Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Jacek Podgórski"

APPLIED ELECTRONICS - PROGRAM WSPÓLNYCH STUDIÓW II STOPNIA POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ I UNIVERSITY OF NAPLES FEDERICO II DOI:10.15199/13.2019.8.3


  Od wielu lat, internacjonalizacja studiów wyższych jest jednym z szybko rozwijających się elementów podnoszenia ich jakości oraz zwiększania różnorodności programów studiów oferowanych pojedynczemu studentowi. Ogromną rolę odgrywają tu programy wymiany studenckiej organizowane w ramach Unii Europejskiej. W historii rozwoju mobilności w ramach UE, było ich kilka, które obecnie ujęte są przez jedną wspólną agencję Erasmus-plus. Gwarantowały one studentom pochodzącym z krajów UE zwolnienie z wszelkich lokalnych opłat w uczelniach goszczących oraz wspierały finansowo mobilność studentów poprzez granty mające wyrównać uczestnikom wymiany różnicę w kosztach utrzymania poza uczelnią macierzystą. Pierwszy taki program, Socrates, dotyczył mobilności pojedynczych studentów, a jego celem była dywersyfikacja programów studiów pojedynczych studentów poprzez zastąpienie w realizowanym przez nich programie zajęć jednego lub dwóch semestrów zajęciami oferowanymi w uczelni zagranicznej. Proponowana zmiana musiała uzyskać aprobatę uczelni macierzystej, a student uzyskiwał dyplom jedynie tej uczelni. Była to więc praktyka znana w polskich uczelniach jako tzw. indywidualny tok studiów (ITS), tyle, że realizowana w skali międzynarodowej. Bardziej zaawansowanym programem był program Erasmus- Mundus, który zakładał instytucjonalną współpracę pomiędzy grupą minimum trzech uczelni z trzech krajów UE. Tworzyły one konsorcjum oferujące wspólnie opracowany pro[...]

Nowa struktura tranzystora unipolarnego mocy SVMOS

Czytaj za darmo! »

Tranzystory MOS z kanałem wzbogaconym to podstawowe struktury unipolarne używane głównie w zintegrowanych i dyskretnych przyrządach półprzewodnikowych. Przyrząd taki zawiera dwa złącza p-n utworzone przez dwie wyspy rozdzielone lub zachodzące na siebie w zależności od typu struktury: odpowiednio VDMOS lub LDMOS. Ciągły rozwój struktur MOS jest spowodowany przez zmniejszanie zarówno długości kanału określonej przez odległość między wyspami, jak i samych wysp. Powoduje to powstanie wielu problemów technologicznych, które mogą się przyczynić do wzrostu kosztów samego procesu, jak i zmniejszenia końcowego uzysku. Wspomniane problemy mogą zostać zredukowane, jeśli wyspy źródła i dren przestaną być traktowane jako nieodłączne części struktury MOS. Rozważając strukturę N-MOS można s[...]

 Strona 1