Zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora i szybkie zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora DOI:10.15199/ELE-2014-030
W komercyjnie dostępnych układach scalonym (np. wzmacniaczu
operacyjnym, mikroprocesorze) znajduje się więcej
tranzystorów i diod niż niezbędna ilość do wykonywania podstawowych
funkcji danego urządzenia. Te dodatkowe elementy
półprzewodnikowe (np. diody poziomujące) na wejściu
i wyjściu układu scalonego są niezbędne do zapewnienia
prawidłowego działania układu scalonego w żądanych warunkach.
Diody poziomujące zabezpieczają przed przepięciami
jak i zniekształceniami sygnałów. Używane są również inne
bardziej złożone elementy półprzewodnikowe, które zabezpieczają
przed uszkodzeniem układów scalonych przez wyładowaniami
elektrostatycznymi. Pochodzenie takich impulsów
może mieć różne źródła. Aby ułatwić charakteryzację poszczególnych
źródeł zagrożenia wyróżniono trzy podstawowe
modele:
- model ciała ludzkiego- Kondensator o pojemności 100 pF
jest ładowany do wysokiego napięcia (od 200 V do 8 kV)
a następnie jest rozładowywany przez rezystor 1,5 kΩ
i obciążany element. Na rys. 1 jest przedstawiony schemat
modelu ciała ludzkiego i kształt impulsu, jaki generuje
dany model. Długość impulsu osiąga wartość kilku dziesiątych
mikrosekundy a wysokość impulsu prądowego nie
- model naładowanego urządzenia- polega na zastąpieniu
naładowanego elementu scalonego układem zbudowanym
z kondensatora (1-20 pF) rozładowywanego przez
rezystor o pojemności 1 Ω. Uzyskiwane tą metodą impulsy
mają czas trwania około 2ns i wysokość większą niż 2 A.
Na rysunku trzecim (rys. 3) został przedstawiony model
naładowanego urządzenia.
Rys. 1. a) model ciała ludzkiego rozładowywany poprzez rezystor
1,5 [...]
Wyładowania elektrostatyczne w układach scalonych: modele ESD i powodowane zniszczenia
ostatnich dziesięcioleciach nastąpił nagły rozwój mikroelektroniki, objawiający się ciągłym zmniejszaniem rozmiarów elementów układów scalonych, zwiększaniem szybkości ich działania, jak również zmniejszaniem poboru mocy. Rozwój technologii MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) spowodował, że wyładowania elektrostatyczne stały się bardzo poważnym zagrożeniem dla układów scalonych na etapie ich pro[...]
Metody zabezpieczania układów CMOS o wysokiej skali integracji przed wyładowaniami elektrostatycznymi ESD
Ze względu na wyładowania elektrostatyczne (ESD) [1,8] niezbędne jest zabezpieczanie elementów układów scalonych. Elementy lub obwody zabezpieczające są opracowywane tak, aby odprowadzić nadmiarowe ładunki elektryczne do masy albo ograniczać prądy i napięcia w chronionym obwodzie. Podstawową zasadą jest zaprojektowanie elementów, które zmieniają swoją rezystancję z wysokooporowej (rzędu M [...]