Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"OLOF ENGSTRÖM"

Elektryczne profile w epitaksjalnym GaAs:Si z dużą koncentracją defektów o niejednorodnych rozkładach przestrzennych indukowanych przerwą wzrostu


  Nowoczesne struktury z QDs z InAs/GaAs s. najcz..ciej wytwarzane MBE, technik. Stra.skiego-Krastanowa [1.4], stosuj.c metod. przerywanego wzrostu [5.7]. Poprzez wielokrotne powtorzenie sekwencji depozycji InAs i pauzy wzrostu w nadmiarze arsenu (optymalizowanej w zale.no.ci od temperatury i szybko.ci wzrostu) uzyskuje si. dobr. jako.. powierzchni granicznej InAs/GaAs, co w konsekwencji prowadzi do formowania QDs o nieznacznej dyspersji rozmiarow, nie gorszej ni. 10% [8]. Jednak ostatnie wyniki naszych bada. spektroskopi. pojemno.ciow. wykazuj., .e wytwarzanie QDs z InAs/GaAs t. technik. prowadzi do aglomeracji defektow w bezpo.rednim s.siedztwie p.aszczyzny QDs [9]. Celem niniejszej pracy jest scharakteryzowanie defektow generowanych podczas wzrostu QDs i wnioskowanie o ich naturze. Dla .atwiejszej interpretacji wykonano i badano struktury kontrolne, ktore stanowi. odniesienie dla struktur z QDs z InAs/GaAs. Struktury tworz. dwie warstwy GaAs (ktore w strukturach z QDs odpowiadaj. warstwie buforowej i przykrywkowej) rozseparowane w.skim obszarem GaAs zdefektowanym w wyniku dokonania przerw wzrostu. Do bada. struktur wykorzystano DLTS [10] i pomiary C-V [11] oraz zdolno.ci tych technik do profilowa. wg..bnych, ktore umo.liwi.y charakteryzacj. obszarow zdefektowanych. U.yte techniki wymagaj. warstwy .adunku przestrzennego, a wi.c dla ich funkcjonowania konieczne by.o wykonanie ze struktur diod Schottkyfego. Znaczenie wynikow niniejszej pracy, otrzymanych przy u.yciu tych ro.nych technik jest dwojakie: (i) poprzez zastosowanie DLTS w kilku wariantach dzia.ania wykazano, .e defekty s. indukowane w wyniku zastosowanej procedury wzrostu. Zosta.y one w pe.ni scharakteryzowane. Na podstawie otrzymanych sygnatur emisyjnych i ich porownania z danymi literaturowymi wnioskowano o pochodzeniu defektow i ich naturze. Wyniki tego typu bada. maj. znaczenie dla wykorzystania QDs w przyrz.dach, zw.aszcza z uwagi na fakt, .e wiedza n[...]

Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS


  Zastosowanie QDs jako elementów aktywnych w przyrządach elektronicznych wymaga wiedzy na temat szybkości wymiany nośników pomiędzy QDs i ich otoczeniem. W tym względzie DLTS jest unikalną techniką, bowiem takich informacji dostarcza w odniesieniu do bezpośrednich przejść. W ostatnim okresie technika TS-DLTS z powodzeniem została wykorzystywana do charakteryzacji struktur z QDs [1-3]. Jednak ze względu na złożoność procesów emisji, wynikającą z możliwości wielorakich dróg ucieczki nośników z QDs oraz z uwagi na poszerzenia rozkładów energetycznych, które są rezultatem fluktuacji rozmiarów QDs, interpretacja konwencjonalnych widm DLTS napotyka na duże trudności [4]. Częściowym rozwiązaniem problemu są pomiary w niskich temperaturach, w których jedynym procesem odpowiedzialnym za emisję nośników jest tunelowanie. Pomiary niskotemperaturowe w połączeniu z modelowaniem uwzględniającym wpływ pola elektrycznego na szybkość emisji pozwalają wyznaczyć strukturę energetyczną stanów w QDs [5]. Jednak informacje te są niewystarczające, gdyż urządzenia bazujące na QDs pracują w zakresie temperatur, w których efekty termiczne są ważne. W ostatnim czasie zaproponowano model, który traktuje emisję z QDs w sposób kompleksowy oraz do jego weryfikacji zaproponowano nową, wieloparametryczną technikę pomiarową bazującą na DLTS [6-8]. Pomiar sygnałów DLTS, S, związanych z QDs w funkcji T, z VR, jako parametrem, wraz z prezentacją danych w postaci wykresów trójwymiarowych lub konturowych na płaszczyźnie (T, VR) umożliwił identyfikację procesów ucieczki elektronów z QDs z InAs/GaAs [8]. Technika ta okazała się także przydatna do ustalenia warunków pomiarowych, które dla celów charakteryzacji stanów skwantowych, ze względu na złożoność procesów, muszą być optymalizowane [9]. W niniejszej pracy zaproponowano alternatywną metodę charakteryzacji stanów QDs wykorzystującą izotermiczne pomiary sygnału DLTS w funkcji f i VR. Działanie metody zaprezentowa[...]

Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE

Czytaj za darmo! »

Ogromny postęp, jaki dokonał się w metodach wytwarzania materiałów i heterostruktur półprzewodnikowych, umożliwił otrzymywanie struktur niskowymiarowych wysokiej jakości i wytwarzanie z nich struktur nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych. Techniki wzrostu, takie jak epitaksja z wiązek molekularnych - MBE (Molecular Beam Epitaxy), czy też osadzanie warstw ze związków metaloorganicznych [...]

 Strona 1