Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"RYSZARD KISIEL"

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

Czytaj za darmo! »

W ostatnich latach dokonał się duży postęp w badaniach nad materiałami półprzewodnikowymi o szerokiej przerwie energii zabronionej. Z półprzewodnikowych materiałów szerokopasmowych takich jak: SiC, GaN, GaAs, AlN, BN i diament, węglik krzemu jest materiałem najbardziej obiecującym oraz najszerzej badanym i najintensywniej rozwijanym. Efektem tych badań jest coraz większa liczba opracowywanyc[...]

Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC

Czytaj za darmo! »

W niniejszym artykule przedstawiono postęp prac w technologii wytwarzania metalizacji kontaktów omowych do n-SiC dla wyprowadzeń drutowych Au i Al oraz połączeń między metalizacją kontaktu, a polami kontaktowymi na podłożach ceramicznych. Jako niskorezystywne metalizacje kontaktu stosowano Ni oraz Ti, zaś wyprowadzenia drutowe realizowano techniką ultrakompresji lub termoultrakompersji. Wykazano, że połączenia wykonywane drutami Au do złotej metalizacji na SiC z kontaktem omowym Ti są stabilne po wygrzewaniu w powietrzu w 400oC. Natomiast połączenia wykonywane drutami Au do złotej metalizacji na SiC z Ni kontaktem omowym nie są stabilne po wygrzewaniu wysokotemperaturowym w powietrzu. Ponadto wyniki doświadczalne pokazują, że połączenia wykonywane drutem Al do glinowej metali[...]

Konferencja Technologia Elektronowa ELTE 2013


  Idea konferencji krajowej po.wi.conej szeroko rozumianej technologii elektronowej (akronim ELTE . Technologia Elektronowa) zrodzi.a si. pod koniec lat siedemdziesi.tych ubieg.ego wieku. Autorami tej koncepcji byli naukowcy z trzech najwa.niejszych wowczas o.rodkow badawczych. doc. dr Andrzej Ha.as z Politechniki Wroc.awskiej, prof. dr hab. Franciszek Kaczmarek . z Uniwersytetu im. A. Mickiewicza w Poznaniu oraz prof. dr hab. in.. Wies.aw Woli.ski i prof. Bogdan Paszkowski z Politechniki Warszawskiej. Zaproponowano, aby konferencji nada. formu.. ogolnokrajow., o tematyce okre.lonej przez jej inicjatorow jako .problemy naukowe i badawczo-rozwojowe dotycz.ce technologii elektronowej jako dziedziny nauki i techniki, ktorej celem jest . w oparciu o znane prawa fizyki i chemii . realizacja metod technologicznych, konstrukcja elementow i przyrz.dow elektronowych, wytwarzanie uk.adow scalonych typu hybrydowego i monolitycznego oraz konstrukcja aparatury technologicznej stosowanej w elektronice?h. Ustalono, .e konferencja b.dzie organizowana co 3 lata przez ro.ne o.rodki naukowe. Pierwsza, .Technologia Elektronowa ELTE ?f80?h zorganizowa.a zosta.a przez Politechnik. Wroc.awsk. we Wroc.awiu i Karpaczu 24.27 wrze.nia 1980 r. Obrady konferencji toczy.y si. w 4 sekcjach: technologia wysokiej pro.ni, technologia wi.zek elektronowych, jonowych i fotonowych, optoelektronika i mikroelektronika hybrydowa. Wyg.oszono 27 referatow i zaprezentowano 156 komunikatow w formie plakatowej. Dotychczasowymi organizatorami konferencji ELTE by.y: Politechnika Wroc.awska (czterokrotnie), Politechnika Warszawska (czterokrotnie), Akademia Gorniczo-Hutnicza (dwukrotnie) oraz Uniwersytet im. Adama Mickiewicza z Poznania (jeden raz). ELTE 2013, zorganizowana przez Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej jest ju. jedenast. konferencj. z tego cyklu. Na jej lokalizacj. wybrano odbudowany XIV-wieczny zamek krzy.acki w mazurskim mie.ci[...]

Kompozycje elektrycznie przewodzące w produkcji płytek drukowanych

Czytaj za darmo! »

Postępująca miniaturyzacja urządzeń elektronicznych jest możliwa dzięki postępowi w zakresie wytwarzania układów scalonych o coraz mniejszym wymiarze charakterystycznym oraz postępowi w zakresie wykonywania płytek drukowanych o dużej gęstości montażu. Ze względu na ograniczoną powierzchnię montażową płytek, z niektórymi elementami wchodzi się do wnętrza płytki, tworząc struktury przestrzenne[...]

Stabilność wybranych właściwości bezołowiowych połączeń lutowanych w grubowarstwowych układach hybrydowych

Czytaj za darmo! »

W 2003 r. Parlament Europejski uchwalił dyrektywy RoHS orazWEEE które ograniczają dopuszczalną zawartość szkodliwych substancji takich jak: ołów, kadm, rtęć i sześciowartościowy chrom w sprzęcie elektronicznym. Od tego momentu prowadzone są liczne prace nad lutami bezołowiowymi. Mimo dużych nakładów przeznaczonych na te prace, termin zakazu stosowania lutów bezołowiowych był wielokrotnie prz[...]

Mechanical and thermal properties of SiC - ceramics substrate interface


  Silicon carbide created new possibilities for high power and high temperature electronics due to its unusual physical properties, which are not attainable in conventional silicon semiconductor material. It has been demonstrated that SiC based power devices are able to operate at temperatures as high as 450°C [1, 2]. To realize the high temperature functions of SiC power devices, the development of high temperature packaging technologies becomes more and more important. Packaging technologies play main role in high power and high temperature electronics since they have an essential effect for the reliability of SiC power devices [8, 9]. One of the main problems of high power package is die bonding technology, which ought to assure not only mechanically reliable connection between SiC die and substrate, but also good electrical conductivity and high thermal conductivity. The latter feature is especially critical for power devices because it allows for effective heat transfer from power chip to the package. State-of-the-art technologies for interconnecting Si power devices involve attaching one terminal of the semiconductor die to a heat-sinking substrate with solder alloy or with an electrically conductive adhesive, while the other terminals are bonded by aluminum or gold wires as well as flip chip technology. Such interconnection technologies have several limitations in high-temperature operation because solder alloys/conductive adhesives usually have low melting/degradation temperatures. By changing substrate material is possible to increase heat dissipation. So, the package with DBC substrate is very good solution for high power application, since such package significantly improves heat dissipation and therefore is widely used in high power SiC modules. Investigations of new techniques are necessary for high temperature and high power SiC devices. Taking into account mentioned above requirements, only a few of the known die[...]

 Strona 1