Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"ANNA KOZŁOWSKA"

Chrońmy to, co piękne

Czytaj za darmo! »

Powiat zamojski położony jest na granicy trzech regionów geograficznych: Wyżyny Lubelskiej, Wyżyny Wołyńskiej oraz Roztocza. Przechodzą tędy międzynarodowe szlaki komunikacyjne łączące środek kraju z polsko-ukraińskimi przejściami granicznymi w Hrebennem i Zosinie. Najważniejsze z nich są: trasa szybkiego ruchu z Warszawy przez Lublin i Zamość do Lwowa oraz li- Powiat zamojski Chrońmy to, co piękne MARIA PRZYBYLSKA, ANNA KOZŁOWSKA nie kolejowe Warszawa-Rawa Ruska i linia hutnicza szerokotorowa, prowadząca z Europy Wschodniej do Tarnobrzega i na Górny Śląsk. Dobrze funkcjonuje branża meblarska, masarnie, przetwórnie, magazyny zbożowe i inne. Łącznie w powiecie działalność prowadzi ok. 5250 przedsiębiorstw, w tym ok. 230 w sektorze publicznym. Jednak największym bogactw[...]

Wpływ rezystancji termicznej na parametry elektrooptyczne i termiczne diod laserowych


  Rezystancja termiczna RT jest parametrem określającym ilościowo skuteczność odprowadzania ciepła generowanego przez diodę laserową (DL). Wskutek wzrostu temperatury w grzejącej się diodzie laserowej wzrasta ilość swobodnych nośników o energii na tyle dużej, aby móc opuścić studnię kwantową. Nośniki te mogą rekombinować niepromieniście lub promieniście z energią kwantu spoza pasma wzmocnienia. Wzrost temperatury DL wpływa na pogorszenie jej charakterystyk elektrooptycznych: podwyższenie prądu progowego, zmniejszenie sprawności kwantowej, przesunięcie widma emisji, a także przyspieszenie procesów degradacyjnych. Wyniki eksperymentalne Do badań wykorzystano DL z paskiem aktywnym o szerokości w = 100 μm i długością rezonatora 1 mm z heterostruktur wykonanych w ITME. Dla zmontowanych diod oprócz charakterystyk mocowo-prądowych zbadano przesuwanie się widma przy stałej repetycji i wydłużającym się czasie impulsu jak również sprawdzono wzrost temperatury złącza DL po włączeniu impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD firmy Andor. W czasie trwania impulsu o długości 1 ms z repetycją 10 ms wykonywano 40 pomiarów widm z bramką 40 ns, kolejno przesuwanych co 25 μs. W ten sposób zbadano związek pomiędzy różnymi wartościami rezystancji termicznych wynikającymi z różnej jakości montażu chipów do chłodnicy, a parametrami elektrooptycznymi diod laserowych. W dalszej kolejności zmierzono rozkład temperatury w płaszczyźnie złącza przy użyciu wysokorozdzielczej kamery THERMOSENOSORIK 640 SM wyposażonej w detektor InSb (640 × 512 pikseli). Wyniki porównano z charakterystykami promieniowania w polu bliskim (NF). Wszystkie pomiary prowadzono przy I = 1 A, przy stabilizowanej temperaturze chłodnicy 15°C. Wyniki pomiarów elektrooptycznych Ocena zmiany temperatury ΔT przyrządu przy zmianie rozproszonej mocy ΔP pozwala wyznaczyć rezystancję termiczną RT. (1) [[...]

Hot embossing method for development of soft glass microoptic components with broadband infrared transmission DOI:10.15199/ELE-2014-205


  Recently we have witnessed a dynamic progress in research and applications of optoelectronics within the infrared (IR) spectrum. In this wavelength range most of the commonly used optical materials such as fused silica glass cannot be used due to high attenuation beyond 2 [mikro]m. There are other materials, suitable for this range, like single crystalline germanium, zinc selenide, chalcogenide glass or GASIR glass [1]. The main problems with the abovementioned materials concern their fabrication, toxicity, relatively high cost and lack of transparency within the visible light range. Therefore it is necessary to study new materials that could be used for the low-cost production of optical components for mid-IR. One of the solutions are the polymer materials. They are low-cost and easy to process, but also show low thermal durability and variation of their optical parameters over time. A possible alternative solution to these problems is to use heavy metal oxide soft glasses. One of the low-cost methods used in the fabrication of optical elements is hot embossing [2], especially appropriate for fabricating polymer elements. The HE method can also be used with glass, but this involves several problems of technical kind. First, the process requires higher temperatures 400-900°C, depending on the composition of the glass used. Secondly, the process requires better temperature stabilization to make the hot glass malleable but not molten and to avoid crystallization. Thus, using soft glasses to fabricate elements with the HE method requires a series of tests to optimize the choice of material and the process. Selection of glasses and materials for mold One of the most important stages of work with a hot embossing system is the choice of the material for the mold, as its thermal expansion coefficient must be close to that of the molded material. Moreover the molded [...]

Zastosowanie tlenku grafenu i grafenu w technologii diod laserowych DOI:10.15199/48.2015.09.01

Czytaj za darmo! »

Wykazano, że tlenek grafenu na krawędziach bocznych chipa laserowego powoduje zmniejszenie rezystancji termicznej diody laserowej. Obserwowane jest również zmniejszenie temperatury samego chipa laserowego. Natomiast tlenek grafenu na n-kontakcie powoduje zwiększenie temperatury chipa. Na n-kontakcie korzystne jest zastosowanie grafenu. Pokazano przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy zastosowaniu tlenku grafenu i grafenu, jak również zmiany ugięcia chipa laserowego w obecności tlenku grafenu i grafenu. Pomiary wykonano dla diod na pasmo 880 nm. Abstract. It has been shown that covering side walls of a laser diode’s chip with graphene oxide (GO) results in reduction of the laser diode's thermal resistance. Reduction of the temperature of the diode itself is also observed. In turn, additional covering the n-contact of the chip with GO results in the diode's temperature increase. On the other hand, alternative application of a chemical graphene layer in this place gives further temperature decrease. This can be explained by much higher emissivity of graphene layer compared to GO. The shifts of lasing spectral characteristics (in the 880 nm band) as well as changes in chip's deflection connected with GO and graphene applications are also shown. (Application of graphene oxide and graphene in laser diodes technology). Słowa kluczowe: tlenek grafenu, grafen, dioda laserowa, charakterystyki spektralne, rezystancja termiczna, pomiary termowizyjne. Keywords: graphene oxide, graphene, laser diode, spectral characteristics, thermal resistance, thermal measurements. Wprowadzenie Diody laserowe wytwarzają duży strumień ciepła podczas pracy, dlatego w celu skutecznego rozpraszania ciepła, a tym samym osiągnięcia lepszych parametrów elektro-optycznych są lutowane na chłodnicy 'stroną p-do dołu'. Autorzy sprawdzili możliwość dodatkowego odprowadzenia ciepła z obszaru aktywnego diody laserowej do chłodnicy poprzez zastosowanie warstwy tlen[...]

Materiały i przyrządy optoelektroniczne dla zastosowań w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni DOI:10.15199/13.2018.3.9


  Obszary zastosowań koherentnych źródeł emitujących w zakresie NIR - MidIR Wzrost zainteresowania koherentnymi źródłami promieniowania w paśmie podczerwieni, bliskiej (NIR - długość fali λ do 2,5 μm) i średniej (MidIR - 2,5 - 25 μm) w ciągu ostatnich lat wiąże się z odkryciami nowych zjawisk/własności lub nowych aspektów znanych zjawisk i wynikającymi z nich możliwościami zastosowań. Równolegle, rozwój technologii materiałowych umożliwia konstrukcję efektywnych przyrządów na to pasmo. Dotyczy to zastosowań cywilnych jak i obszaru obronności. Istotne jest, że pasma te uznane są za ‘bezpieczne dla oka’ (promieniowanie o długościach fal λ powyżej 1,4 μm praktycznie całkowicie absorbowane jest przez ciało szkliste oka, co ochrania siatkówkę). Dlatego emitery na ten zakres spektralny można stosować zarówno w systemach zamkniętych jak i otwartych - do wolnej przestrzeni. Poniżej omówione są skrótowo niektóre zastosowania gospodarcze i specjalne: ● Detekcja gazów (np. H2O, CO2, N2O) prowadzona w warunkach lokalnych przy mocach rzędu 15 μW oraz w systemach dalekiego zasięgu jak LIDAR lub satelitarny monitoring gazów cieplarnianych z zastosowaniem nanosekundowych impulsów promieniowania o energii rzędu 90 mJ; ● Pomiary atmosfery (np. zachmurzenie, prędkość wiatru, koncentracja pary wodnej). Wykorzystywany jest fakt, że promieniowanie z zakresu 2 μm absorbowane jest w powietrzu jedynie przez parę wodną (linia absorpcyjna ok. 1,9 μm), jednocześnie tuż obok dla λ powyżej 2,1 μm występuje okno transmisyjne (rys. 1, czerwone zaznaczenie); Rys. 1. Transmisja wody i wynikowa (z uwzględnieniem wszystkich składowych) transmisja atmosfery Fig. 1. Water transmission and resultant (taking all constituents) atmosphere transmission Elektronika 3/2018 33 Telekomunikacja w wolnej przestrzeni - wykorzystywane jest ww. okno atmosferyczne w paśmie 2 - 2.5 μm. Z powodu s[...]

 Strona 1