Wyniki 1-10 spośród 15 dla zapytania: authorDesc:"Marek Suproniuk"

Szacowanie składowych sygnału z przepływomierza elektromagnetycznego

Czytaj za darmo! »

Prezentowany artykuł przedstawia fragment wyników badań dotyczących szacowania składowych sygnału z przepływomierza elektromagnetycznego do kanałów otwartych. Autorzy przedstawiają różne sposoby podejścia do obliczenia pochodnej dla sygnału prądu płynącego w cewce. Przedstawiona metodyka została zweryfikowana doświadczalnie z wykorzystaniem sygnałów syntetycznych i rzeczywistych. Abstract. The [...]

Błąd adekwatności modelu obrazowania struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych badanej metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej.

Czytaj za darmo! »

Celem pracy jest określenie wpływu błędu adekwatności modelu metody korelacyjnej na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Stwierdzono, że nieadekwatność modelu metody korelacyjnej powoduje przesunięcie wykresu Arrheniusa w kierunku niższych temperatur w odniesieniu do wykresu otrzymanego metodą odwrotnego przekształcenia Laplace’a. Do pokazania tego wpływu wykorzystano rejestracje relaksacji fotoprądu charakterystyczne dla centrum A (kompleksu luka-tlen) występującego w próbkach FZ Si:Sn napromieniowanych neutronami. Abstract. The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy (PITS), on the values of activation energy and capture cross-section obtained from the Arrhenius plot is discussed. It is shown that due to model inadequacy, there is a shift towards lower temperatures of the Arrhenius plot obtained from correlation method in comparison with that obtained from inverse Laplace transformation. The effect is exemplified by the Arrhenius plots calculated by both methods using photocurrent transients for the centre A (vacancy-oxygen complex) in neutron irradiated silicon doped with tin. (The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy) Słowa kluczowe: adekwatność modelu, niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa, centra defektowe, półprzewodniki wysokorezystywne. Keywords: model adequacy, PITS, defect center, semi - insulating materials. Wstęp - metoda niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej Najczęściej stosowaną metodą badania struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych jest niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa (PITS). Metoda ta wykorzystuje zjawisko wychwytu i termicznej emisji nośników ładunku z głębokich centrów defektowych, przy czym proces zapełniania poziomów defektowych odb[...]

System pomiarowy parametrów środowiskowych z przeznaczeniem do prognozowania w budynkach inteligentnych

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiona została metoda pozyskiwania informacji przez specjalistyczny system pomiarowy zbudowany w oparciu o magistralę KNX/EIB i dedykowane urządzenia pomiarowe. Opisano funkcje poszczególnych układów i sposoby ich realizacji. Przedstawiono klasyfikację szeregów czasowych obrazujących wyniki pomiarów i jej wpływ na dokładność prognozowania. Zaproponowano metodę przetwarzania informacji pomiarowych dla potrzeb prognozowania kolejnych wartości szeregów czasowych. Abstract. The paper presents a method of obtaining information through a specialized measurement system built on KNX/EIB and dedicated test equipment. Describes the functions of the various systems and methods for their implementation. The classification of time series showing the results of measurement and its impact on the accuracy of forecasting. Proposed a method of measuring information processing for the subsequent prediction of time series. (Environmental performance measurement system designed for forecasting in intelligent buildings) Słowa kluczowe: inteligentny budynek, prognozowanie, wygładzanie szeregu czasowego, Keywords: inteligent building, forecasting, smoothing time series, system KNX. Wstęp Pomiary parametrów środowiskowych budynku i jego otoczenia, są niezbędnym składnikiem każdego systemu sterowania automatyką w inteligentnych budynkach. Na ich podstawie możliwe jest realizowanie algorytmów sterowania temperaturą, natężeniem oświetlenia wewnątrz budynku, wentylacją, klimatyzacją i innymi parametrami. Pomiary te są również bardzo istotne przy optymalizacji zużycia energii w budynku i przez jego użytkowników. Na podstawie danych pomiarowych, system sterowania jest w stanie optymalnie, w sensie zdefiniowanego kryterium, zarządzać zasobami budynku poprzez odpowiedni dobór parametrów. W wielu przypadkach, systemy sterowania mogą korzystać nie tylko z bezpośrednich wartości pomiarowych, ale również z danych obliczonych na podstawie systemów pre[...]

Aparaturowe ograniczenia pomiaru kinetyki pojemności w metodzie DLTS DOI:10.12915/pe.2014.08.049

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS stosowaną do badania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych niskorezystywnych. Wskazano ograniczenia procesu pomiaru niestacjonarnych przebiegów pojemności próbki przy zastosowaniu w systemie pomiarowym typowych, fabrycznych mierników pojemności na przykładzie miernika Boonton 7200. Zaproponowano dodatkową głowicę do miernika umożliwiającą wykonanie pomiarów w szerokim zakresie czasów pobudzeń próbki, do zakresu submikrosekundowego włącznie. Przedstawiono procedurę korekcji nieliniowości wprowadzanych przez ten układ. Abstract. This article presents deep level transient spectroscopy (DLTS) applied as a tool of investigation of low resistive semiconductor materials. In this contribution we focus on limitations of measurement of capacitance kinetics performed by means of ready-made meters. In our case Boonton 7200 capacitance meter was used. Additional unit placed at the meter’s input was designed. The unit allows to extend range of duration of excitant pulses. Measurements with pulses shorter than microsecond and longer than minutes were possible. A procedure of correction of nonlinearity introduced by additional unit was described. (Apparatus limitations of measuring capacitance kinetics in DLTS method) Słowa kluczowe: niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa, DLTS, centra defektowe, pomiary pojemności. Keywords: deep-level transient spectroscopy, DLTS, defect center, capacitance measurements. doi:10.12915/pe.2014.08.49 Wstęp - metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS Najczęściej stosowaną metodą badania struktury defektowej półprzewodników niskorezystywnych jest niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa (DLTS) [1]. W metodzie tej próbka materiału półprzewodnikowego ma postać złącza MS (ang. Metal-Semiconductor), w którym obsadzenie poziomów defektowych w strefie zubożonej określa jego pojemność. Metoda DLTS wykorzystuj[...]

Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN DOI:10.15199/48.2017.10.21

Czytaj za darmo! »

Obecnie technologia półprzewodnikowa oparta jest o krzem (Si) jednak dalszy rozwój zaczyna być ograniczany przez właściwosći materiałowe. Wymusza to poszukiwanie nowych materiałów półprzewodnikowych które pozwolą na konstruowanie doskonalszych elementów. Materiałami takimi są azotek galu GaN i węglik krzemu SiC. Wykorzystując je do budowy przekształtników energoelektronicznych uzyskujemy większą sprawność i mniejsze wymiary układu. Niewątpliwą zaleta tych łączników jest mały ładunek bramki, który musimy przeładować chcąc włączyć lub wyłączyć tranzystor. W efekcie możliwe są krótsze czasy przełączeń, a więc mniejsze straty łączeniowe i większe częstotliwości łączeń. Z punktu widzenia energoelektroniki najistotniejszymi parametrami nowych tranzystorów są: mniejsza rezystancja przewodzenia i większe częstotliwości łączeń, co pozwala na redukcje wymiarów całego przekształtnika. Układy oparte o te technologie pozwalają uzyskać sprawności przekraczające 95%. Zestawienie najważniejszych parametrów charakteryzujących materiały półprzewodnikowe przedstawiono w tabeli 1. Podstawowymi parametrami wyróżniającymi azotek galu oraz węglik krzemu od pozostałych jest przerwa energetyczna WG i pole krytyczne EB. Wartość przerwy energetycznej dla azotku galu to 3,40eV, dla węgliku krzemu 3,25eV. Szersza przerwa energetyczna powoduje że elementy półprzewodnikowe posiadają mniejszy wewnętrzny prąd upływu i dopuszczalne wyższe temperatury pracy. Pole krytyczne EB wynosi odpowiednio 3,5MV/cm dla GaN i 3,0MV/cm dla SiC. Pozwala to konstruować elementy o mniejszych rozmiarach na większe napięcia przebicia, a więc także o mniejszej rezystancji otwartego kanału. Tranzystory z azotku galu początkowo znajdowały zastosowanie głównie w technologii mikrofal, dlatego większość dostępnych rozwiązań to tranzystory normalnie otwarte. Lepsze parametry w stosunku do tranzystorów krzemowych zachęcają do zastosowania elementów z azotku galu w energoelektronic[...]

STANOWISKO PREZENTACYJNE AUTOMATYKI BUDYNKOWEJ W SYSTEMIE KNX DOI:10.15199/13.2019.3.2


  Automatyzacja w dzisiejszych czasach przyjmuje coraz szerszą skalę. Zarówno w pracy, jak i codziennym życiu coraz częściej spotykamy się z urządzeniami, które zastępują wykonywane przez nas czynności, bądź nam je w znacznym stopniu ułatwiają. Jednym z rodzajów automatyzacji są systemy automatyki budynkowej, czyli skomputeryzowane sieci urządzeń, służące do sterowania, zarządzania oraz monitorowania znajdujących się w budynku instalacji. Obiekty wyposażone w taką instalację, zwaną "inteligentną", określane są mianem "inteligentny budynek". Systemy automatyki budynkowej pozwalają między innymi na sterowanie oświetleniem, roletami, ogrzewaniem, wentylacją, klimatyzacją. Dzięki automatyzacji wyżej wymienionych instalacji, zyskujemy nie tylko komfort w codziennym funkcjonowaniu, ale również możliwość zwiększenia wydajności energetycznej budynku. Rozwój technologii, spadek cen urządzeń elektronicznych oraz rosnące zainteresowanie inteligentnymi instalacjami przyczyniło się do powstania wielu systemów automatyki budynkowej. Jednym z nich, będącym na rynku od wielu lat jest system KNX. Niniejszy artykuł ma na celu przybliżyć działanie tego systemu, oraz zaprezentować niektóre z jego możliwości na wykonanym stanowisku prezentacyjnym. Inteligentny budynek, jest to obiekt mieszkalny/biurowy/ przemysłowy, posiadający zintegrowany system zarządzania, który wiąże ze sobą niezależne instalacje oraz urządzenia. Dzięki temu każdy system posiada informacje o zmianie stanu innego, co umożliwia sterowanie oraz monitorowanie wszelkich zdarzeń zachodzących miedzy nimi. Takie rozwiązanie usprawnia funkcjonowanie budynku, zwiększa bezpieczeństwo, wpływa na oszczędność energii, ekologie, a przede wszystkim zwiększa komfort użytkowników. Instalacja może być sterowana z dowolnego miejsca w budynku, za pomocą np. znajdującego się na ścianie tabletu, czy nawet ze smartfona, który zawsze mamy przy sobie. Poprzez aplikacje, łącząc się z indywidualną si[...]

Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS

Czytaj za darmo! »

Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach zaobserwowanych centrów defektowych. Abstract. An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers parameters and a simulation procedure for calculation their concentration. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure[...]

Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących

Czytaj za darmo! »

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opartej na odwrotnej transformacie Laplace’a i metodach inteligencji obliczeniowej. W celu określenia przypuszczalnej konfiguracji atomowej wykrytych centrów wyznaczone parametry porównano z danymi zawartymi w bazie wiedzy systemu, gdzie gromadzone są w sposób zorganizowany informacje o zaobserwowanych defektach wprowadzone na podstawie danych z pomiarów własnych i opublikowanych w dostępnej literaturze. Abstract. An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defect centres from the two-dimensional spectra in the domain of temperature and emission rate. The spectral analysis is carried out the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. For identification of each defect centre, the obtained parameters are compared with the data in the knowledge base, where the defect properties reported in the available publications are stored and catalogued. (An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials) Słowa kluczowe: inteligentny system pomiarowy, baza wiedzy, niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa, centra defektowe, materiały półizolujące. Keywords: intelligent measurement system, knowledge base, PITS, defect center, semi - insulating materials. Wstęp - inteligentne systemy elektryczne Inteligentne systemy elektryczne, o różnym stopniu komplikacji i zaawansowania technicznego, tworzone są obecnie w wielu dziedzinach nauki i tec[...]

Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs

Czytaj za darmo! »

Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs. Abstract. Energy development largely depends on the properties of semiconductor materials, which are used for fabrication of power converters system components. Used so far silicon-based components are now being replaced by elements of made of gallium arsenide. The parameters of the new type of devices, however, are strongly dependent on the properties and concentrations of lattice point defects in this material. The photoinduced transient spectroscopy is a powerful method for studying defect centers in semi-insulating (SI) GaAs. A model is proposed and the analysis of the effect of the electron-hole pairs generation rate on the rise of the excess charge carriers concentrations in semi-insulating GaAs for the assumed properties and concentrations of defect centers has been performed. ( Transient photoconductivity of semi - insulating GaAs). Słowa kluczowe: kinetyka fotoprzewodnictwa, materiały półprzewodnikowe. Keywords: photocurrent kinetic, semiconductor materials. Wstęp W ostatnich latach prowadzone są intensywne badania mające na celu uzyskanie materiałów półprzewodnikowych o nowych właściwościach umożliwiających wytwarzanie przyrządów dla nowych rozwiązań układowych w energoelektronice. No[...]

Diagnostyka inteligentnych instalacji elektrycznych w systemie KNX

Czytaj za darmo! »

Autorzy w artykule prezentują metody diagnostyki sygnałów sterujących automatyką budynkową w systemie KNX. Za pomocą telegramów można stwierdzić jaki rodzaj komunikatu jest wysyłany i za realizację jakiej funkcji odpowiada. Dokonując analizy telegramów w systemie istnieje możliwość zlokalizowania awarii lub nieprawidłowości działania instalacji. Abstract. Diagnostic methods of control signals for building automation KNX is presented. The telegrams sent in the system are responsible for the functions performed. Analyzing telegrams is the ability to locate failures or system malfunctions. (Diagnosis of intelligent electrical installation in KNX system). Słowa kluczowe: system KNX, diagnostyka inteligentnych instalacji elektrycznych. Keywords: system KNX, diagnosis of intelligent electrical installations. Wstęp Systemy automatyki są obecne w praktycznie we wszystkich dziedzinach życia, przemysłu czy nauki [3, 6]. Szybko rozwijają się również systemy automatyki budynkowej, których głównym zadaniem jest integracja, kontrola, monitoring i optymalizacja różnych funkcji w budynku. Na rynku istnieje wiele systemów automatyki budynkowej (inteligentnych instalacji elektrycznych) mających różne zastosowania, począwszy od prostego sterowania temperaturą, oświetleniem czy roletami a skończywszy na skomplikowanym zarządzaniem kilkoma systemami w wielopiętrowych budynkach. Do najpopularniejszych systemów występujących na rynku polskim zaliczyć można: KNX, LonWorks, X - Comfort, LCN. Założeniem poprawnej pracy każdego systemu lub urządzenia znajdującego się systemie jest poprawne działanie oraz realizacja wszystkich funkcji zagwarantowanych przez producenta lub projektanta. Zasada ta dotyczy również systemów KNX. Ze względu na implementowanie systemów KNX w budynkach mieszkalnych, biurach, obiektach użyteczności publicznej, urządzenia wykorzystywane w celu realizacji zadeklarowanych funkcji, muszą charakteryzować się bezpieczeństwem użytkowa[...]

 Strona 1  Następna strona »