Wyniki 1-10 spośród 19 dla zapytania: authorDesc:"KOPIA A."

Microstructure investigation of thin films SnO2 produced by pulsed laser deposition

Czytaj za darmo! »

The domain of gas concentration measurements - that was until recently important primarily in industrial technologies - has become important in atmosphere pollution research and in issues related directly to households (emission of toxic gasses, such as CO, NOx, CH4) [1]. A sensor for detecting and measuring gas concentrations should be characterized by appropriately high sensitivity, selectivity, a short response time and stability. These requirements led to a fast development of research on semiconductor-based gas sensors (Tab. 1). They meet the majority of these requirements and their appeal is additionally due to the simplicity of their structure and low costs of production. In series production, thick-layered sensors based on SnO2 pay the dominant role beside sensors based on sintered ceramic materials. The role of thin-layered technologies has been noticeably growing. Slow abandonment of thick-layered sensors is related to worse utility properties, compared to thin-layered sensors. The data available in the relevant literature show that high thickness of a gas-sensitive material is connected with big grain, which leads to reduction of the resistance of such material, but also to reduction of the active surface, i.e. of the sensitivity. Thick-layered sensors are also characterised by lower selectivity. In case of thin-layered sensors, surface conductivity - highly dependant on their gas environment - has a considerable share in the electric conductivity. In such sensors, the sensitivity and detection threshold are improved and the response time is reduced. Tin dioxide SnO2 is a material that is most often used in thinlayered[...]

Cienkowarstwowe półprzewodnikowe czujniki gazów

Czytaj za darmo! »

Czujnik do wykrywania i pomiaru stężeń gazów powinien charakteryzować się odpowiednio dużą czułością, selektywnością, krótkim czasem odpowiedzi i stabilnością [1]. Wymagania te spowodowały szybki rozwój badań nad półprzewodnikowymi czujnikami gazowymi. Spełniają one większość tych wymagań, a ich atrakcyjność spowodowana jest dodatkowo prostotą ich budowy i niskimi kosztami produkcji. Materiałem gazoczułym mogą być zarówno półprzewodniki nieorganiczne, jak i organiczne. Do półprzewodników nieorganicznych zalicza się pierwiastki (np. Si, Pt, Pd), tlenki binarne metali przejściowych, związki o strukturze perowskitu oraz nadprzewodniki wysokotemperaturowe (tab. 1). Jednym z kierunków badań są prace prowadzone nad uzyskaniem czujników zespolonych, charakteryzujących się dużą selektywnością. System taki powinien składać się z kilku czujników, mogących jednocześnie być stosowanymi do detekcji więcej niż jednego gazu (rys. 1). Przy konstrukcji takich czujników ważne jest, aby materiał gazoczuły nie reagował jednakowo na badane gazy, czyli poszukuje się takich materiałów, w których własności elektryczne zmieniają się pod wpływem atmosfery w sposób wyraźny. Nanokrystaliczne tlenki ceru, cyny, rutenu czy wolframu mogą być stosowane jako jeden z takich materiałów. Przemawiają za tym ich właściwości. W podwyższonej temperaturze i w atmosferze o małej zawartości tlenu CeO2-x łatwo się redukcje i staje się niestechiometryczny w zakresie 0 < x < 0,5 [3]. Może być więc stosowany w reakcjach z takimi gazami, jak: NOx, CH4, CO i SO2. Dwutlenek rutenu o uprzywilejowanej orientacji krystalograficznej (110) ma lepsze własności katalityczne ze względu na obecność większej liczby miejsc aktywnych dzięki obecności nie w pełni skoordynowanej liczby atomów rutenu przez atomy tlenu. Charakteryzuje się także długim czasem pracy ciągłej [4]. Czujniki takie otrzymuje się głównie przez naparowanie metodami fizycznymi (PVD, PLD), osadzanie metodami CVD lub m[...]

Mikrostruktura i badania spektroskopowe cienkich warstw Mn2O3-CeO2 osadzanych techniką PLD

Czytaj za darmo! »

Problematyka pomiarów stężenia gazów, istotna do niedawna głównie w technologiach przemysłowych, stała się obecnie ważna zarówno w badaniach skażenia atmosfery, jak i bezpośrednio w gospodarstwie domowym (wydzielanie toksycznych gazów, takich jak CO, NOx, CH4) [1÷3]. Czujnik do wykrywania i pomiaru stężeń gazów powinien charakteryzować się odpowiednio dużą czułością, selektywnością, krótkim czasem odpowiedzi i stabilnością. Wymagania te spowodowały szybki rozwój badań nad półprzewodnikowymi czujnikami gazowymi. Spełniają one większość tych wymagań, a ich atrakcyjność spowodowana jest dodatkowo prostotą ich budowy i niskimi kosztami produkcji. Sygnał użyteczny w takich czujnikach rejestrowany jest w wyniku zmiany napięcia, związanego ze zmianą oporności warstwy gazoczułej pod wpływem atmosfery redukującej lub utleniającej. Przez celowe wprowadzenie domieszki (Nd2O3, Mn2O3) modyfikuje się własności elektryczne półprzewodnika, wytwarzając w jego strukturze pasmowej dodatkowe stany elektronowe. Ponadto stabilizuje się jego strukturę oraz modyfikuje powierzchnię w celu otrzymania optymalnej liczby centrów aktywnych. Tlenki ceru i manganu postrzegane są jako potencjalne niskotemperaturowe czujniki gazów. Eigenmann i współ. [4] wykazali wysoką aktywność katalityczną układu Mn/(Mn + Ce) w porównaniu z aktywnością katalityczną czystych tlenków. Najwyższą adsorpcję NH3 i redukcję NO uzyskano dla układu z zawartością 25% mol. Mn2O3. Badania stopnia utleniania CO w obecności różnych tlenków MnxOy przeprowadzili Han i współ. [5]. Wykazali oni, iż jedynie faza Mn2O3 całkowicie utlenia CO w temperaturze T = 527 K. Tego typu warstwy wytwarzane są głównie z zastosowaniem metod chemicznych [4], zol-żel [6] rzadziej metodą PLD [7]. Jak wykazano we wcześniejszych badaniach [8, 9], stosując metodę PLD możemy modyfikować strukturę i tekstur[...]

Structural characterization and properties of M-WO3 (M = Au, Pt) thin films prepared by pulsed laser deposition


  A sensor for detecting and measuring gas concentrations should be characterized by appropriately high sensitivity, selectivity, a short response time and stability. These requirements led to a fast development of research on semiconductor-based gas sensors [1, 2]. The tungsten trioxide is the competition to others oxides compositions regarding low costs of production and high sensitivity in the presence of H2S, NOx, SO2. However, sensitivity of the sensor, its stability and working time highly depend on microstructure, thickness of film, grain size and grade of specific surface [3, 4]. M. Bendahan et al. [5] showed in their investigations, that using magnetron sputtering it is possible to obtain WO3 films sensitive to O3, however, the sensitivity depends on working temperature. WO3, Ag-WO3, Au-WO3 and Pt-WO3 films produced by means of magnetron sputtering method were investigated in the area of sensitivity and selectivity by M. Stankova et al. [6]. Authors showed that WO3 films coated with z 3÷4 nm layer of Au or Ag are sensitive to presence of H2S in CO2 at temperature T = 260°C, but not reacting when SO2 is present in CO2. F. Mitsuga et al. [7] produced WO3 films using laser ablation method and showed that the highest sensitivity to the presence of NOx presented films in the temperature 200°C. Investigations into the sensitivity of WO3, Au-WO3 and Pt-WO3 films produced with PLD method were done by H. Kawasaki et al. [8]. Authors observed sensitivity four times higher for Au-WO3 and Pt-WO3 films regarding pure WO3 at the temperature 300°C. In all the cases investigated WO3 films characterized high sensitivity to various gases at different temperature. These films properties allowed the temperature modulation and direct WO3 films to detection of specified gas to be applied. In our previous investigation [9][...]

Optimisation of electric and catalytic properties of the nanocrystalline RuO2 for catalytic applications

Czytaj za darmo! »

Catalytic and electric properties of ruthenium oxide, RuO2, were presented. Sol-gel technique was employed to produce the oxide. As input materials (precursors) there were used RuCl3xH2O and Ru(NO)(NO3)3 mixed with etanol for 24h and aged for 7 days. From thus obtained sols the nano-powders were produced and their samples were analysed by X-ray diffractometer, scanning microscope and transmis[...]

Cienkie warstwy LaCoO3 na bazie perowskitu wykonane metodą ablacji laserowej

Czytaj za darmo! »

Perowskity należą do najbardziej zasobnych minerałów w skorupie ziemskiej. Szacuje się, że ponad 50% obj. skorupy ziemskiej ma strukturę perowskitu [1]. Materiały te swoją nazwę otrzymały od minerału CaTiO3 opisanego po raz pierwszy w 1830 r. przez geologa Gustawa Rose, który nazwał je na cześć mineraloga rosyjskiego, L. A. Perowskiego. Ogólny wzór, którym opisuje się perowskity, to ABX3. A i B to jony metali, a X to wodór, tlen, azot, węgiel lub halogenki; najczęściej jest to jednak tlen. Natura jonu B wywiera główny wpływ na właściwości perowskitu, np. SrTiO3 jest izolatorem, gdy w miejsce B podstawi się Co czy Fe, to perowskit będzie miał przewodnictwo mieszane. Te różnice w przewodnictwie mogą być wyjaśnione przez różne konfiguracje elektronowe jonu B [2, 3]. Niektóre perowskity typu ABO3 zawierające metal przejściowy w położeniu B są uważane za materiały o mieszanym przewodnictwie. Ze względu na ich duże przewodnictwo jonowe i elektronowe materiały na bazie perowskitów LaCoO3 znalazły zastosowanie jako membrany tlenowe, elektrody oraz katalizatory utleniające oraz czujniki tlenowe [4]. Obecnie istnieje wiele typów perowskitów o mieszanym przewodnictwie, które są stosowane jako membrany do separacji tlenu. Jednym z typów tych materiałów są perowskity oparte na ceramice LaCoO3 domieszkowane strontem. Transport jonów tlenu w tego typu materiałach odbywa się przez wakancje, które powstają w wyniku domieszkowania trójwartościowego jonu La dwuwartościowym jonem Sr [5]. Perowskity na bazie LaCoO3 cieszą się dużym zainteresowaniem ze względu na unikatową cechę jaką jest zmiana stanu spinowego Co3+, co prowadzi do niezwykłych właściwości fizycznych. Wraz ze wzrostem temperatury stan spinowy LaCoO3 zmienia się ze stanu niemagnetycznego - niskospinowego (LS), do stanu średniospinowego (IS) w temperaturze 100 K, a następnie staje się mieszanką stanu IS oraz stanu wysokospinowego (HS) w temperaturze ok. 300 K [6, 7]. W celu osiągnięci[...]

Wpływ szybkości chłodzenia na mikrostrukturę i własności mechaniczne stali 34CrMo-4 DOI:10.15199/24.2015.4.4


  W artykule przedstawiono wyniki badań dotyczące wpływu szybkości chłodzenia na mikrostrukturę podczas hartowania i własności me- chaniczne stali 34CrMo-4 po hartowaniu i wysokim odpuszczaniu. Jako chłodziwo stosowano wodę i dwa oleje hartownicze Hartex 70S i OH120M. Próbki po obróbce cieplnej poddano badaniom za pomocą mikroskopii świetlnej, skaningowej mikroskopii elektronowej oraz po- miarom twardości i udarności. Przeprowadzono numeryczną symulację procesu hartowania za pomocą programu komputerowego Heat_CTP. Results of the investigation of cooling rate during quenching on microstructure and mechanical properties of 34CrMo-4 steel are presented. Three quenchants for quench hardening of steel were applied: water and oils Hartex70S and OH120M. The hardness distribution on section of quenched specimens was investigated. Additionally, impact test of quenched and tempered steel was carried out. The microstructure of specimens after heat treatment was investigated, using light microscopy and SEM. Results of experimental investigations were in good agreement with results of computer simulation of quenching process. Słowa kluczowe: hartowność stali, ulepszenie cieplne, stal 34CrMo-4, chłodziwa hartownicze Key words: hardenability of steel, steel 34CrMo-4, quenching and tempering, quenchants.Wprowadzenie. Wśród stali konstrukcyjnych ważną grupę stanowią stale do ulepszania cieplnego, których własności mechaniczne są osiągane drogą ulepszania cieplnego czyli hartowania połączonego ze średnim lub wysokim odpuszczaniem. Własności te zależą od hartowności stali, która określa zdolność do tworzenia struktury martenzytycznej. Jako miary har- towności przyjmuje się takie parametry, jak: średnica krytyczna, idealna średnica krytyczna, szybkość kry- tyczna chłodzenia, vkr, i grubość warstwy zahartowanej [1÷6]. Spośród miar hartowności na szczególną uwagę zasługuje szybkość krytyczna chłodzenia, vkr. Niech vs i vp będą szybkościami chłodzenia, odpowi[...]

 Strona 1  Następna strona »