Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"Agata Poniedziałek"

Powłoki optyczne do zastosowania na panele szklane DOI:10.15199/ELE-2014-129


  Nanoszenie powłok optycznych na powierzchnię różnych przedmiotów ma na celu nadanie ich powierzchni określonych właściwości optycznych. Najczęściej oznacza to modyfikację wartości współczynnika odbicia światła (Rλ). Nałożenie powłoki optycznej może także mieć na celu wytworzenie takiego przyrządu optycznego jak np. lustro czy filtr. Najprostszą powłokę można otrzymać przez naniesienie na podłoże pojedynczej warstwy z innego materiału. Obecnie do wytwarzania różnych rodzajów powłok w szerokim zakresie spektralnym powszechnie stosowane są tlenki, np. TiO2, SiO2, Al2O3, Ta2O5, oraz fluorki (np. MgF2, CaF2) [1, 2]. Poza dobrą przezroczystością i odpowiednią wartością współczynnika załamania światła (tabela 1) istotnym kryterium, które może zadecydować o możliwości zastosowania tych materiałów na powłoki może być też kompatybilność metody ich nanoszenia z technologią wytwarzania gotowego produktu [1-3]. Teoretyczne podstawy projektowania powłok optycznych rozwijane były między innymi przez A. MacLeoda [4]. Podstawy te oparte są o rozwiązanie układu równań Maxwella dla fali TE (transverse electrical) i polegają na wyznaczeniu wartości współczynników odbicia (Rλ) i transmisji (Tλ) światła. W szczególności, projektowanie powłok polega przede wszystkim na opracowaniu modelu ich struktury. Należy w nim uwzględnić takie parametry jak np.: 1) rodzaj i parametry podłoża, 2) rodzaj i parametry materiałów zastosowanych na poszczególne warstwy, 3) liczba i sposób ułożenia warstw na podłożu, 4) grubości poszczególnych warstw [1, 2]. Wymienione elementy składowe dobierane są w taki sposób, aby uzyskać jak najlepszą zgodność teoret[...]

Właściwości powierzchni aktywnych powłok cienkowarstwowych na bazie TiO2 DOI:10.15199/ELE-2014-169


  Powłoki cienkowarstwowe wytwarzane m.in. metodami PVD od wielu lat cieszą się dużym zainteresowaniem ze strony przemysłu. Jest to związane przede wszystkim z możliwością nadawania nowych atrybutów różnego rodzaju elementom, przez naniesienie na ich powierzchnię cienkowarstwowych powłok o ściśle określonych i pożądanych właściwościach. W szczególności, mogą to być zarówno powłoki metaliczne, dielektryczne jak i półprzewodnikowe [1, 2]. Na przestrzeni ostatnich 20 lat zauważyć można dynamiczny wzrost zainteresowania materiałami cienkowarstwowymi, które przeznaczone są zwłaszcza do zastosowania w konstrukcji różnego rodzaju elementów elektronicznych, jako powłoki gazo- lub termo chromowe, jako warstwy aktywne w czujnikach lub powłoki biologicznie aktywne [1-5]. Z uwagi na właściwości fizykochemiczne powłok cienkowarstwowych, a zwłaszcza na zmiany, jakie zachodzą na ich powierzchni (np. na skutek procesów utleniania), coraz większą rolę dogrywają obecnie powłoki na bazie tlenków metali. Jest to związane z szeregiem ich zalet, do których często można zaliczyć m.in. dużą przezroczystość dla światła, dużą odporność (termiczną, chemiczną i mechaniczną), czy też bardzo dobre właściwości fotokatalityczne [1, 2, 6]. Do tlenków, które powszechnie stosuje się w konstrukcji różnego rodzaju powłok cienkowarstwowych można zaliczyć np. TiO2, Nb2O5, ZnO, SnO2,V2O5, Ta2O5 i ZrO2 [1, 2, 6]. Właściwości tych materiałów zostały już dość dobrze scharakteryzowane, ale nadal istnieje luka dotycząca wiedzy na temat właściwości warstw będących mieszaniną tych tlenków. W szczególności, chodzi tu o innowacyjne, aktywne powłoki cienkowarstwowe, których właściwości zmieniają się w zależności od składu materiałowego, parametrów procesu nanoszenia, a także dodatkowej obróbki poprocesowej (np. wygrzewania w wysokiej temperaturze). Dlatego też, w niniejszej pracy opisano wpływ wygrzewania na właściwości strukturalne i fizykochemiczne powierzchni cienkich war[...]

Wpływ składu materiałowego cienkich warstw HfO2-TiO2 na ich właściwości strukturalne oraz optyczne DOI:10.15199/13.2016.7.2


  W pracy przedstawiono wyniki badania wpływu składu materiałowego cienkich warstw HfO2-TiO2 na ich właściwości strukturalne oraz optyczne. Cienkie warstwy tlenków TiO2 i HfO2 oraz ich mieszanin zostały wytworzone za pomocą rozpylania magnetronowego. Zmiana składu materiałowego cienkich warstw miała znaczący wpływ na właściwości strukturalne, powierzchni oraz optyczne. Wytworzone cienkie warstwy z wyjątkiem (Hf0.55Ti0.45)Ox były nanokrystaliczne o średnim rozmiarze krystalitów około 7-11 nm. Obrazy otrzymane przy użyciu skaningowego mikroskopu elektronowego potwierdziły, że cienkie warstwy zbudowane były z ziaren o różnych kształtach oraz rozmiarach z wyjątkiem powłoki, która w mieszaninie miała największą ilość domieszki Ti. Badania przedstawione w pracy pokazały zmianę współczynnika transmisji światła wraz ze wzrostem zawartości TiO2 w mieszaninach. Zaobserwowano także przesunięcie długości fali odcięcia w stronę fal dłuższych oraz wzrost wartości współczynnika załamania światła. Słowa kluczowe: TiO2, HfO2, mieszaniny tlenków, powłoki optyczne, rozpylanie magnetronowe, właściwości strukturalne, właściwości optyczne.Cienkie warstwy na bazie tlenków metali przejściowych, należące do 4 grupy układu okresowego pierwiastków są obiektem zainteresowań badaczy z uwagi na wiele pożądanych właściwości. Powłoki cienkowarstwowe na bazie tlenków tytanu (TiO2) i hafnu (HfO2) charakteryzują się między innymi wysoką odpornością termiczną, chemiczną oraz mechaniczną, a także przezroczystością dla światła w szerokim zakresie spektralnym [1-4]. Zainteresowanie dwutlenkiem hafnu związane jest z jego właściwościami optycznymi oraz elektrycznymi. Materiał ten charakteryzuje się dużą wartością względnej przenikalności elektrycznej (ε~25), dużą przerwą energetyczną (Eg~5.5eV), a także wysokim współczynnikiem załamania światła (n~2) [2-7[...]

Wpływ wygrzewania na właściwości powierzchni cienkich warstw na bazie wybranych tlenków metali DOI:10.15199/13.2017.7.2


  Powłoki cienkowarstwowe znajdują powszechne zastosowanie w przemyśle, m.in. elektronicznym, fotonicznym oraz medycznym [1-4]. Dwutlenek tytanu (TiO2) jest materiałem dielektrycznym. Powłoki na bazie TiO2 mogą występować zarówno w postaci amorficznej, jak i polikrystalicznej. TiO2 posiada trzy odmiany krystalograficzne, tj. anataz, rutyl i brukit. Struktury anatazu i rutylu charakteryzują się tetragonalnym układem krystalograficznym, zaś brukitu - układem rombowym [5]. Struktura TiO2 ulega przekształceniu pod wpływem temperatury [2, 5, 6]. Anataz jest odmianą niskotemperaturową, która ulega transformacji w rutyl, uznawany za metastabilną odmianę TiO2, po wygrzewaniu w temperaturze powyżej około 700°C [6]. Brukit, będący niestabilną termicznie odmianą, nie znajduje powszechnego zastosowania w przemyśle i technologii [1]. Trójtlenek wolframu (WO3) jest również materiałem dielektrycznym, który posiada zbliżone właściwości i znajduje bardzo podobne zastosowania jak wcześniej przedstawiony TiO2. Cienkie warstwy na bazie WO3 mogą występować w postaci amorficznej lub polikrystalicznej [7]. WO3 w postaci krystalicznej może mieć strukturę krystalograficzną jednoskośną, trójskośną, rombową lub tetragonalną [8]. Warstwy na bazie TiO2 oraz WO3 otrzymywane są najczęściej metodami fizycznego osadzania z fazy gazowej (ang. Physical Vapor Deposition, PVD) lub chemicznego osadzania z fazy gazowej (ang. Chemical Vapor Deposition, CVD) [2]. W zależności od metody otrzymywania oraz sposobu obróbki poprocesowej, otrzymać można powłoki funkcjonalne o zupełnie odmiennych parametrach [1-4]. Modyfikacja szeregu parametrów cienkich warstw TiO2 i WO3 pozwala na uzyskanie powłok funkcjonalnych o zróżnicowanych właściwościach użytkowych [3]. W niniejszej pracy przedstawiono wpływ obróbki poprocesowej, tj. wygrzewania w wysokiej temperaturze, na właściwości powierzchni cienkich warstw TiO2 i WO3. Część eksperymentalna Cienkie warstwy TiO2 i WO3 nanies[...]

Analiza właściwości wybranych warstw typu TCO jako optycznych luster podczerwieni DOI:10.15199/48.2015.09.06

Czytaj za darmo! »

Cienkie warstwy przezroczystych tlenków przewodzących (TCO) oraz półprzewodnikowych (TOS) stanowią dobrze już znaną grupę materiałów o unikatowych właściwościach. Łączą one bardzo dobrą przezroczystość dla światła w zakresie widzialnym promieniowania optycznego z jednoczesnym dobrym przewodnictwem elektrycznym. Do najbardziej znaczących materiałów tego typu należą takie tlenki, jak SnO2, In2O3, ZnO. Niniejsza praca zawiera dyskusję oraz wyniki modelowania komputerowego, dotyczącego zastosowania przykładowych warstw TCO jako optycznych luster cieplnych. Przedyskutowano wpływ na położenie krawędzi absorpcji w zakresie podczerwieni takich czynników, jak koncentracja nośników swobodnych oraz grubość warstwy. Modelowanie komputerowe wykonano wykorzystując charakterystyki dyspersji zespolonego współczynnika załamania światła otrzymane dla warstw In2O3-SnO2 naniesionych metodą rozpylania magnetronowego. Abstract. Transparent oxide conducting (TCO) and semiconducting (TOS) thin films are already well known group of unique materials with high transparency for light in the visible part of optical radiation and simultaneously sufficiently well electrical conduction. To the leading group of such materials belong such oxides like SnO2, In2O3, ZnO. TCO thin films with n-type of electrical conduction are commonly used in the construction of transparent electrodes in many, especially portable electronics devices. However, increasing of electrical conduction in TCO or TOS thin films is usually possible by an increase in free charge carriers concentration in such thin films that results in the appearance of reduced light transmission in the infrared region of electromagnetic waves. The present work consists discussion and results of computer designing and on application of exemplary TCO thin films as optical heat mirrors. Computer simulations were performed using complex refractive index dispersion data elaborated for In2O3-SnO2 deposited by magnetron sputteri[...]

Memrystor - brakujący element elektroniczny DOI:10.15199/13.2016.7.3


  Określenie memrystor odnosi się do klasy dwukońcówkowych, pasywnych elementów elektronicznych, charakteryzujących się nieliniową zależnością prądowo-napięciową z pętlą histerezy oraz zdolnością do zapamiętywania swojego stanu (oporu elektrycznego) [1]. Właściwości memrystorów opisane zaostały w pracy Leona Chua w 1971 roku [2]. Jednakże prawdziwy rozgłos memrystor zyskał w 2008 roku za sprawą publikacji naukowców z laboratoriów firmy Hewlett Packard [3]. Odkrycie memrystora zweryfikowane zostało następnie krytycznie w 2015 roku. Niniejsza praca zawiera przegląd dotyczący podstawowych właściwości i potencjalnego zastosowania memrystorów. W artykule zamieszczono również przykłady właściwości cienkowarstwowych struktur na bazie tlenków metali przejściowych, dla których obserwowany jest efekt histerezy na charakterystykach prądowo-napięciowych. Słowa kluczowe: memrystor, pasywne elementy elektroniczne.Podstawowe właściwości me mrystorów Zrozumienie, czym jest memrystor wymaga odniesienia się do właściwości znanych trzech pasywnych elementów elektronicznych: kondensatora (Ewald Georg von Kleist 1745), rezystora (Georg Simon Ohm 1827) i induktora (Michael Faraday 1831) oraz zależności wiążących właściwości tych elementów z takimi podstawowymi wielkościami w elektronice, jak: napięcie (u), prąd (i), ładunek elektryczny (q) i strumień magnetyczny (j). Zależności te przedstawione zostały na rys. 1. Z grafu przedstawionego na rys. 1. wynika, że może istnieć również prosta zależność miedzy ładunkiem elektrycznym a strumieniem magnetycznym. Zależność ta zaproponowana została w 1971 roku przez Leona Chua [2] w postaci: dφ = Mdq, (1) gdzie: M - memrystancja. Memrystor jest elementem, którego stan może być kon[...]

 Strona 1