Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"JAROSŁAW SERAFIŃCZUK"

Mikroskopia bliskiego pola Shear Force/sił atomowych z interpretacją wyników poddanych transformacie FFT

Czytaj za darmo! »

W 1986 r. Binnig i Rohrer otrzymali nagrodę Nobla za odkrycie mikroskopu tunelowego (STM - ang. Scanning Tunneling Microscopy), umożliwiającego obserwacje pojedynczych atomów [1]. To wydarzenie zapoczątkowało trwający do dnia dzisiejszego rozwój różnych technik bliskiego pola, które, wykorzystując zjawiska fizyczne z obszaru nanometrowego, pozwalają na obserwację obiektów o skrajnie małych r[...]

32 - kanałowy cyfrowy regulator PID na bazie układu FPGA do zastosowań w mikroskopii sił atomowych


  Skaningowa mikroskopia sił atomowych to nowoczesna metoda badań powierzchni. Umożliwia m.in. pomiar topografii powierzchni na poziomie ułamków nanometrów. Ograniczeniem wielu przemysłowych zastosowań tej metody jest jednak stosunkowo małe pola skanowania, które wynosi zwykle 100 na 100 μm. Rozwiązaniem problemu może być zastosowanie do pomiarów powierzchni zamiast pojedynczej sondy matrycy belek [1]. Umożliwi to proporcjonalne skrócenie czasu pomiaru w przeliczeniu na zmierzoną powierzchnię. Zwiększenie liczby mikrobelek zastosowanych do pomiaru wiąże się jednak z proporcjonalnym rozbudowaniem systemu pomiarowego. Tor pomiarowy mikroskopu sił atomowych (ang. Atomic Force Microscope) dla pojedynczej sondy pomiarowej przedstawiono na rys. 1. W przypadku zastosowania matryc[...]

AP-MOVPE technology of AIIIBV-N heterostructures for photovoltaic applications


  Properties of dilute nitrides material system like large discontinuity of a conduction band (due to high electronegativity of nitrogen) [1], large band gap bowing coefficient [2], increased electron effective mass [3], large scattering rate (connected with a small radius of nitrogen atom in comparison with the others V group atoms) [4] provide a way to novel applications: telecommunications lasers [1], heterojunction bipolar transistors [5] and very efficient solar cells [6]. InGaAsN is a very promising, lattice matched to GaAs and In0.5Ga0.5P material with band gap about 1 eV. The control of indium and nitrogen amounts in the InGaAsN quaternary alloy offers the ability to tailor the value of band gap and positions of valence and conduction band edges. Main advantage of dilute nitrides is a large reduction of band gap caused by nitrogen introduction (about ~150 meV/% of N). The technology of GaAs is better developed and still much cheaper than indium phosphide and allow to fabricate much better Bragg reflectors (based on the high refractive index contrast GaAs/AlAs heterostructure) for laser applications. Moreover, this material system guarantees a good temperature performance of light emitters and a high internal quantum efficiency of solar cells. On the other hand, growth of InGaAsN quaternary alloy causes some technological problems. The [...]

Wybrane zagadnienia metrologii mikro- i nanostruktur


  Postęp w dziedzinie mikro- i nanotechnologii jest związany nie tylko z rozwojem technologii wytwarzania mikro- i nanostruktur, ale również wymaga opracowania i wdrożenia nowych metod i technik badania stosowanych materiałów, konstruowanych przyrządów i podzespołów. Od technik i metod badawczych oczekuje się w tym przypadku przede wszystkim możliwości metrologicznej - innymi słowy - ilościowej oceny obserwowanych zjawisk. Dodatkowo powinny one się charakteryzować dużą czułością pozwalającą często na rejestrację zjawisk kwantowych oraz - w wielu przypadkach - nadzwyczajną lokalną zdolnością rozdzielczą umożliwiającą przeprowadzenie eksperymentu w obszarze kilkudziesięciu nanometrów kwadratowych. Należy zwrócić uwagę, że metrologia obejmuje nie tylko praktykę prowadzenia pomiaru, ale obejmuje również jego aspekty teoretyczne. W przypadku mikro- i nanostruktur oznacza to również interpretację rejestrowanych wyników, wykraczającą poza stosowane w makroskali rozumowanie bazujące często na statystycznym uśrednianiu. Konieczne jest również opracowanie i wdrożenie wiarygodnych i powszechnych metod skalowania stosowanych układów i przyrządów, co umożliwiałoby porównywanie wyników między poszczególnymi laboratoriami. Zakład Metrologii Mikro- i Nanostruktur (ZMMiN) Wydziału Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (WEMIF) Politechniki Wrocławskiej (PWr) zajmuje się opisanymi zagadnieniami od 2006 roku. Ideą prowadzonych badań jest, aby integrując różne metody i techniki badawcze, dokonywać ilościowej oceny zachowań struktur spotykanych w nanotechnologii, biotechnologii i technice mikrosystemów. Integracja ta obejmuje techniki pomiaru właściwości elektrycznych (m. in. spektroskopia impedancyjna, ang. Impedance Spectroscopy, IS), skaningową mikroskopię elektronową (ang. Scanning Electron Microscopy, SEM), mikroskopię bliskich oddziaływań (ang. Scanning Probe Microscopy, SPM), dyfraktometrię rentgenowską (ang. X-ray diffraction, XRD), optoele[...]

 Strona 1