Akustyczne mody płytowe w kryształach piezoelektrycznych
Rozchodzenie się fal akustycznych w kryształach piezoelektrycznych można rozpatrywać dla trzech przypadków przedstawionych na rys. 1. Pierwszy przypadek dotyczy akustycznych fal objętościowych (AFO) rozchodzących się w nieograniczonej przestrzeni - rys. 1a [1]. W prostokątnym układzie współrzędnych (x1, x2, x3), dla trzech składowych wektora przemieszczeń mechanicznych uj ( j = 1, 2, 3) oraz[...]
Właściwości akustycznych modów płytowych w niobianie litu o orientacji YZ
Akustyczne mody płytowe (AMP) w niobianie litu (LiNbO3) o orientacji YZ były dotychczas badane w związku z powstawaniem szkodliwych sygnałów w górnym paśmie zaporowym filtrów z akustyczną falą powierzchniową (AFP) [1]. Brak jest jednak obliczeń rozkładu amplitud dla poszczególnychAMP oraz oceny możliwości ich zastosowań w czujnikach cieczowych. Obliczenia i pomiary Obliczenia AMP przeprowad[...]
Właściwości akustycznych modów płytowych w niobianie litu o orientacji YX
Pierwsze obliczenia widma akustycznych modów płytowych (AMP) w niobianie litu (LiNbO3) o orientacji YX przedstawiono w pracy [1]. Z obliczeń tych wynika, że dla niektórych AMP współczynniki sprzężenia elektromechanicznego powinny być większe niż dla akustycznej fali powierzchniowej (AFP). W artykule przedstawiono wyniki obliczeń widma i rozkła - dów przemieszczeń mechanicznych, oraz wyniki pomiarów widma i wpływu lepkości cieczy na właściwości AMP. Wyniki obliczeń Obliczenia wykonano przy pomocy programu komputerowego opracowanego w ITME [2]. Dla cięcia YX, osie falowego (x1,x2,x3) i krystalograficznego (XYZ) układu współrzędnych (rys. 1) są zorientowane w taki sposób, że x1||X, x2||Z i x3||Y. Podobnie jak w przypadku orientacji YZ [3], do obliczeń wybrano h/λ = 9, gdzie[...]
Właściwości akustycznych fal powierzchniowych w płaszczyźnie Z kryształu GaN
GaN jest interesującym kryształem do zastosowań w podzespołach
półprzewodnikowych, optycznych i piezoelektrycznych.
Należy on do heksagonalnego systemu krystalograficznego
(grupa punktowa 6 mm). W tym przypadku, osie
prostokątnego układu współrzędnych X, Y i Z powinny być
w następujący sposób związane z osiami krystalograficznymi
a i c: a//X, c//Z, zaś oś Y jest prostopadła do osi X i Z i tworzy
z nimi prawoskrętny układ współrzędnych [1] (rys. 1). Osie x1,
x2 i x3 falowego układu współrzędnych są równoległe odpowiednio
do osi X, Y i Z. Pół-izolacyjne płytki GaN cięcia Z są
obecnie dostępne na rynku [2].
z wyrażenia K 2 ≅ 2(vf - vm) / vf . Uzyskano następujące wyniki:
vf ≅ 3912 m/s i K 2 ≅ 0,11%. Parametry te są jednakowe dla
wszystkich kierunków propagacji AFP w płaszczyźnie Z.
Metoda i wyniki pomiarów
Do pomiarów AFP zastosowano linię opóźniającą z p[...]