Wyniki 1-7 spośród 7 dla zapytania: authorDesc:"ELŻBIETA STARYGA"

Wpływ domieszkowania azotem warstw diamentowych na właściwości emisyjne układu DF/Si

Czytaj za darmo! »

Wzrost zainteresowania warstwami diamentowymi wytwarzanymi przy użyciu metod plazmo-chemicznych postępuje między innymi, ze względu na atrakcyjne właściwości fizykochemiczne tego materiału, takie jak, np. wysoka twardość, dobre przewodnictwo cieplne, dobra adhezja do podłoża i stosunkowo niska wartość powinowactwa elektronowego, co ma istotne znaczenie dla emisji elektronów z powierzchni warstw. W literaturze przedmiotu wskazuje się, że istotnymi czynnikami sprzyjającymi emisji elektronów z tego materiału są ujemna wartość powinowactwa elektronowego powierzchni warstwy diamentowej [1-3] oraz wysoka zawartość inkluzji grafitowych w warstwie diamentowej [4]. Ujemna wartość powinowactwa elektronowego efektywnie obniża barierę na granicy warstwa/próżnia umożliwiając tunelowanie e[...]

Czy diament jest właściwym materiałem do wytworzenia emitera polowego?

Czytaj za darmo! »

W ciągu ostatnich lat wzrasta zainteresowanie warstwami węglowymi wytwarzanymi metodami plazmochemicznymi przy niskim ciśnieniu ze względu na ich atrakcyjne właściwości fizykochemiczne. Warstwy diamentowe charakteryzują się m.in. wysoką twardością, odpornością chemiczną, wysokim przewodnictwem termicznym, a także ujemną wartością powinowactwa elektronowego (nEa), co ma istotne znaczenie dla [...]

Wpływ warunków wytwarzania na właściwości emisyjne warstw diamentopodobnych

Czytaj za darmo! »

W ostatnich latach wzrosło zainteresowanie warstwami diamentopodobnymi DLC (ang. Diamond-Like Carbon) wytwarzanymi przy użyciu metod plazmochemicznych, ze względu na ich atrakcyjne właściwości fizykochemiczne.Warstwy DLC charakteryzują się m.in. wysoką twardością, odpornością chemiczną, wysokim przewodnictwem termicznym, a także stosunkowo niską wartością powinowactwa elektronowego, co ma istotne znaczenie dla emisji elektronów z powierzchni tych warstw [1]. Ujemna wartość powinowactwa elektronowego efektywnie obniża barierę na granicy warstwa diamentowa/ próżnia umożliwiając tunelowanie elektronów do próżni przy niskich polach elektrycznych [2]. Istotnym czynnikiem sprzyjającym emisji elektronów z powierzchni warstw DLC jest wysoka zawartość węgla amorficznego w warstwie diam[...]

Wpływ struktury warstwy diamentowej na emisję elektronów z układu powłoka diamentowa/krzem


  Atrakcyjne właściwości fizykochemiczne warstw diamentowych wytwarzanych przy użyciu metod plazmo-chemicznych, takie jak, np. wysoka twardość, dobre przewodnictwo cieplne, dobra adhezja do podłoża i stosunkowo niska wartość powinowactwa elektronowego sprawiają, że materiał ten pozostaje ciągle w szerokim zainteresowaniu. W literaturze przedmiotu wskazuje się, że istotnymi czynnikami sprzyjającymi emisji elektronów z tego materiału jest wartość powinowactwa elektronowego powierzchni warstwy diamentowej, która w zależności od rodzaju atomów wysycających wolne wiązania (terminacji) na powierzchni, zmienia się od -1,3 do +1,7 eV [1, 2]. Istotne znaczenia ma również obecność inkluzji grafitowych w warstwie diamentowej [3]. Ujemna wartość powinowactwa elektronowego dla warstw terminowanych wodorem efektywnie obniża barierę potencjału na granicy warstwa/próżnia umożliwiając tunelowanie elektronów do próżni przy niskich polach elektrycznych. Domieszka azotu w warstwie diamentowej może wpływać na zmianę właściwości elektrycznych warstwy, co sugerują Helmbold i inni [4]. Wskazują oni, że wzrost przewodności elektrycznej, w domieszkowanych warstwach węglowych jest spowodowany wzrostem grafityzacji struktury, wywołanym wprowadzeniem domieszki. Zhao i inni [5] uzyskali obniżenie natężenia pola włączeniowego Et-on od wartości około 17 V/μm (dla warstw diamentowych niedomieszkowanych) do wartości 14 V/μm, dla warstw implantowanych atomami azotu o dawce 20·1015 atomów/cm2. W celu otrzymania układów o wydajnej emisji elektronów przeprowadzono badania układów o stosunkowo niskim powinowactwie elektronowym i strukturze charakteryzującej się wysoką zawartością wtrąceń grafitopodobnych oraz dużym zdefektowaniem. W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu struktury warstw diamentowych oraz ich domieszkowania azotem na emisję elektronów. Zaproponowano w oparciu o model stochastycznego rozkładu promieni kanałów przewodzenia w warstwi[...]

Wpływ parametrów fizycznych warstwy ITO na pracę azotkowych laserów typu VCSEL DOI:10.15199/13.2016.9.11


  W pracy przedstawiono wyniki modelowania półprzewodnikowego lasera o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową wykonanego z materiałów azotkowych. Jednym z kluczowych elementów tych konstrukcji jest warstwa ITO (ang. Indium Tin Oxide) charakteryzująca się wysoką przewodnością elektryczną, ale jednocześnie wysoką absorpcją. Warstwa ta zapewnia odpowiedni rozpływ prądu w strukturze. W pracy przedstawiono wpływ zmian wartości przewodności elektrycznej i absorpcji warstwy ITO na pracę lasera VCSEL. Analizę przeprowadzono dla struktur różniących się długościami rezonatora i aperturami elektrycznymi. Słowa kluczowe: ITO, GaN, laser VCSEL, laser półprzewodnikowy.Półprzewodnikowe lasery VCSEL (od ang. Vertical-Cavity Surface- Emitting Laser) cechuje między innymi praca na pojedynczym modzie podłużnym, duża szybkość modulacji, niska cena, mała szerokość spektralna wiązki. Dlatego lasery te znalazły wiele zastosowań. Obecnie w komercyjnych zastosowaniach używa się prawie wyłącznie laserów VCSEL wy-konanych z materiałów arsenkowych, które emitują promieniowanie czerwone i podczerwo- ne. Wykorzystuje się je powszechnie np. w optycznym przesyle informacji na krótkie odległości. W latach 90. firma Nichia z Japonii jako pierwsza skonstruowała laser emitujący niebieską wiązkę [1]. Był to laser o emisji krawędziowej EEL (ang. Edge Emitting Laser). Od tego czasu wiele ośrodków naukowych podejmowało próby wytworzenia laserów azotko-wych typu VCSEL działających w temperaturze pokojowej z falą ciągłą. Do tej pory tylko kilka ośrodków naukowych wytworzyło działające konstrukcje tego typu. Pierwszy laser pracujący w temperaturze pokojowej z falą ciągłą został skonstruowany przez UCT (ang. Universitat Ciao Tung) z Tajwanu dopiero w roku 2012 [2]. Podobne konstrukcje skonstruo-wano również w EPFL (fr. École Polytechnique Fédérale de Lausanne) [3], w U CST - Uniwersytet St. Barbara w Kalifornii [4] oraz w firmie Nichia [5] i Panasonic [6]. Jed[...]

 Strona 1