Wyniki 1-10 spośród 14 dla zapytania: authorDesc:"Piotr KOWALIK"

Thermoelectric force in Ni-P resistive layers

Czytaj za darmo! »

Thermo-electric force is a phenomenon known for a long time. The first attempt of industrial use of the thermo-electric effect took place in the 60’ s of the previous century. The main application of thermoelectric effect are: ● thermoelectric generators, ● thermoelectric cooling modules. Apart from using the thermoelectric force in the mentioned devices, it can be also th[...]

Wykorzystanie sterowników programowalnych PLC do budowy elektronicznych systemów alarmowych

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono koncepcję budowy elektronicznego systemu alarmowego z wykorzystaniem sterownika programowalnego PLC. Do badań został użyty panel Easy MFD firmy Moeller. Pełni on w systemie rolę centrali decyzyjnej zarządzającej pracą alarmu. Celem badań było sprawdzenie przydatności sterownika programowalnego PLC w budownictwie ogólnym przy sterowaniu pracą systemu alarmowego, używanego p[...]

Impulsowa stabilizacja warstw rezystywnych Ni-P

Czytaj za darmo! »

Technologia bezprądowej metalizacji jest aktualnie stosowana do wytwarzania warstw rezystywnych [1] przy czym w ostatnich latach opracowano technologię pozwalająca na otrzymanie rezystorów warstwowych precyzyjnych [2] charakteryzujących się temperaturowym współczynnikiem rezystancji poniżej 25 ppm/K. Istotą opracowanej technologii jest minimalizacja tempa procesu chemicznej metalizacji, co [...]

Model matematyczny wiążący parametry elektrofizyczne warstw rezystywnych Ni-P z parametrami procesu bezprądowej metalizacji

Czytaj za darmo! »

Proces chemicznej redukcji prowadzący do wytwarzania wysokojakościowych warstw rezystywnych Ni-P prowadzony jest w silnie kwaśnej kąpieli technologicznej (pH = 1,5…2,0) na uczulonej i aktywowanej powierzchni ceramicznej, przy czym podstawowymi substratami kąpieli technologicznej są chlorek niklawy oraz podfosforyn sodowy, będący reduktorem w tym procesie [1]. Proces ten prowadzi się zw[...]

Wytwarzanie warstw rezystywnych typu Ni-Cu-P

Czytaj za darmo! »

Technologia wytwarzania warstw amorficznych typu metaliczne szkło metodą chemicznej redukcji jest znana od lat czterdziestych ubiegłego stulecia [1], przy czym warstwy te osadzane są na poddanym procesom uczulania i aktywacji, podłożach niemetalicznych w szczególności na ceramice glinokrzemianowej. W latach 1960-1970 procers ten znalazł zastosowanie w firmie Welvyn do wytwarzania rezystorów warstwowych stałych na podstawie patentu Edge’a [2], w procesie tym wykorzystywano początkowo stopy Ni-P zaś w latach osiemdziesiątych i dziewięćdziesiątych ubiegłego stulecia także stopy Ni-Co-P[3] oraz Ni-W-P[4]. Dodatek miedzi do stopu niklowo-fosforowego jest znany [5], lecz technologia wytwarzania stopu Ni-Cu-P mogącego znaleźć zastosowanie w elektronice jest obwarowana licznymi [...]

Wytwarzanie stabilnych warstw rezystywnych metodą bezprądowej metalizacji

Czytaj za darmo! »

W niniejszym artykule opisano zmodyfikowany sposób wytwarzania warstw rezystywnych Ni-P metodą chemicznej redukcji zachodzący w kąpieli wodnej prowadzący do otrzymania warstw rezystywnych o rezystancji powierzchniowej 0,510,0 charakteryzujących się minimalnym temperaturowym współczynnikiem rezystancji oraz minimalnymi zmianami rezystancji w próbie na stabilność. W artykule opisano szczegółowo zmiany rezystancji w funkcji temperatury oraz zmiany rezystancji w funkcji czasu dla prób określających stabilność długoczasową warstw rezystywnych. Abstract. In this paper is presented modified technology of preparation of Ni-P resistive layers. These layers are characterised by square resistance 0,5 - 10, minimised TCR and best stability. In this paper are described change of resistance with changes of temperature. (Technology of preparation of Ni-P resistive layers) Słowa kluczowe: TWR, metalizacja chemiczna, warstwy rezystywne, trwałość elektryczna Keywords: TCR, chemical metallisation, resistive layers, electrical durability Wprowadzenie i cel pracy Stopy amorficzne zawierające jako metal nikiel kobalt miedź lub metale przejściowe takie jak wolfram czy molibden oraz dodatki półprzewodnikowe takie jak fosfor czy bor są tworzywami szeroko stosowanymi w elektronice[1,2] do wytwarzania rezystorów warstwowych stałych[3] warstw magnetycznych[4] a także jako kompozyty stosowane w przemyśle maszynowym w lotnictwie czy nawet astronautyce[5]. Najszersze zastosowanie tych warstw sprowadza się do wytwarzania wysokojakościowych warstw rezystywnych służących jak półprodukt do wytwarzania rezystorów warstwowych precyzyjnych[6,7]. Wytworzone na tej drodze rezystory charakteryzują się:  temperaturowym współczynnikiem rezystancji (mierzonym zarówno w przedziale 218÷293K jak i przedziale 293÷398K) niskim TWR nie przekraczającym 25ppm/K  stabilnością długoczasową (mierzoną po 1000 godzinach przebywania w temperatur[...]

Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P


  Wytwarzanie rezystorów warstwowych stałych w procesie bezprądowej metalizacji prowadzonej na uczulonym i aktywowanym podłożu niemetalicznym jest znane od lat siedemdziesiątych ubiegłego stulecia [1]. W pierwszym patencie opisującym ten proces [1] omówiono sposób wytwarzania dwuskładnikowych warstw rezystywnych typu Ni-P charakteryzujących się rezystancją rzędu 1…1000 Ω przy temperaturowym współczynniku rezystancji mieszczącym się w granicach 50…150 ppm/K. W szeregu opisanych dalszych rozwiązań patentowych [2-5] opisano technologie pozwalające na zmniejszenie TWR stopu rezystywnego Ni-P do poziomu 25…50 ppm/K co było istotną poprawą parametrów produktu finalnego. Obniżenie TWR stopu jest możliwe w wyniku zwiększenia amorfizacji stopu rezystywnego co jest bezpośrednio związane z koncentracją fosforu w stopie [6]. Wzrost koncentracji fosforu z poziomu 7% wagowych do 12% powoduje zmianę struktury z "nanokrystaliczej" na amorficzną co daje możliwość obniżenia temperaturowego współczynnika rezystancji do wartości rzędu 5 ppm/K. Istotnym i nie do końca rozwiązanym problemem jest wytwarzania warstw rezystywnych o rezystancji poniżej 0,5 Ω charakteryzujących się minimalnym TWR mierzonym w zakresie temperatur 293…398K. Obniżenie wartości rezystancji końcowej jest związane ze stałym wzrostem TWR stopu rezystywnego. Wzrost TWR jest spowodowany kilkoma czynnikami wśród których niebagatelną rolę odgrywają rozpraszania na krawędziach warstwy rezystywnej minimalizowane w miarę obniżenia rezystancji czyli wzrostu grubości warstwy[...]

Influence of kinetics parameter of electroless nickel plating in order to optimalisation electrical parameters of Ni-P resistive layers


  In the last several years the Ni-P resistive layers are one of the most popular layers in technology of high precision resistors [1]. In the preparation the Ni-P resistive films are produced by a chemical reaction involving nickel salts are reducing agent e.g. hypophosphite salts. The reactions taking place during the electroless nickel plating have been investigated for example by Brenner [2] Serota [3] and Pearlstein [4]. Electroless nickel plating is heterogeneous reaction in a solidsolid system and the plated metallic surface is a catalyst [5]. It is generally know, that the electrical parameters like resistance and TCR of the resistive layers depend on the technological paramethers such an acidity of technological solution, temperature and concentration of substrates [3]. This problem has a great significance for production of precision film fixed resistors by the chemical deposition method [6-8]. Currently using this method allows to produce Ni-P resistive layers having sheet resistance range of 0.5…100 Ω/□ together with TCR values in the range ±25 ppm/K [9]. In the recent years the studies are mainly focuse on kinetics of the phase trancition: amorphous-cristalline [10]. The low-P (about 6% weight) Ni-P resistive layer transform in the process of thermal stabilization to stable phase Ni3P, but the rich-P (about 10% weight) Ni-P transform to metastable phase Ni5P2 first, and than to the stable Ni3P [11]. The rich P Ni-P layer are characterised by the higher crystallization temperature because Ni3P crystals are forming at two stages [11]. The changes amorphous phase to crystalline started at the temperature range from 673K (6% P weight) to 723K (10% P weight). There is no any correlation between the chemical concentration of Ni-P alloy and basic technological param[...]

Selektywna metalizacja krzemowego ogniwa fotowoltaicznego

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono nowatorski sposób selektywnej metalizacji powierzchni krzemowych na strukturze ogniwa fotowoltaicznego. Przedstawiona technologia umożliwia wytworzenie metalizacji o dowolnie wybranym kształcie na powierzchni ogniwa. Technologia jest prowadzona w temperaturze pokojowej oraz może być w prosty sposób aplikowana do produkcji seryjnej. Abstract. This paper presents a novel method for selectively plating on the surface of silicon solar cell structure. The presented technology allows production of metallization of any given shape on the surface of cells. The technology is carried out at room temperature and can be easily applied to mass production. (Selective metallization of silicon solar cell). Słowa kluczowe: selektywna chemiczna metalizacja, krzemowe ogniwa fotowoltaiczne. Keywords: selective chemical metallization, silicon solar cell. Wstęp Metoda chemicznej metalizacji aktywowanego podłoża elektroizolacyjnego bądź półprzewodnikowego znajduje zastosowanie nie tylko w procesie wytwarzania rezystorów warstwowych stałych, lecz także przy otrzymywaniu warstw kontaktowych charakteryzujących się wysoką konduktywnością  rezystancją powierzchniową rzędu 0,1 /􀀀[...]

Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method DOI:10.15199/48.2015.09.27

Czytaj za darmo! »

The paper describes a new method of obtaining of Ni-W-P resistor layers, featuring elevated electrical stability. Such layers may be introduced into the manufacturing process of precise metal film resistor. Streszczenie. Artykuł opisuje nową metodę uzyskiwania warstw rezystywnych Ni-W-P, charakteryzujących się podwyższoną stabilnością elektryczną. Warstwy te mogą być wykorzystane do procesu wytwarzania precyzyjnych rezystorów warstwowych. (Rezystywne warstwy Ni-W-P wytwarzane metodą chemicznej metalizacji). Keywords: resistive layers, Ni-P, Ni-W-P, precision resistors, chemical metallization. Słowa kluczowe: warstwy rezystywne, Ni-P, Ni-W-P, rezystory precyzyjne, chemiczna metalizacja. Introduction The fixed metal resistors with the temperature coefficient of resistance (TCR) lower than 50 ppm/K are actually manufactured in two competitive ways i.e. vacuum magnetron sputtering and chemical metallization. Both method have their specific features. The advantages of the chemical method are low production cost and inexpensive equipment, but the metal film quality is not constant within the whole manufactured resistance range.[1-3[...]

 Strona 1  Następna strona »