowadzenia prac eksperymentalnych. Dla zastosowań w obszarze elektroniki przezroczystej nowe materiały półprzewodnikowe powinny łączyć wysoką ruchliwość nośników ładunku z wysokim poziomem transmisji optycznej w widzialnym zakresie widma promieniowania elektromagnetycznego. Wymagania te spełniają przezroczyste półprzewodniki tlenkowe o amorficznej mikrostrukturze [3]. Tranzystory cienkowarstwowe (TFT) z kanałem z tych materiałów zyskały zainteresowanie, jako przyrządy sterujące pracą pikseli w płaskich wyświetlaczach [4]. W XXI wieku dostępność i stosunkowo niski koszt mocy obliczeniowej umożliwia zastosowanie komputerowo wspomaganego modelowania materiałów amorficznych o nowej funkcjonalności. W pierwszej części niniejszego opracowania prezentujemy motywację do podjęcia badań w dziedzinie amorficznych półprzewodników tlenkowych, w szczególności nad tlenkiem indowo-galowo-cynkowym (a- IGZO). W dalszej części przedstawiamy przegląd stanu wiedzy w dziedzinie symulacji tranzystorów TFT z kanałem z amorficznego IGZO oraz wyniki naszych badań, w szczególności wyniki obliczeń numerycznych dotyczących wpływu grubości oraz wymiarów geometrycznych kanału, i grubości dielektryka na właściwości elektryczne TFT. Zaprezentujemy ponadto wyniki ekstrakcji krzywej gęstości stanów (DOS) w funkcji energii w kanale tranzystora. Motywacja Zasadniczą motywacją do badań nad amorficznymi półprzewodnikami tlenkowymi jest przekonanie o nieustannie rosnącym znacze[...]

Przezroczysty amorficzny półprzewodnik tlenkowy Zn-Ir-Si-O DOI:10.15199/ELE-2014-125


  W ostatnich latach obserwuje się gwałtowny rozwój elektroniki przezroczystej. Dziedzina ta jest ukierunkowana na projektowanie i wytwarzanie materiałów oraz przyrządów półprzewodnikowych wykorzystujących materiały łączące wysoki poziom przezroczystości z możliwością kontroli ich przewodnictwa [4]. Jednym z najistotniejszych aktywnych elementów urządzeń elektronicznych jest złącze p-n. W dziedzinie elektroniki przezroczystej, najlepiej poznane i wykorzystywane są materiały półprzewodnikowe o przewodnictwie elektronowym takie jak ZnO [5], SnO2 [6] czy amorficzny tlenek indowo-galowo-cynkowy In-Ga-Zn-O [7]. Jednym z najpoważniejszych wyzwań tej dziedziny jest opracowanie materiałów o przewodnictwie typu p oraz relatywnie wysokiej ruchliwości swobodnych dziur i możliwości kontrolowania ich koncentracji [8]. Osobliwymi i obiecującymi w kontekście badań nad półprzewodnikami tlenkowymi o przewodnictwie dziurowym są tlenki o strukturze spineli AB2O4, a w szczególności ZnB2O4, gdzie B = Co, Rh lub Ir. Materiały te ujawniają właściwości przewodnictwa typu p oraz charakteryzują się przerwą energetyczną o szerokości od ~2 eV [1, 2] do ~3 eV [3]. Synteza monokrystalicznych materiałów o strukturze spineli wymaga stosowania temperatur powyżej 1000°C. Niedawne doniesienia literaturowe informują o możliwości osadzania cienkich warstw amorficznych technikami ablacji laserowej oraz magnetronowego rozpylania katodowego [2, 3]. Tlenki o strukturze spinelu cechuje koncentracja dziur 1020 cm-3. Jednym z istotnych wyzwań tej technologii jest obniżenie koncentracji swobodnych nośników do poziomu umożliwiającego wykorzystanie tych materiałów w roli warstw aktywnych przyrządów półprzewodnikowych. Koncentrując badania nad sposobem ograniczenia koncentracji dziur w ZnIr2O4, który cechuje największa szerokość przerwy energetycznej, proponujemy wprowadzenie w s[...]

Diody Schottky‘ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O DOI:10.15199/ELE-2014-123


  Przezroczyste amorficzne półprzewodniki tlenkowe (ang. Transparent amorphous oxide semiconductors, TAOS), w tym tlenek indowo-galowo-cynkowych (a-IGZO), to materiały szerokoprzerwowe łączące cechy wysokiej transmisji optycznej z kontrolowanym przewodnictwem elektrycznym [1, 2]. Grupa przezroczystych amorficznych półprzewodników tlenkowych budzi uzasadnione zainteresowanie badawcze oferując szeroki wachlarz potencjalnych zastosowań - od przezroczystych przyrządów półprzewodnikowych i układów elektronicznych do całej gamy sensorów biomedycznych i optoelektronicznych, wytwarzanych zarówno na sztywnych jak i giętkich podłożach [3, 4]. Jednym z głównych wyzwań tej technologii jest wytworzenie niezawodnych kontaktów Schottky’ego, które umożliwiłyby rozwój przezroczystych cienkowarstwowych tranzystorów polowych ze złączem metal-półprzewodnik (ang. Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, MESFET). Niezawodne, przezroczyste kontakty Schottky’ego do przezroczystych półprzewodników tlenkowych powinny być wysokoprzewodzące, odporne na utlenianie oraz cechować się wysoką transmisją optyczną. Podczas osadzania metalizacji na powierzchnię TAOS, ze względu na powinowactwo chemiczne do tlenu, dochodzi do dyfuzji atomów O z półprzewodnika do obszaru przypowierzchniowego. Powoduje to powstanie zlokalizowanych stanów pułapkowych na interfejsie metal-półprzewodnik. W efekcie dochodzi do zwężenia obszaru zubożonego, zwiększając prawdopodobieństwo tunelowania nośników przez barierę potencjału [5, 6]. W celu przywrócenia stechiometrii obszaru przypowierzchniowego stosuje się dodatkowe procesy technologiczne, takie jak obróbka plazmą tlenową oraz wygrzewanie w atmosferze utleniającej przed osadzeniem metalizacji. Alternatywne podejście zakłada wykorzystanie, w roli bariery Schottky’ego, tlenków metali, których skład atomowy jest skuteczny w zapobieganiu dyfuzji tlenu w obszarze złącza [7-9]. W dotychczasowych pracach dotyczącyc[...]

 Strona 1