Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"TADEUSZ BERLICKI"

The transport properties of sputter-deposited Ge-Sb-V thin films

Czytaj za darmo! »

The thermoelectric properties of Ge-based films have attracted much interest due to their technical application in converter technology as thermistors or thermopiles [1, 2]. These properties, similar to the films of other semiconductors, strongly depend on their crystalline structure. The grain size and volume of crystalline phase in Ge film are determined by technology. The films prepared b[...]

Wpływ składu materiałowego na przewodnictwo elektryczne cienkich warstw otrzymanych na bazie TiO2

Czytaj za darmo! »

Jednym z materiałów podstawowych, wykorzystywanych do wytwarzania cienkich warstw typu TOS (Transparent Oxide Semiconductor) jest TiO2. Do najważniejszych właściwości tlenku tytanu należy zaliczyć, między innymi, szeroką przerwę zabronioną (>3 eV [2]), co z jednej strony sprawia, iż jest on izolatorem w temperaturze pokojowej, ale z drugiej zapewnia dobrą przeźroczystość dla promieniowania w[...]

Właściwości cienkowarstwowych, przezroczystych półprzewodników o zadanym typie przewodnictwa elektrycznego do zastosowań w transparentnej elektronice


  W ostatnich latach nastąpił wyraźny wzrost zainteresowania tlenkami o ściśle określonych właściwościach optycznych i elektrycznych. Na takie materiały istnieje obecnie silne zapotrzebowanie m.in. w takich gałęziach przemysłu, jak optoelektronika, fotowoltaika czy też mikroelektronika. Materiały tlenkowe o bardzo dobrej przezroczystości dla światła, zazwyczaj są równocześnie słabymi przewodnikami prądu elektrycznego. Wyjątek stanowią materiały typu TOS (Transparent Oxide Semiconductor) oraz TCO (Transparent Conducting Oxide), w których możliwe jest połączenie tych dwóch przeciwstawnych właściwości [1, 2]. Dobre przewodnictwo elektryczne w przezroczystych materiałach tlenkowych można uzyskać, między innymi, przez wytwarzanie tlenków niestechiometrycznych lub przez ich domieszkowanie. Tlenki niestechiometryczne, jak np. TiO2-x ze względu na występowanie w ich sieci krystalicznej licznych wakansji tlenowych wykazują dobre właściwości przewodzące. Jednakże, charakteryzują się również gorszą przezroczystością dla światła oraz są niestabilne. Wygrzewanie w powietrzu powoduje zazwyczaj ich utlenienie, a to przekłada się z kolei na pogorszenie ich przewodnictwa elektrycznego. Metodą, która powszechnie stosowana jest w przemyśle mikroelektronicznym w celu zmiany właściwości elektrycznych różnych materiałów jest domieszkowanie. W wypadku tlenków na bazie TiO2 metoda ta jednak nie jest prosta i wymaga niekonwencjonalnego podejścia. W przeciwieństwie do konwencjonalnych półprzewodników, w których występują wiązania kowalencyjne, tlenki są to materiały o wiązaniach jonowych. Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w tlenkach półprzewodnikowych jest podobny do tego, który występuje w półprzewodnikowych materiałach amorficznych. Wraz z wprowadzeniem domieszek w przerwie energetycznej takich materiałów pojawiają się dodatkowe, poziomy energetyczne. Płytkie poziomy donorowe lub akceptorowe, zlokalizowane są w pobliżu środka przerwy energetyczne[...]

 Strona 1