Wyniki 1-8 spośród 8 dla zapytania: authorDesc:"JULIUSZ SZCZĘSNY"

Wpływ konstrukcji cyfrowych układów scalonych na generację zaburzeń elektromagnetycznych

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów emisji zmiennych pól EM w funkcji częstotliwości taktowania, generowanych przez układy scalone w formie matryc FPGA, zawierające często spotykane bloki funkcjonalne, rozmieszczone w różnych miejscach struktury półprzewodnikowej [1,2]. Opracowano w tym celu dwa projekty układów scalonych mających za zadanie mnożenie liczb w nieskończonej pętli programowej. Pierwszy z projektów wykorzystywał algorytm mnożenia kombinacyjnego a drugi sekwencyjnego. Projekty te były dodatkowo modyfikowane w celu zmiany liczby i topologii aktywnych bramek logicznych. Każdy projekt układu scalonego był implementowany do matrycy cyfrowej Xilinx typu XCV 800. Zmiany konfiguracji oraz liczby bloków funkcjonalnych wykorzystywanych przez każdy z projektów pozwoliły[...]

Wpływ nieciągłości impedancji linii paskowych na integralność sygnałową i EMC

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono analizę kilku typowych rozwiązań konstrukcyjnych linii paskowych, powodujących nieciągłości impedancji i rzutujących na integralność sygnałową SI i kompatybilność EMC. Podano propozycje ulepszeń. Wskazano na częściowe tylko uwzględnienie tych zagadnień w podstawowych pakietach programowych do projektowania PCB firm Mentor Graphics i Cadence Design System. Skrótowo tylko ws[...]

Cyfrowe układy scalone o niskich poziomach napięcia zasilającego

Czytaj za darmo! »

Zmniejszanie rozmiarów geometrycznych struktur układów scalonych, zarówno w płaszczyźnie pionowej jaki poziomej, jest ciągłą tendencją obserwowaną w procesie rozwoju tych układów. Celem wskazanego kierunku zmian, rzutującego na rozwiązania technologiczno-konstrukcyjne układów, jest możliwość uzyskania lepszych parametrów elektrycznych, wysokiego stopniaminiaturyzacji i dużej złożoności funkc[...]

Nowe zadania pomiarów ostrzowych w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych


  Większość operacji technologicznych w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych przeprowadza się na płytkach wyciętych z monokryształu półprzewodnika. W przypadku najczęściej stosowanego monokrystalicznego krzemu (Si) średnica płytek dochodzi obecnie do 300 mm (12 cali) przy grubości płytek 775 μm; grubość ze względu na wytrzymałość mechaniczną musi być większa dla dużych płytek - przy średnicy płytek 51 mm wynosiła ona tylko 275 μm. Podaje się [1], że dla danej średnicy płytki d [mm] i przewidywanej powierzchni wytwarzanego przyrządu np. układu scalonego S [mm2] można otrzymać teoretycznie następującą liczbę struktur DPW (Die Per Wafer) DPW = d π (d/4S - 1/√2S) (1) Strukturę (die) może stanowić oddzielny element półprzewodnikowy np. tranzystor mocy lub złożony wieloelementowy układ scalony (mikroukład). Struktura powstaje w wyniku przeprowadzenia wielu, zwykle powyżej kilkudziesięciu, operacji (procesów) chemicznych i fizycznych. Wśród nich wymienić należy utlenianie powierzchni półprzewodnika, dyfuzję w podwyższonej temperaturze wybranych domieszek, implantację jonów domieszek, trawienie chemiczne oraz nanoszenie metalicznych ścieżek połączeń i pól kontaktowych. Zaprojektowane rozmieszczenie w półprzewodniku powstających dzięki tym operacjom obszarów o różnych właściwościach i ich ukształtowanie uzyskuje się w wyniku zastosowania odpowiednich masek i wykorzystaniu procesów fotolitograficznych lub elektronolitografii. Kilka-, kilkanaście płytek półprzewodnika, tworzących partię produkcyjną jest poddawane obróbce w tym samym czasie, a w niektórych operacjach sekwencyjnie. Koszt wytworzenia na płytce jednej struktury jest zatem niewielki, nawet po uwzględnieniu, że uzysk - rozumiany jako stosunek liczby struktur dobrych do wszystkich struktur na płytce - odbiega od jedności. Kwalifikację struktur na płytce można przeprowadzić wówczas, gdy na strukturę zostały naniesione metaliczne pola kontaktow[...]

Elektronika w pojazdach samochodowych. Część 1. Charakterystyczne narażenia eksploatacyjne


  Można przyjąć, że pierwszym urządzeniem elektronicznym wykorzystywanym w samochodach był odbiornik radiowy (lata 1928-1929, firma Motorola). Począwszy od tego czasu radioodbiorniki samochodowe były stopniowo rozwijane i udoskonalane, szczególnie po wprowadzeniu elementów półprzewodnikowych. Obecnie są one wręcz centrami multimedialnymi, wyposażonymi w odtwarzacze płyt CD lub DVD, w łącze/łącza Bluetooth, czytnik kart pamięci i/lub port USB do odtwarzania muzyki z pamięci mobilnych, a także posiadają rozbudowane sterowanie. Z takim centrum multimedialnym współpracują rozmieszczone przestrzennie głośniki, często dużej mocy. Obok odbiorników radiowych, w samochodach instalowane są również od ponad kilkunastu lat nadajniki i odbiorniki do łączności lokalnej, pracujące w paśmie CB (Citizen Band, 27 MHz, moc wyjściowa do 4 W). Ocenia się, że w początku lat siedemdziesiątych ubiegłego wieku udział elektroniki w koszcie samochodu wynosił tylko ok. 2%, ponieważ dominującymi były podzespoły mechaniczne i elektromechaniczne. Ta sytuacja zaczęła się istotnie zmieniać już w następnej dekadzie, prowadząc do ponad 20% udziału elektroniki w 2004 roku i prawie 40% udziału obecnie. Przyczyną tak gwałtownego rozwoju elektroniki samochodowej były rosnące wymagania dotyczące czystości spalin (np. układ regulacji lambda), komfortu jazdy (np. klimatyzacja, nawigacja, urządzenia audio i video) oraz bezpieczeństwa (np. układy ABS, ESP, poduszki powietrzne, czujniki zbliżeniowe). W celu ujednolicenia ogólnych wymagań dla układów elektronicznych stosowanych w pojazdach samochodowych, przedstawiciele 4 firm: Delco, General Motors, Chrysler i Ford prowadzili od 1992 r. rozmowy w tym zakresie, tworząc w 1993 r. Radę AEC (Automotive Electronics Council). W ramach jej działalności powstało szereg norm dotyczących wymagań dla podzespołów elektronicznych przeznaczonych do zastosowań w motoryzacji, w tym norma AEC-Q100 dotycząca układów scalonych i norma AE[...]

Elektronika w pojazdach samochodowych. Część 2. Magistrale komunikacyjne, podzespoły półprzewodnikowe


  W niniejszej pracy zamieszczono przegl.d magistrali (linii, szyn) komunikacyjnych wykorzystywanych w instalacjach elektrycznych pojazdow samochodowych oraz opisano zasadnicze rodzaje przyrz.dow po.przewodnikowych stosowanych do budowy modu.ow funkcjonalnych i uk.adow elektronicznych w samochodach. Rozpatrzono mo.liwe przyczyny i mechanizmy uszkodze. przyrz.dow po.przewodnikowych. Szczegoln. uwag. zwrocono na zagadnienia niezawodno.ci uk.adow scalonych, od ktorych w du.ym stopniu zale.y jako.., niezawodno.. i w.a.ciwo.ci funkcjonalne stosowanych modu.ow i uk.adow elektronicznych. Omawiane zagadnienia uzupe.niaj. informacje podane w poprzedniej pracy [1], w ktorej wskazano funkcje realizowane obecnie w samochodach za pomoc. elektroniki oraz okre.lono, jakich nara.e. silnie rzutuj.cych na niezawodno.. nale.y oczekiwa. w trakcie eksploatacji samochodu. Magistrale komunikacyjne w instalacjach samochodowych Z przedstawionego przegl.du wynika, .e w samochodzie stosuje si. wiele, praktycznie powy.ej kilkudziesi.ciu lub nawet stu czujnikow, pozwalaj.cych monitorowa. i kontrolowa. szereg wielko.ci fizycznych. W celu efektywnego wykorzystania tak du.ej liczby czujnikow (sensorow) powinny one by. w..czone w komputerowy system kontrolno-steruj.cy, w ktorym przebiega. b.dzie transmisja sygna.ow. Ze wzgl.dow praktycznych po..dane jest, aby przesy.ane sygna.y mia.y posta. cyfrow.. Z tego powodu czujniki powinny by. podzespo.ami tzw. inteligentnymi. Oznacza to, .e w jednej obudowie powinien by. umieszczony nie tylko sam element czujnikowy (sensor), lecz tak.e przetwornik analogowo-cyfrowy i odpowiedni obwod wyj.ciowy (interfejsowy). W samochodach stosuje si. szeregow. transmisj. danych cyfrowych, przesy.aj.c ci.g bitow tworz.cych sygna. kolejno bit po bicie. Dla potrzeb instalacji samochodowych opracowano w przemy.le motoryzacyjnym kilka interfejsow szeregowych . szeregowych magistrali (szyn) do przesy.u danych. Niektore z nich uzyska.y s[...]

Elektronika w pojazdach samochodowych. Część 3. Jak uzyskać dużą niezawodność


  Wymagania dotyczące niezawodności elektroniki samochodowej uznać można za równorzędne z wymaganiami parametrycznymi i funkcjonalnymi [1, 2]. Przyjmuje się, że wymagany czas poprawnej pracy przyrządów półprzewodnikowych i modułów elektronicznych stosownych w motoryzacji powinien wynosić conajmniej 10…15 lat, co odpowiada 100…150 tys. godzin użytkowania samochodu (włączając w to okresy jazdy i postoju). Pożądane jest wydłużenie tego czasu życia do około 25 lat. Tak jak w przypadku większości obiektów technicznych wyróżnia się zwykle i oddzielnie analizuje wstępny okres ich użytkowania. Ujawniają się wtedy pewne wady materiałowe, błędy techniczne, niepoprawności montażowe itd., które powodują, że w tym na ogół dość krótkim początkowym okresie obserwuje się wystąpienie stosunkowo większej liczby uszkodzeń niż w dalszych okresach użytkowania. Dla ilościowego porównania można posłużyć się parametrem znanym jako intensywność uszkodzeń λ, który określa się jako iloraz liczby uszkodzeń n obserwowanych w ustalonym przedziale czasu Δt w zbiorze badanych obiektów. Biorąc pod uwagę osiągnięty już obecnie wysoki poziom niezawodności przyrządów półprzewodnikowych, jako praktyczną miarę intensywności uszkodzeń stosuje się FIT (Failures In Time), wynikający z liczby uszkodzeń zaobserwowanych w czasie miliarda (ameryk. bilion) godzin, a w zasadzie przyrządo-godzin tzn. jako n/109 h. Inną ze stosowanych miar jest DPM (Defects Per Million), będącą liczbą defektów (uszkodzeń) w pewnym ustalonym przedziale czasu w zbiorze miliona przyrządów. Gdy można założyć stałą intensywność uszkodzeń λ, to łatwo znaleźć zależność między tymi miarami. Niech λ = 10 FIT, a więc 10/109 h; wtedy w przedziale 10 000 h (ok. 1 roku) DPM wynosi 10/109x104 = 100 DPM. Spotkać także można miarę oznaczaną za pomocą skrótu PPM (Parts Per Million), wskazującą liczbę wyróżnionych części (jednostek) w zbiorze o liczności 1 miliona tzn. 1 PPM =[...]

Badania odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne impulsowe

Czytaj za darmo! »

W pracy opisano metody badań odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne, a zwłaszcza zaburzenia impulsowe. Szczególną uwagę poświęcono generacji odpowiednich sygnałów testowych oraz sposobom ich sprzęgania z badanym układem. Abstract. In the work the methods of testing integrated circuits immunity to electromagnetic disturbances, and especially pulse disturbances, are describ[...]

 Strona 1