Analiza wpływu parametrów MOS kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora
dr hab. inż. LIDIA ŁUKASIAK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Kanał SiGe stosuje się w p-kanałowych tranzystorach MOS, aby zwi[...]
Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBTz bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000
W dobie obecnie obserwowanego szybkiego rozwoju mikroelektroniki ogromną popularność zdobyły symulacyjne techniki projektowania przyrządów półprzewodnikowych, oparte na numerycznych metodach rozwiązyw[...]
Półprzewodniki a techniki i technologie informacyjne
Zasoby informacyjne świata podwajają się obecnie co rok (rys. 1), a jeżeli aktualna tendencja wzrostu utrzyma się do roku 2020, będą one podwajać się co dwa tygodnie. Nie jest zamiarem autorów rozważa[...]
Krzemogerman (SiGe) w mikroelektronice
Dominacja krzemu w mikroelektronice wynika m.in. z czynników ekonomicznych. Krzem obficie występuje na Ziemi, toteż jest znacznie tańszy niż inne półprzewodniki. Ceny płytek półprzewodnikowych wykonan[...]
Sterownik do wieloetapowych procesów technologicznych
We współczesnym przemyśle półprzewodnikowym liczba oraz złożoność procesów technologicznych, które trzeba wykonać w cyklu wytwarzania produktów, jest tak duża, że automatyzacja wydaje się być jedynym [...]
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
W 1970 r. na Wydziale Elektroniki PW utworzono 6 instytutów, w tym Instytut Technologii Elektronowej (od 1987 r. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki). Instytut powstał w wyniku połączenia trze[...]