Wyniki 1-10 spośród 12 dla zapytania: authorDesc:"A. Szyszka"

Ocena opakowań gotowych na półkę (SRP - Shelf Ready Packaging) stosowanych do prezentacji czekolad

Czytaj za darmo! »

Opakowanie gotowe na półkę jest opakowaniem, które łatwo zidentyfikować, łatwo otworzyć, które można z łatwością umieścić na półce i łatwo usunąć. Umożliwia ono optymalizację uzupełniania półek i zwiększa widoczność towarów. W prezentowanym artykule przedstawiona została ocena funkcji ochronnej, marketingowej, informacyjnej, ekologicznej i użytkowej opakowań gotowych na półkę, stosowanych do prezentacji czekolad. Oceniane opakowania prezentują bardzo zróżnicowany poziom realizacji wybranych funkcji. Najwyżej oceniona została funkcja ochronna. Opakowania uzyskiwały dobre noty za realizację funkcji marketingowej, informacyjnej, użytkowej. Realizacja funkcji ekologicznej jest niezadowalająca.Opakowania gotowe na półkę (SRP - Shelf Ready Packaging), będące nową formą opakowań zbior[...]

Regeneracja części maszyn i urządzeń w BOT KWB Bełchatów S.A w zakładzie produkcyjno remontowym

Czytaj za darmo! »

Zakład Produkcyjno-Remontowy funkcjonuje jako oddział BOT KWB Bełchatów S.A. w Rogowcu. Powstał 1 stycznia 1991 r., w wyniku rozbudowy działających już wcześniej (od marca 1980 r.) Warsztatów Naprawczych. W skład ZPR wchodzą wydziały produkcyjne: - mechaniczny, - elektryczny, - remontów zewnętrznych, - wulkanizacji oraz wydziały i działy pomocnicze niezbędne do prawidłowego funkcjonowani[...]

Polowa wyrzutnia elektronów dla miniaturowych urządzeń typu MEMS DOI:10.15199/48.2015.02.49

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono konstrukcję i technologię miniaturowego polowego źródła elektronów kompatybilnego z mikrosystemami MEMS (Micro-Electro-Mechanical System). Źródło składa się z katody polowej z warstwą nanorurek węglowych, elektrody ekstrakcyjnej w postaci siatki oraz krzemowej anody, przedzielonych szklanymi dystansownikami. Zaprezentowano charakterystyki prądowo-napięciowe wykonanych wyrzutni oraz określono wpływ geometrii elektrody ekstrakcyjnej na ich pracę. Uzyskano wysoki prąd emisji polowej 200 μA (U < 1000 V) oraz współczynnik transmisji elektronów przez siatkę sięgający 70%. Abstract. In the article construction and technology of a miniature field-emission electron source compatible with MEMS-type microsystems are described. The electron source is formed as a silicon-glass sandwich and consists of carbon nanotube cathode, mesh extraction electrode and silicon anode, all separated by glass spacers. Influence of extraction electrode geometry on the emission characteristics of the device is presented. Emission current reaches 200 μA (U < 1000 V) and transmission ratio of electrons passing through the gate electrode can be as high as 70%. Field-emission electron source for miniature MEMS-type devices. Słowa kluczowe: polowa wyrzutnia elektronów, elektroda ekstrakcyjna, MEMS, obudowa próżniowa. Keywords: field-emission electron source, extraction electrode, MEMS, vacuum package. Wstęp Mikro- i nanoostrzowe polowe źródła elektronów znajdują zastosowanie w nowoczesnych urządzeniach próżniowych np.: w płaskich wyświetlaczach FED (Field Emission Displays) [1], detektorach promieniowania [2], lampach mikrofalowych [3], przełącznikach mocy [4], jonizacyjnych czujnikach ciśnienia [5] oraz miniaturowych źródłach promieniowania rentgenowskiego [6]. Podstawową wadą wymienionych urządzeń jest brak spójności technologicznej pomię[...]

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl2/BCl3


  Materiały z szerokim pasmem zabronionym takie, jak m.in. azotek galu (GaN), azotek galowo-glinowy (AlxGa1-xN) ze względu na swoje właściwości (duża ruchliwość nośników, praca w zakresie wysokich temperatur) umożliwiają wytwarzanie zupełnie nowych, zaawansowanych technologicznie, elementów elektronicznych i optoelektronicznych, takich jak: wzmacniacze dużych mocy (pracujące w zakresie wielkich częstotliwości), diody i detektory (z zakresu promieniowania niebieskiego, UV), czy też tranzystory z dużą ruchliwością nośników (HEMT) [1]. Uważa się, że odegrają one w elektronice XXI wieku większą rolę, niż krzem w ubiegłym stuleciu. Materiały te charakteryzuje wysoka odporność na chemiczne, "mokre", trawienie, co sprawia, że ich obróbka jest kłopotliwa i ogranicza możliwości wytwarzania struktur o oczekiwanych rozmiarach, kształtach oraz dobrej jakości trawionej powierzchni. Proces reaktywnego trawienia jonowego (RIE) jest współcześnie szeroko stosowany w technologii przyrządów półprzewodnikowych. Występujące w nim reakcje chemiczne, zachodzące na trawionej powierzchni, wspomagane bombardowaniem jonami gazów roboczych (źródłem których jest plazma wyładowania w.cz.) pozwalają na uzyskiwanie oczekiwanych kształtów struktury mesa trawionej z kontrolowaną szybkością trawienia. W przypadku technologii wykonania tranzystora HEMT, możliwe jest, wykorzystując trawienie chemiczne, tzw. "opuszczanie bramki", co umożliwia zmianę grubości kanału. Odpowiednie nachylenie, chropowatość, wysokość ścian struktury mesa, zapewnia przy tym ciągłość naniesionej metalizacji. Na jakość wytwarzanej struktury końcowej, a przez to na parametry elektryczne tranzystora HEMT, mają wpływ poszczególne etapy procesu technologicznego, w szczególności procesy: obróbki fotolitograficznej, "suchego" trawienia chemicznego (chemical dry etching) oraz pro[...]

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej DOI:10.15199/48.2017.08.15

Czytaj za darmo! »

Duża koncentracja i ruchliwość dwuwymiarowego gazu elektronowego (2DEG) na interfejsie AlGaN/GaN, bardzo dobra stabilności termiczna oraz duże napięcie przebicia, czynią przyrządy wykonane na bazie wspomnianych heterostruktur ważnymi elementami elektroniki wysokich częstotliwości i mocy. Dodatkowo, zastosowanie krzemu jako podłoża epitaksjalnego obniża koszty produkcji oraz umożliwia integrację z istniejącą technologią CMOS. Jednakże istniejące niedopasowanie stałych sieciowych oraz współczynników rozszerzalności cieplnej występujące pomiędzy warstwą epitaksjalną a podłożem w heterostrukturach AlGaN/GaN/Si skutkuje dużą ilością defektów strukturalnych oraz występowaniem niejednorodności elektrycznych i optycznych właściwości powstającej warstwy [1, 2]. W przedstawionej pracy do zobrazowania lokalnych powierzchniowych niejednorodności elektrycznych właściwości heterostruktur AlGaN/GaN/Si wykorzystano skaningową mikroskopię pojemnościową (SCM) będącą jedną z zaawansowanych technik mikroskopii sił atomowych (AFM). W technice tej zmiennym napięciem polaryzowane jest przewodzące ostrze mikroskopu, skanujące w trybie kontaktowym powierzchnię półprzewodnika pokrytą cienką warstwą tlenku. Dla każdego położenia ostrza zmiana pojemności (dC) powodowana zmianą napięcia (dVamp) w tak wytworzonej strukturze MOS (ang.: metal-oxidesemiconductor) jest rejestrowana. [...]

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą DOI:10.15199/48.2018.08.06

Czytaj za darmo! »

Zmniejszanie wymiarów charakterystycznych obszarów aktywnych przyrządów półprzewodnikowych oraz wprowadzenie nowych materiałów są jednymi z głównych kierunków rozwoju współczesnej elektroniki. Działania te prowadzą do zwiększenia częstotliwości pracy urządzeń oraz skali ich integracji, zmniejszenia wartości napięć zasilających oraz zużywanej energii, umożliwiają również powstawanie urządzeń, których zasady działania bazują na efektach kwantowych a także pozwalają na zwiększenie czułości i czasu reakcji elementów czujnikowych. Jednocześnie, wraz ze zmniejszającymi się geometrycznymi wymiarami elementów aktywnych, właściwości powierzchni oraz jej lokalne niejednorodności zaczynają odgrywać znaczącą rolę w działaniu całego przyrządu. Z tego powodu metody badań pozwalające na określanie lokalnych właściwości materiałów mają coraz większe znaczenie przy opracowywaniu technologii nowoczesnych przyrządów elektronicznych. Jedną z metod możliwych do tego typu zastosowań są metody będące rozwinięciem klasycznej mikroskopii sił atomowych, w których badanie różnego typu oddziaływań między próbnikiem w postaci końcówki ostrza mikroskopu i powierzchną próbki pozwala na określenie jej właściwości z rozdzielczością nanometrową. Takimi metodami pozwalającymi obserwować lokalne, elektryczne właściwości powierzchni są m. in.: Skaningowa Mikroskopii Potencjału Powierzchniowego (ang. Scanning Potential Microscopy - SPM), Skaningowa Mikroskopia Rezystancji Rozproszonej (ang. Scanning Spreading Resistance Microscopy - SSRM) i Skaningowa Mikroskopia Pojemnościowa (Scanning Capacitance Microscopy - SCM). Techniki te są wykorzystywane w Wydziałowym Zakładzie Mikroelektroniki i Nanotechnologii na Wydziale Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej do badań warstw epitaksjalnych oraz struktur przyrządowych półprzewodników złożonych AIIIN. W skaningowej mikroskopii potencjału powierzchniowego poprzez pomiar oddziaływań między pr[...]

 Strona 1  Następna strona »