Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"JAKUB WALCZAK"

Materiały o dużej stałej dielektrycznej w tranzystorach MOS

Czytaj za darmo! »

Od ponad 40 lat rozwój mikroelektroniki jest opisywany i prognozowany prawem Moore'a, zgodnie z którym liczba tranzystorów w najbardziej zaawansowanym, wprowadzanym na rynek układzie scalonym jest podwajana co około 18 miesięcy. Najważniejszym czynnikiem tego wzrostu jest zmniejszanie rozmiarów elementów układu. Parametrem definiującym wielkość tranzystora MOS jest fizyczna długość bra[...]

Modelowanie struktur MOS z podwójną barierą potencjału


  Struktura metal-izolator-półprzewodnik z podwójną barierą potencjału (DB MOS) składa się z zewnętrznych elektrod bramki i półprzewodnikowego podłoża oraz bariery złożonej z dwóch warstw dielektryka i rozdzielającej je warstwy półprzewodnika. Na rys. 1 przedstawiono schematyczny wygląd i model pasmowy struktury DB MOS z podłożem typu n, studnię kwantową tworzy niedomieszkowana warstwa krzemowa rozdzielona warstwami SiO2. Przepływ prądu przez strukturę, polegający na tunelowaniu nośników między półprzewodnikowym podłożem i bramką, wymaga grubości warstw izolujących rzędu pojedynczych nanometrów. W zależności od grubości studni potencjału może następować kwantyzacja energii elektronów i dziur (studnia kwantowa), wpływając na elektrostatykę układu fizycznego. W zależności od powierzchni poprzecznej studni potencjału struktura może wykazywać przewodnictwo jednorodne lub jednoelektronowe efekty blokady kulombowskiej. Sterowanie prądem odbywa się poprzez zmianę potencjału studni kwantowej. Potencjał studni może być kontrolowany poprzez galwaniczny kontakt, przez elektrodę bramki za pośrednictwem efektu polowego lub też może ustalać się samoistnie (potencjał pływający). Struktura MOS z podwójną barierą potencjału (DB MOS) może pełnić w przyrządach nanoelektronicznych różne role: (a) rezonansowego przyrządu tunelowego (dioda tunelowa, tranzystor tunelowy), (b) złożonej warstwy bramkowej z krystalicznymi wtrąceniami krzemu stanowiącymi pułapkę elektronową lub dziurową, (c) pułapki (elektronowej bądź dziurowej) dla nośników w krzemowym podłożu dla potrzeb nieulotnych pamięci. Na rysunku 3 przedstawiono dwa możliwe mechanizmy transportu nośników pomiędzy podłożem, a bramką. W przypadku sekwencyjnego tunelowania nośników przez obie bariery z pośrednim etapem elektrycznego ładowania studni na skutek rozpraszania elektronów mówimy o tun[...]

 Strona 1