Wyniki 1-10 spośród 33 dla zapytania: authorDesc:" JACEK RĄBKOWSKI"

Techniki modulacji szerokości impulsów dla trójfazowego falownika typu Z

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono najnowsze osiągnięcia w zakresie technik modulacji szerokości impulsów (PWM) używanych do sterowania łącznikami falowników typu Z, w tym także dla układu o dwukierunkowym przekazywaniu energii. Oprócz omówienia trzech technik (włącznie z proponowaną przez autora) dokonano porównania właściwości układu pracującego z ich zastosowaniem, co pozwoliło wskazać ich przydatność w różnych zastosowaniach. Artykuł został zilustrowany wynikami badań modelu laboratoryjnego 3x200V/2kVA. Abstract. This paper describes newest achievements of pulse width modulation (PWM) techniques for Z-source inverter, suitable also for bidirectional version. Besides description of three techniques (including one proposed by author), a comparison of inverter properties under various PWM tec[...]

Silicon carbide JFET - fast, high voltage semiconductor device for power electronics applications

Czytaj za darmo! »

In this paper basic features of Junction Field Effect Transistor (JFET), fully controlled device made of silicon carbide (SiC) are presented. With the use of JFET samples static and dynamic characteristics are determined and short circuit behavior is shown. The gate driver with overcurrent protection has been developed and applied in step-down DC/DC converter. Streszczenie. W artykule przedstawiono podstawowe właściwości tranzystora JFET, w pełni sterowanego elementu wykonanego w technologii węglika krzemu (SiC), pod kątem zastosowania go w energoelektronice. Wykorzystując próbki elementów dostarczone przez producenta wyznaczono charakterystyki statyczne a także dynamiczne elementu oraz zbadano jego zachowanie się w stanie zwarcia. Opracowano sterownik bramkowy z zabezpieczeniem nadp[...]

Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz) DOI:10.15199/48.2016.05.09

Czytaj za darmo! »

W artykule omówiono zagadnienia związane z projektowaniem i budową falownika mostkowego wykorzystującego azotkowo-galowe (GaN) tranzystory typu Gate Injection Transistors (GIT). Przedstawione są podstawowe właściwości tych tranzystorów wraz z tematyką dotyczącą ich sterowników bramkowych. Następnie zaprezentowany jest model laboratoryjny falownika o mocy 2kVA pracującego z częstotliwością przełączeń równą 250kHz. Artykuł ilustrowany jest wynikami badań laboratoryjnych. Abstract. The paper discuses issues related to design and construction of the H-bridge inverter using Gallium Nitride (GaN) Gate Injection Transistors (GIT). Basic features of the transistors are shown together with gate driver topics. Then, a laboratory model of the 2kVA inverter operating at switching frequency of 250 kHz is presented. The paper is illustrated with experimental results. Design and construction of the Hbridge inverter using Gallium Nitride (GaN) Gate Injection Transistors Słowa kluczowe: azotek galu (GaN), falownik jednofazowy, sterowniki bramkowe. Keywords: gallium nitride (GaN), single-phase inverter, gate drivers. Wstęp Obok intensywnej ekspansji nowej technologii przyrządów półprzewodnikowych mocy z węglika krzemu (SiC) [1]-[4] następuje w ostatnim czasie także rozwój w zakresie elementów wykonanych z azotku galu (GaN) [5]- [19]. Pozytywne doświadczenia energoelektroników z diodami i tranzystorami SiC spowodowały, że kolejne przyrządy oparte na materiale o szerokim paśmie zabronionym (wide band-gap) przyjmowane są z dużym zainteresowaniem. Wydaje się, że ich droga do zastosowań praktycznych może być krótsza. Właściwości materiałowe GaN takie, jak prawie 3-krotnie szersze pasmo zabronione i 10-krotnie wyższa wartość krytycznego natężenia pola elektrycznego niż w krzemie (Si) [1] przy wyższej od 4H-SiC ruchliwości nośników, predysponują tranzystory azotkowogalowe do pracy w obszarze wyższych częstotliwości. Gorsza przewodność termiczna powoduje, [...]

Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET


  Technologia przyrządów półprzewodnikowych z węglika krzemu (SiC) dostarcza w miarę swojego rozwoju nowe przyrządy wykorzystujące bardzo dobre właściwości tego materiału [1]. Kilka lat po wprowadzeniu na rynek diod Schottky’ego stały się one powszechnie stosowanym elementem w zasilaczach o jednostkowym współczynniku mocy (PFC), można znaleźć też przykłady zastosowań w układach przekształtników DC/DC, falownikach napędowych, czy falownikach do współpracy ze źródłami fotowoltaicznymi. Następnym spodziewanym krokiem jest komercyjna premiera elementu aktywnego wykonanego z węglika krzemu. W chwili obecnej można uznać za najbardziej zaawansowane prace nad tranzystorami SiC MOSFET, SiC BJT oraz SiC JFET, przy czym te ostatnie dostępne w formie próbek wydają się najbliższe kome[...]

Analiza strat mocy w elementach półprzewodnikowych falownika typu Z dla różnych metod PWM


  Falownik typu Z to jedna z nowych topologii przekształtników energoelektronicznych powstałych z myślą o sprzęganiu odnawialnych źródeł energii z odbiornikami lub siecią trójfazową. Zasadniczą cechą tego rodzaju źródeł jest niskie i zmieniające się w szerokim zakresie napięcie, które przed zamianą na napięcie przemienne musi zostać podwyższone do odpowiedniej wartości. Dlatego zazwyczaj układ sprzęgający zawiera dwa stopnie przetwarzania, tak jak podany na rys. 1a przykład - falownik napięcia z przekształtnikiem podwyższającym DC/DC. Falownik typu Z (schemat wersji podstawowej zaproponowanej w [1] przedstawiono na rys. 1b) zawiera charakterystyczny obwód LC, tzw. obwód Z, który pozwala pracować w dwóch trybach. W trybie obniżającym, zasada działania jest analogiczna do falownik[...]

Modulator trzypoziomowego falownika typu FLC z regulacją napięcia na kondensatorze o zmiennym potencjale

Czytaj za darmo! »

Artykuł opisuje oryginalny modulator szerokości impulsów trzypoziomowego falownika typu FLC (ang. Flying Capacitor) opracowany w celu zastosowania w filtrze aktywnym. Oprócz możliwości kształtowania napięcia wyjściowego zapewnia on także stabilizację napięć na kondensatorach o zmiennym potencjale. W pracy przedstawiono zasadę działania modulatora, podano wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych jednofazowego falownika trzypoziomowego. Abstract. The paper describes the original PWM modulator of the flying capacitor converter developed to Active Power Filter application. Besides output voltage control, presented solution provides control and stabilization of the voltage across the flying capacitor during transients of the DC circuit. The paper consists of the modulator description, simulations as well as experimental results of the single phase, three-level inverter (PWM modulator for three-level FLC inverter with the flying capacitor voltage balancing) Słowa kluczowe: przekształtnik wielopoziomowy, kondensatory o zmiennym potencjale, stabilizacja napięć, FLC Keywords: Multilevel converter, balancing the flying capacitor voltages, Flying Capacitor Converter Wstęp Dwupoziomowe falowniki napięcia, pracujące jako równoległe filtry aktywne prądu w sieciach o napięciu powyżej 3x400V, wymagają zastosowania tranzystorów IGBT o napięciu blokowania wyższym niż 1,2kV. Częstotliwość przełączeń takich tranzystorów w falownikach o mocy kilkaset kW jest ograniczona ze względu na komutacyjne straty mocy i na przykład dla klasy napięciowej 1,7kV praktycznie nie powinna przekraczać 7kHz. Tak mała częstotliwość pracy wymaga zastosowania na wyjściu falowników filtrów LC (eliminujących składową w.cz.) o odpowiednio małej częstotliwości rezonansowej, co z kolei ogranicza wymaganą stromość prądów wyjściowych. Właściwości falowników wielopoziomowych umożliwiają wykorzystanie tranzystorów o napięciu blokowania mniejszym od napięcia w obwodzie DC, char[...]

Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes

Czytaj za darmo! »

This paper describes the design, construction and tests of 2kVA three-phase Current Source Inverter with Silicon Carbide (SiC) JFETs and Schottky diodes. Low forward voltage drops and switching energies of SiC elements result in the switching frequency increase to 100kHz and passive elements, especially inductors, are significantly reduced. Operation of the 2kVA/400VDC/3x400VAC model is illustrated by laboratory test results - measured efficiency at nominal power was 96,55% Streszczenie. Artykuł przedstawia projektowanie, konstrukcję i badania trójfazowego falownika prądu o mocy 2kVA zbudowanego z użyciem elementów z węglika krzemu: diod Schottky’ego i tranzystorów JFET. Małe spadki napięcia i energie przełączeń tych elementów pozwalają zwiększyć częstotliwość pracy układu do 100kHz. W efekcie elementy bierne obwodu, ze szczególnym uwzględnieniem dławików zostały znacząco zmniejszone. Działanie modelu 2kVA/400VDC/3x400VAC jest zilustrowane wynikami badań laboratoryjnych, sprawność układu przy mocy nominalnej wynosi 96,55%. (Falownik trójfazowy z tranzystorami JFET i diodami Schottky’ego z węglika krzemu). Keywords: silicon carbide, JFET, Schottky diode, current source inverter. Słowa kluczowe: węglik krzemu, tranzystor JFET, dioda Schottky’ego, falownik prądu. Introduction The Silicon Carbide (SiC) technology brings new semiconductor devices with improved properties in reference to Silicon (Si) [1]-[3]. Most popular SiC device is now Schottky diode offered on the market as discrete parts (up to 1,2kV/20A [4]) or in module with Si IGBT (1,2kV/360A [5]). Significant reduction of switching losses due to lack of reverse recovery make it attractive in various applications of power electronics as PFC, drives or DC/DC converters. Another device made from Silicon Carbide, Junction Field Effect Transistor (JFET), also shows excellent properties from the power electronics point of view [6]-[10]. Due to thin drift zone the on-[...]

Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors DOI:10.15199/48.2015.03.03

Czytaj za darmo! »

The paper presents experimental evaluation of Gate Injection Transistors produced on the base of Gallium Nitride (GaN). Authors show double-pulse test results and measurements of the half-bridge converter with inductive load. Obtained results indicate very good performance of new devices which are able to operate at high switching frequency and low power losses (0.6% losses of converter power at 150 kHz was achieved). Streszczenie. Artykuł przedstawia ocenę w trybie eksperymentu tranzystorów typu Gate Injection Transistor zbudowanych na bazie azotku galu (GaN). Autorzy prezentują wyniki testów dwupulsowych a także wyniki pomiarów układu półmostka obciążonego dławikiem. Wyniki wskazują na bardzo dobre parametry nowych przyrządów, charakteryzujących się niskimi stratami mocy nawet przy dużych częstotliwościach przełączeń (uzyskano 0.6% strat mocy przekształcanej przy 150kHz) (Ocena w trybie eksperymentu azotkowo-galowych tranzystorów typu GIT). Keywords: Gallium Nitride (GaN), Gate Injection Transistor (GIT), power losses, double-pulse test. Słowa kluczowe: Azotek galu, tranzystor GIT, straty mocy, test dwupulsowy. Introduction Last year's field of power devices is revolutionized by truly exciting new technologies. Besides continuous improvement in Silicon-based devices, to mention only latest IGBTs with seriously increased switching performance [1] or low power MOSFETs with on-state resistances of single m[...]

 Strona 1  Następna strona »