Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"JANUSZ KANIEWSKI"

Supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

Czytaj za darmo! »

Detekcja promieniowania w podczerwieni ma istotne znaczenie praktyczne. Podstawowymi przykładami zastosowań są: telekomunikacja optyczna w otwartej przestrzeni, spektroskopia w podczerwieni, analiza cieczy, ciał stałych i gazów, pirometria, skanery termiczne, bezkontaktowe pomiary wilgotności, techniki wojskowe oraz wiele innych. Są to zastosowania bardzo różnorodne, wymagające użycia przyrządów o różnorodnej konstrukcji. Jednym z typów detektorów obecnie szeroko stosowanych są bolometry termiczne. Podstawową ich wadą jest mała szybkość reakcji, wynikająca z zasad działania. Natomiast parametry istniejących detektorów fotonowych, charakteryzujących się gigahercową szerokością pasma są ograniczone przez wiele zjawisk natury chemicznej i fizycznej. Detektory fotonowe mogą być po[...]

Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb


  Detekcja promieniowania w podczerwieni ma istotne znaczenie praktyczne. Podstawowymi przykładami zastosowań są: telekomunikacja optyczna w otwartej przestrzeni, spektroskopia w podczerwieni, analiza cieczy, ciał stałych i gazów, pirometria, skanery termiczne, bezkontaktowe pomiary wilgotności, techniki wojskowe oraz wiele innych. Są to zastosowania bardzo różnorodne, wymagające użycia specyficznych przyrządów o różnorodnej konstrukcji. Jednym z typów detektorów obecnie szeroko stosowanych są bolometry termiczne. Podstawową ich wadą jest mała szybkość reakcji, co wynika z ich zasady działania. Natomiast parametry istniejących detektorów fotonowych, charakteryzujących się gigahercową szerokością pasma, są ograniczone przez szereg zjawisk natury chemicznej i fizycznej. Istniejące detektory fotonowe mogą być podzielone na dwie grupy w zależności od typu przejść optycznych: międzypasmowe i wewnątrzpasmowe. Rekombinacja Auger w przypadku detektorów międzypasmowych (głównie wykonanych ze związków HgCdTe) i duża szybkość termicznej generacji w detektorach wewnątrzpasmowych QWIP (Quantum Well Infrered Photodetector) ograniczają parametry przyrządów fotonowych. Alternatywnym rozwiązaniem są detektory wykorzystujące supersieci (superlattice SL) II rodzaju InAs/GaInSb. Ten system materiałowy ma wiele właściwości, podobnych do tych jakie obserwuje się w HgCdTe. Współczynniki absorpcji w obu materiałach są podobne. Tak więc grubości warstw i wydajności kwantowe detektorów z obu tych materiałów są podobne. Przyrządy wykonane z obu systemów materiałowych wykorzystują przejścia międzypasmowe i szerokość przerwy energetycznej może być tak dobrana aby graniczna długość fali dla detektorów zmieniała się od ok. 3 do ≥25 μm [1, 2]. Nowoczesne fotodetektory podczerwieni Obecnie na bazie supersieci z InAs/GaInSb na świecie konstruowane są fotodiody o osiągach porównywalnych z uzyskiwanymi dla fotodiod z HgCdTe [3-11]. Typowe fotodiody [...]

Conductance at InAs, InGaAs and GaAs MBE Epi - layers

Czytaj za darmo! »

Structural inaccuracy, especially in layered structures, is one factor that affects how the magnitude of a magnetic field influences measured charge transport properties [1]. Gold and Nelson [2], while studying transport properties of HgCdTe layers, reported on the influence of different charge carriers using Hall characterization. An exhaustive review concerning these phenomena was undertaken by Meyer et all [3]. Such disorder was first described and interpreted by the so-called mobility spectrum by Beck and Anderson [4] and many papers have focused on this problem [5-10]. For proper characterization of a multi-carrier conduction system, the number of independent measurements must match the number of desired physical quantities. In actuality, complete characterization of mult[...]

Wykrywalność detektorów średniej podczerwieni wykonanych z supersieci InAs/GaSb DOI:10.15199/13.2016.9.2


  W artykule rozważono wpływ różnych typów szumów na wykrywalność detektora średniej podczerwieni wykonanego z supersieci InAs/GaSb. W rozważaniach uwzględniono wpływ układów polaryzacji i wzmacniania sygnału oraz różne rodzaje szumów występujące w detektorze. Wykrywalność detektora wyznaczono z uwzględnieniem szumu 1/f, szumu układu wzmacniania, szumu śrutowego i termicznego. Słowa kluczowe: wykrywalność, detektory podczerwieni, supersieć InAs/GaSb, szum 1/f.Wykrywalność znormalizowana D* jest jednym z najistotniejszych parametrów charakteryzujących detektory podczerwieni. Dla detektora fotowoltaicznego, pracującego z niezerowym napięciem polaryzującym w układzie wzmacniania sygnału, wielkość D* definiuje się jako [1], [2]: , (1) gdzie Ri jest czułością prądową, A jest powierzchnią elektryczną detektora, natomiast Sit(f), Siś(f), Si1/f(f), Siw(f) są funkcjami gęstości widmowej mocy (g.w.m.) prądu szumów, kolejno: termicznego, śrutowego, 1/f oraz układu wzmacniania. Zazwyczaj podaje się wykrywalność, która uwzględnia tylko szum termiczny [3] lub/i śrutowy [4]. Takie podejście nie jest w pełni uzasadnione, ponieważ głównym czynnikiem ograniczającym wykrywalność fotowoltaicznych detektorów średniej podczerwieni w zakresie częstotliwości do kilkudziesięciu [5], a niekiedy kilkuset kiloherców [6] może być szum 1/f. Ponieważ nie istnieje uniwersalny model szumu 1/f w przyrządach półprzewodnikowych, określenie wykrywalności detektora w zakresie małych częstotliwości (m.cz.) wymaga eksperymentalnego wyznaczenia poziomu tych szumów. Należy również rozważać szumy, jakie wprowadza układ wzmacniania sygnału. Detektor i układ pomiarowy Wzrost struktury supersieciowej InAs/GaSb odbywał się w technologii Molecular Beam Epitaxy na podłożu GaSb. Schemat detektora o strukturze diody p-i-n przedstawiono na rys. 1a. W supersieci typu n warstwy InAs domieszkowano tellurem, natomiast w supersieci typu p warstwy GaSb domieszkowano berylem. Obszar [...]

Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb


  Technologia otrzymywania supersieci InAs/GaInSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji, optymalizacją technologii otrzymywania supersieci, "processingiem" struktur prowadzącym do otrzymania detektorów oraz ich pasywacją. Jednak potencjalne znaczenie supersieci InAs/GaInSb jest duże, co w przyszłości może spowodować dominację tego związku w konstrukcji detektorów podczerwieni, szczególnie w zakresie dalszej podczerwieni. Należy również podkreślić, że supersieci InAs/GaInSb z powodzeniem mogą być stosowane w produkcji niechłodzonych detektorów podczerwieni. Eksperymentalnie wykazano, że ich parametry są podobne do tych, jakie uzyskuje się dla HgCdTe. Dodatkową zachętę dla podjęcia tematyki detektorów na bazie supersieci stanowi fakt, że ze względu na zagrożenie dla środowiska w najbliższych latach przewiduje się stopniową eliminację rtęci (Hg) i kadmu (Cd) z technologii półprzewodnikowych. Trudności występujące przy wytwarzaniu tego typu detektorów powodują, że stosunkowo mało grup zajmuje się tą tematyką. Dotychczas w Polsce nikt nie zajmował się zastosowaniem supersieci do wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Nowoczesne fotodetektory podczerwieni Podstawowym celem pracy było zaprojektowanie i wykonanie pełnej, zoptymalizowanej struktury detektora promieniowania podczerwonego na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/ GaSb. Do realizacji tego celu konieczne było opanowanie technologii wytwarzania warstw i supersieci metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE (Molecular Beam Epitaxy) oraz ich charakteryzacji. "Processing" oraz pomiary przyrządu były przedmiotem odrębnych prac wykonanych w firmie VIGO System. Procesy epitaksji prowadzono w reaktorze RIBER 32P. Do charakteryzacji warstw i struktur stosowano następujące metody: - do obrazowania powierzchni stosowano mikroskopię optyczną, - do określenia szorstkości powierzchnio wykorzystano mikroskopię sił[...]

The unique combined Confocal Raman Imaging and Scanning Electron Microscopy and AFM - study of (100) GaSb passivated surface DOI:10.15199/ELE-2014-198


  LOT-QuantumDesign offers high-tech products since 1970. Since the beginning of 2012, LOT is a part of the Quantum Design International. This is why the company has changed its name from LOT-Oriel to LOT-QuantumDesign. Focusing on innovations and constantly introducing new technologies, LOT-QuantumDesign is a leading expert for an optical, structural and chemical imaging tasks. LOT-QuantumDesign and WITec are very good and long term partners offering Witec microscopy series which features scanning probe as well as high resolution optical and Raman microscopy techniques in either a single instrument or combined system configurations for the highest flexibility throughout a wide range of microscopy applications. For example, it is possible to start with Confocal Raman Microscopy and upgrade later to Atomic Force Microscopy (AFM) or vice versa. With such a combined instrument, chemical information can be directly linked to structural AFM information from the same sample area using only one instrument. For high-resolution optical information, the system can even be equipped with Scanning Near-field Optical Microscopy (SNOM) capabilities. The principles of Raman Imaging and Scaning Electron Microscopy Raman spectroscopy relies on an inelastic scattering, or Raman scattering, of monochromatic light, usually from a laser in the visible, near infrared, or near ultraviolet range. The laser light interacts with the molecular vibrations, phonons or other excitations in the system, resulting in the energy of the laser photons being shifted up or down. The shift in energy gives an information about the vibrational modes in the system. The Raman spectra of different speciments have been presented in Fig. 1. The WITec Raman microscope and imaging system combines an extremely sensitive confocal microscope with an ultrahigh-throughput spectroscopy system for unprecedented chemical sensitivity. WITec confocal microscope systems provide depth [...]

 Strona 1