Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"MARIA KANIEWSKA"

Elektryczne profile w epitaksjalnym GaAs:Si z dużą koncentracją defektów o niejednorodnych rozkładach przestrzennych indukowanych przerwą wzrostu


  Nowoczesne struktury z QDs z InAs/GaAs s. najcz..ciej wytwarzane MBE, technik. Stra.skiego-Krastanowa [1.4], stosuj.c metod. przerywanego wzrostu [5.7]. Poprzez wielokrotne powtorzenie sekwencji depozycji InAs i pauzy wzrostu w nadmiarze arsenu (optymalizowanej w zale.no.ci od temperatury i szybko.ci wzrostu) uzyskuje si. dobr. jako.. powierzchni granicznej InAs/GaAs, co w konsekwencji prowadzi do formowania QDs o nieznacznej dyspersji rozmiarow, nie gorszej ni. 10% [8]. Jednak ostatnie wyniki naszych bada. spektroskopi. pojemno.ciow. wykazuj., .e wytwarzanie QDs z InAs/GaAs t. technik. prowadzi do aglomeracji defektow w bezpo.rednim s.siedztwie p.aszczyzny QDs [9]. Celem niniejszej pracy jest scharakteryzowanie defektow generowanych podczas wzrostu QDs i wnioskowanie o ich naturze. Dla .atwiejszej interpretacji wykonano i badano struktury kontrolne, ktore stanowi. odniesienie dla struktur z QDs z InAs/GaAs. Struktury tworz. dwie warstwy GaAs (ktore w strukturach z QDs odpowiadaj. warstwie buforowej i przykrywkowej) rozseparowane w.skim obszarem GaAs zdefektowanym w wyniku dokonania przerw wzrostu. Do bada. struktur wykorzystano DLTS [10] i pomiary C-V [11] oraz zdolno.ci tych technik do profilowa. wg..bnych, ktore umo.liwi.y charakteryzacj. obszarow zdefektowanych. U.yte techniki wymagaj. warstwy .adunku przestrzennego, a wi.c dla ich funkcjonowania konieczne by.o wykonanie ze struktur diod Schottkyfego. Znaczenie wynikow niniejszej pracy, otrzymanych przy u.yciu tych ro.nych technik jest dwojakie: (i) poprzez zastosowanie DLTS w kilku wariantach dzia.ania wykazano, .e defekty s. indukowane w wyniku zastosowanej procedury wzrostu. Zosta.y one w pe.ni scharakteryzowane. Na podstawie otrzymanych sygnatur emisyjnych i ich porownania z danymi literaturowymi wnioskowano o pochodzeniu defektow i ich naturze. Wyniki tego typu bada. maj. znaczenie dla wykorzystania QDs w przyrz.dach, zw.aszcza z uwagi na fakt, .e wiedza n[...]

Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS


  Zastosowanie QDs jako elementów aktywnych w przyrządach elektronicznych wymaga wiedzy na temat szybkości wymiany nośników pomiędzy QDs i ich otoczeniem. W tym względzie DLTS jest unikalną techniką, bowiem takich informacji dostarcza w odniesieniu do bezpośrednich przejść. W ostatnim okresie technika TS-DLTS z powodzeniem została wykorzystywana do charakteryzacji struktur z QDs [1-3]. Jednak ze względu na złożoność procesów emisji, wynikającą z możliwości wielorakich dróg ucieczki nośników z QDs oraz z uwagi na poszerzenia rozkładów energetycznych, które są rezultatem fluktuacji rozmiarów QDs, interpretacja konwencjonalnych widm DLTS napotyka na duże trudności [4]. Częściowym rozwiązaniem problemu są pomiary w niskich temperaturach, w których jedynym procesem odpowiedzialnym za emisję nośników jest tunelowanie. Pomiary niskotemperaturowe w połączeniu z modelowaniem uwzględniającym wpływ pola elektrycznego na szybkość emisji pozwalają wyznaczyć strukturę energetyczną stanów w QDs [5]. Jednak informacje te są niewystarczające, gdyż urządzenia bazujące na QDs pracują w zakresie temperatur, w których efekty termiczne są ważne. W ostatnim czasie zaproponowano model, który traktuje emisję z QDs w sposób kompleksowy oraz do jego weryfikacji zaproponowano nową, wieloparametryczną technikę pomiarową bazującą na DLTS [6-8]. Pomiar sygnałów DLTS, S, związanych z QDs w funkcji T, z VR, jako parametrem, wraz z prezentacją danych w postaci wykresów trójwymiarowych lub konturowych na płaszczyźnie (T, VR) umożliwił identyfikację procesów ucieczki elektronów z QDs z InAs/GaAs [8]. Technika ta okazała się także przydatna do ustalenia warunków pomiarowych, które dla celów charakteryzacji stanów skwantowych, ze względu na złożoność procesów, muszą być optymalizowane [9]. W niniejszej pracy zaproponowano alternatywną metodę charakteryzacji stanów QDs wykorzystującą izotermiczne pomiary sygnału DLTS w funkcji f i VR. Działanie metody zaprezentowa[...]

Tendencje w zużyciu wody


  Przedstawiono współczesne trendy w poborze i zużyciu wody na świecie, wymieniono pokrótce metody prognozowania ilości pobieranej wody oraz indeksy opisujące niedostateczność zasobów. Zwrócono uwagę na to, że często nie fizyczny brak wody, tylko brak środków finansowych jest powodem braku dostępu do wody o odpowiedniej jakości na potrzeby bytowo-gospodarcze. W Polsce od czasu drugiej wojny światowej do 1989 r. produkcja wody w przeliczeniu na jednego mieszkańca rosła, chociaż niekoniecznie przekładało się to na zwiększanie jej zużycia. Duża część produkcji była tracona przez nieszczelności tak w sieciach wodociągowych, jak i aparaturze czerpalnej. Przy wysokiej produkcji wody niskie było zużycie mydeł i środków piorących. Od 1989 r. doszło do wieloletniego zmniejszania się zużycia wody. W 2003 r. ONZ oceniało liczbę osób bez dostępu do bezpiecznej wody na świecie jako 1 mld 200 mln. Biorąc pod uwagę, że rolnictwo i przemysł pobierają wielokrotnie więcej wody niż przeznacza się na cele bytowo-gospodarcze [14], można dojść do wniosku, że o ile w rejonach ubogich w wodę odczuwalny jest dotkliwy jej brak dla rozwoju przemysłu i rolnictwa w stopniu zapewniającym dochody pozwalające na utrzymanie godnego poziomu życia, o tyle ograniczenie do niej dostępu w gospodarstwach domowych ma raczej charakter ekonomiczny, a nie hydrologiczny. Spośród tego 1,200 mln ludzi pozbawionych dostępu do wody o odpowiedniej jakości 900 tys. ma dochód nieprzekraczający jednego dolara dziennie. Przykładem wpływu ekonomii na występowanie, czy niewystępowanie bra-ków zasobów wody jest Polska. Pod koniec lat osiemdziesiątych pobieraliśmy ponad 20% zasobów dynamicznych i na tej podstawie mieliśmy zostać zaklasyfikowani do krajów z niedoborem wody. Tymczasem od 1989 r. upadek przemysłu ciężkiego, a w znacznie mniejszym stopniu drastyczne zmniejszenie zużycia wody w gospodarstwach domowych, spowodował obniżenie poborów wyraźnie poniżej tej[...]

Alternatywne źródła zaopatrzenia w wodę


  Dokonano przeglądu alternatywnych możliwości zaopatrzenia w wodę, jak: jej odnowa, odsalanie wody morskiej, używanie wody butelkowej i zmiany rodzaju produkcji. Opisano też wpływ zmian klimatu i wojen na zaopatrzenie w wodę. Chociaż trzy czwarte globu ziemskiego pokrywa woda, to ocenia się, że jedynie jej 0,007% jest łatwo dostępne do zaopatrzenia w wodę ludności [5]. Około 60% tych zasobów przypada zaledwie na osiem krajów: Brazylię, Rosję, Chiny, Kanadę, Indonezję, USA, Indie, Kolumbię i Kongo [13]. Przewiduje się obecnie, iż siedmiomiliardowa społeczność wzrośnie do ośmiu miliardów w 2025 r. [17] i do dziewięciu i pół miliarda do 2050 r. Oznaczać to będzie wzrost zapotrzebowania na wodę do produkcji żywności, rozrastającego się przemysłu i w mniejszym stopniu na cele bytowo-gospodarcze. Tymczasem zasoby wody słodkiej nie ulegną istotnemu zwiększeniu. Ocieplenie klimatu, niezależnie od przyczyn, powoduje co prawda przyspieszenie cyklu hydrologicznego, ale obserwacje nie wskazują na istotne zwiększenie sumy wysokości opadów w skali roku. Udowodniono natomiast wydłużanie się susz, zmniejszenie opadów w zimie i nasilenie pogodowych zjawisk ekstremalnych w różnych częściach świata. W tej sytuacji znaczenia nabierają alternatywne źródła zaopatrzenia w wodę, tym bardziej że wykorzystanie odnowionych ścieków w rolnictwie może pomóc zaoszczędzić inne zasoby naturalne - jak fosfor, którego zapasy światowe starczą na nie więcej niż 200 lat i który w licznych oczyszczalniach w Szwecji odzyskuje się z osadów ściekowych, ponosząc spore koszty. Również odsalanie wody morskiej jest stosowane na dużą skalę. Te i inne alternatywne źródła zaopatrzenia w wodę zostały wymienione i scharakteryzowane w tym artykule. Rys. 1. Względne nakłady finansowe na gospodarkę wodno-ściekową na świecie [14] ■ Alternatywne zaopatrzenie Wśród alternatywnych możliwości zaopatrzenia można wymienić wykorzystanie wody deszczowej, odnowę [...]

Wpływ właściwości reologicznych osadów na pracę filtrów o skokowo zmiennej wydajności


  Przedstawiono metodę badania wpływu zmian reologicznych osadów zatrzymanych w porach filtru pospiesznego na opory hydrauliczne przepływu. Metoda ta oparta jest na recyrkulacji filtratu na końcu filtrocyklu i wprowadzaniu zmian prędkości filtracji w czasie tej recyrkulacji. Przeprowadzone dotychczas doświadczenia wskazują na to, że w okresie czasu rzędu godziny, a nawet dłużej, możliwe jest obserwowanie zmian oporów przepływu filtratu przez poszczególne warstwy filtru o znaczącym zakolmatowaniu. Zmiany te przebiegają szybciej w czasie zwiększania prędkości filtracji niż w czasie jej zmniejszania. Opisane obecnie badania reologiczne, przeprowadzone na osadach wypłukanych z kolumny filtracyjnej po koagulacji niedużymi i optymalnie dobranymi dawkami siarczanu glinu, przy pH wody po koagulacji 7,4, potwierdziły iż oprócz zmian współczynnika lepkości występującego w pierwszych dziesięciu minutach po zmianie wartości naprężenia ścinającego przebiegają wolniejsze, lecz w sumie nie do pominięcia, zmiany w okresie godziny albo dłuższe. Te badania reometryczne zgadzają się z obserwacjami przeprowadzonymi wcześniej na kolumnach filtracyjnych.Wstęp Filtracja pospieszna wody była intensywnie badana już w okresie pomiędzy pierwszą a drugą wojną światową i od początku niektóre zagadnienia stanowiły przedmiot gorących sporów, których najlepszym przykładem mogły być kontrowersje pomiędzy Mincem i Ivesem, dotyczące sufozji osadu w złożu filtracyjnym, albo pomiędzy Ivesem i Litwiniszynem, jak idzie o dopuszczalność uproszczeń równania bilansu masy i deformacji warunków granicznych narzucanych na układ równań opisujących filtrację wgłębną zawiesin wodnych [1]. Pomimo licznych prac dotyczących najpierw fenomenologicznych, a później mikroskopowych, modeli filtracji, w dalszym ciągu nie ma uniwersalnych modeli teoretycznych, przy pomocy których można z powodzeniem opisać przepływ skoagulowanych zawiesin wodnych przez ośrodki porowate, z uwzględnie[...]

Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE

Czytaj za darmo! »

Ogromny postęp, jaki dokonał się w metodach wytwarzania materiałów i heterostruktur półprzewodnikowych, umożliwił otrzymywanie struktur niskowymiarowych wysokiej jakości i wytwarzanie z nich struktur nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych. Techniki wzrostu, takie jak epitaksja z wiązek molekularnych - MBE (Molecular Beam Epitaxy), czy też osadzanie warstw ze związków metaloorganicznych [...]

 Strona 1