Wyniki 1-10 spośród 29 dla zapytania: authorDesc:"ANNA PIOTROWSKA"

Drodzy Czytelnicy

Czytaj za darmo! »

Biezacy numer Elektroniki przynosi zbiór artykuółw z IV Konferencji Sprawozdawczej Projektu Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiał ów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. (InTechFun) realizowanego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka w latach 2009 - 2013. Wzorem ubiegyłch lat, sprawozdawane prace byył przedstawione w czasie dwu - dniowej Sesji Specjalnej na XI. Krajowej Konferencji Elektroniki w Darółwku Wschodnim (11 - 14.06.2012 r.). Ta forma sprawozdawczosci zdaje sie najlepiej sułzyc szerokiemu upowszechnianiu wiedzy zarówno o wynikach naukowych Projektu InTe[...]

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych - Panorama Projektu PO IG 01.03.01-00-159/08 InTechFun


  Niniejszy projekt obejmuje działania B+R wchodzace w zakres Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka, w obszarze tematycznym Info, w sektorze technologii informacyjnych i telekomunikacyjnych oraz optoelektroniki. Koordynatorem Projektu jest Instytut Technologii Elektronowej (ITE) w Warszawie. W projekcie poza ITE bierze udział 6 uczelni i instytutów, obejmuje łącznie 14 zespołów naukowo-badawczych: 1. Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie, w tym: a) Zakład Mikro- i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych, b) Zakład Badań Materiałów i Struktur Półprzewodnikowych, c) Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych, d) Zakład Analizy Nanostruktur Półprzewodnikowych. 2. Instytut Fizyki PAN, w tym: a) Ś rodowiskowe Laboratorium Fizyki i Wzrostu Kryształów Niskowymiarowych, b) Ś rodowiskowe Laboratorium Kriogeniki i Spintroniki, c) Zespół Epitaksji z Wiązek Molekularnych Oddziału Spektroskopii Ciała Stałego, d) Ś rodowiskowe Laboratorium Badań Rentgenowskich i Elektronomikroskopowych. 3. Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, w tym: a) Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, b) Instytut Radioelektroniki. 4. Politechnika Śląska w tym: a) Wydział Elektryczny - Katedra Optoelektroniki, b) Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki - Instytut Elektroniki, c) Instytut Fizyki - Centrum Naukowo-Dydaktyczne. 5. Politechnika Łódzka, Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej, Instytut Fizyki. 6. Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Optoelektroniki. Integrując kadrę naukową i zasoby materialne wiodących w tej dziedzinie zespołów badawczych z różnych sektorów nauki - JBR, PAN i placówek akademickich - Projekt ten ma za zadanie stworzenie otwartej platformy technologicznej umożliwiającej realizację innowacyjnych prac B+R w obszarze nanoelektroniki, fotoniki i spintroniki z wykorzystaniem półprzewodników szerokoprzerwowych przy jednoczesnym tworzen[...]

InTechFun - aspekty finansowe i prawne Projektu, postęp w realizacji specyficznych zadań Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka


  Liczne publikacje z zakresu organizacji i socjologii dowodzą, że odpowiednia struktura organizacyjna i adekwatne procedury zarządzania w znacznej mierze stanowią o sukcesie dowolnego przedsięwzięcia. Zgodnie z teorią i praktyką zarządzania przez cel (ZpC) [1] w przypadku dużych projektów B+R, takich jak projekty Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka czy projekty Programów Ramowych Unii Europejskiej [2], monitorowanie i kontrola przebiegu działań, a w szczególnosci systematyczna analiza wskaźników celu (wskaźniki produktu i wskaźniki rezultatu) są niezbędnym warunkiem efektywnej realizacji zadań cząstkowych (kamienie milowe, wyniki cząstkowe) i osiągnięcia planowanych rezultatów końcowych. W niniejszym rartykule omówiono działania związane z zarządzaniem projektem InTechFun, ze szczególnym uwzględnieniem działań monitorowania i kontroli. Przedstawiono wyniki analizy finansowo-ekonomicznej i organizacyjno-prawnej. Dokonano oceny głównych źródeł ryzyka organizacyjnego i przedyskutowano proponowane/podjęte środki zaradcze. Omówiono działania podjęte dla upowszechniania i implementacji wyników projektu. Działania wspomagające zarządzanie projektem Projekt InTechFun realizowany jest przez 14 zespołów badawczych z 7 jednostek naukowych. W skład konsorcjum wchodzą: Instytut Technologii Elektronowej, Instytut Fizyki PAN, Politechnika Warszawska, Politechnika Śląska, Politechnika Łódzka i Wojskowa Akademia Techniczna. Koordynatorem Projektu jest Instytut Technologii Elektronowej (ITE) w Warszawie, zaś Instytucją Wdrażającą Ośrodek Przetwarzania Informacji (OPI). Realizatorzy projektu działają w oparciu o dwupoziomową strukturę organizacyjną przedstawioną na rys. 1, w której zasadniczymi organami są: Rada Projektu na poziomie strategicznym oraz Koordynator Projektu i Komitet Wykonawczy Projektu na poziomie operacyjnym. Ich działania są wspierane w pierwszym rzędzie przez Biuro Projektu, oraz tworzony w drugiej fazie projektu[...]

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

Czytaj za darmo! »

Omówiono podstawy technik litografii z wykorzystaniem procesu nanostemplowania (NIL), dokonano przeglądu materiałów do wytwarzania stempli oraz rezystów do kształtowania wzorów, przedyskutowano najważniejsze problemy występujące przy implementacji procesów NIL w praktyce. Zaprezentowano wyniki prac własnych nad wytwarzaniem periodycznych nanostruktur GaN o wymiarach krytycznych od 50 do 300 nm przy pomocy technik Th-NIL oraz UV-NIL z użyciem replik polimerowych oraz trawienia ICP w plazmie BCl3/Cl2. Abstract. Fundamentals of Nanoimprint Lithography (NIL) have been presented, stamp materials, resists and fabrication processes have been overviewed, main problems encountered in implementing NIL in practice have been discussed. Recent results on fabrication periodic GaN nanostructures with critical dimensions ranging from 50 to 300 nm by using Th-NIL and UV-NIL combined with polymer replicas and ICP etching in BCl3/Cl2 plasma have been presented. (Fabricating periodic GaN nanostructures via Nanoimprint Lithography). Słowa kluczowe: nanostemplowanie, litografia NIL, nanostruktury GaN, trawienie ICP GaN. Key words: Nanoimprint Lithography, NIL, GaN nanostructures, GaN ICP etching. Wprowadzenie Technika NIL (ang. NanoImprint Lithography), określana także terminem nanostemplowania, jest techniką wytwarzania wzorów w skali mikrometrowej. Od czasu pierwszych doniesień literaturowych [1] rozwija się burzliwie, stając się coraz istotniejszą alternatywą dla konwencjonalnych metod. Łącząc zalety uzyskiwania wysokiej rozdzielczości wzoru z dużą przepustowością oraz niskimi kosztami procesu, postrzegana jest jako najbardziej perspektywiczna metoda produkcyjna przemysłu elektronicznego high tech dla zastosowań w obszarze technologii informacyjnych, medycyny, biologii, obronności, energii i ochrony środowiska. Szczególnie ważną zaletą NIL, wyróżniającą w zestawieniu z elektronolitografią czy fotolitografią w dalekim ultrafiolecie (EXUL, Extreme Ultr[...]

Wytwarzanie submikrometrowych wzorów techniką nanostemplowania


  W 1995 r. Stephen Y. Chou po raz pierwszy opublikował wyniki dotyczące wykonania 25 nm otworów w poli(metakrylanie) metylu PMMA techniką nanostemplowania (ang. Nanoimprint lithography)[1]. Od tego czasu stała się najbardziej obiecującą techniką, w której upatruje się następcę litografii optycznej i elektronolitografii. W 2003 roku nanostemplowanie umieszczone zostało na liście ITRS (ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) jako jeden z kandydatów do NGL (ang. Next-generation lithography) [2]. Technika nanostemplowania polega na mechanicznym odciśnięciu nanometrowych wzorów matrycy (pieczątki) w warstwie rezystu. Ze względu na rodzaj użytego rezystu, technika posiada dwa warianty: termiczny oraz UV. Zarówno jeden jak i drugi tryb pracy zapewnia wysoką przepustowość oraz rozdzielczość. Rynek diod LED, który w ostatnich latach rozwija się bardzo dynamicznie, pokłada największe nadzieje w nanostemplowaniu. Ponadto technika ta odnajduje zastosowania w produkcji zaawansowanych wyrobów dla nanoelektroniki, technik sensorowych i biomedycznych. Bezpośrednio związane z rozwojem rynku diod LED jest opracowanie metody wytwarzania struktur kryształów fotonicznych (PhC). Ze względu na czasochłonn[...]

Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100


  Nanostemplowanie NIL (ang. Nanoimprint Lithography) dzięki swoim zaletom jakimi są wysoka rozdzielczość, wysoka przepustowość oraz niski koszt jest doskonałą techniką do wytwarzania submikrometrowych wzorów. Od czasu kiedy w 1995 roku opublikowano pierwsze wyniki dotyczące tej techniki [1], odnotowano wzrost zainteresowania, co przełożyło się na znaczny jej rozwój, skutkując w powstanie licznych wariantów [2-4]. Niemniej jednak jej podstawowe tryby pracy to termiczny Th-NIL oraz UV-NIL. Idea procesu nanostemplowania polega na mechanicznym odciśnięciu wzoru stempla w warstwie polimeru, ogrzewanego powyżej temperatury zeszklenia Tg (ang. glass Transition Temperature), a następnie chłodzonego w celu utrwalenia powstałego odcisku. W przypadku trybu UV, etapem odpowiadającym za utrwalenie powstałego odcisku jest promieniowanie UV, dzięki któremu następuje usieciowanie użytego polimeru. Nanostemplowanie jest doskonałą techniką do wytwarzania wzorów periodycznych. Odnajduje zastosowanie w wytwarzaniu przede wszystkim struktur fotonicznych takich jak kryształy fotoniczne [5-8], falowody, różnego rodzaju elementy dyfrakcyjne, ale również takich jak matryce nanosfer czy nanosłupów [9, 10]. Te ostatnie wzbudzają duże zainteresowanie wśród badaczy zajmującuch się wzrostem epitaksjalnym. Stwierdzono, iż warstwy epitaksjalne hodowane na powierzchni pokrytej tego rodzaju strukturami charakteryzują się mniejszymi naprężeniami [11], co w przyszłości zaowocować może wytwarzaniem warstw wolnych od naprężeń. Technika nanostemplowania nie posiada ograniczeń co do materiałów. Możliwa jest strykturyzacja każdej grupy materiałów począwszy od polimerów [12, 13], metali [14, 15], półprzewodnikow [16, 17] aż po szkło [18]. Niemniej jednak, niezależnie od materiału czy też użytego trybu pracy, jakość powstałych w procesie wzorów determinowana jest przez parametry procesu tj. temperatura, ciśnienie z jakim dociskany jest stempel oraz czas trwania docis[...]

Badanie struktur sensorowych na bazie tlenku cynku na oddziaływanie z wybranym środowiskiem gazowym


  Zagadnienie monitorowania stężenia gazów, przede wszystkim gazów niebezpiecznych jest ciągle poważnym zagadnieniem technicznym. Nowatorskie rozwiązania poszukiwane są zarówno dla ochrony atmosfery, bowiem jej skażenia groźne dla zdrowia i życia ludzkiego są istotnym problemem społecznym w aglomeracjach przemysłowych, jak i dla analizowania środowiska gazowego podczas trwania procesów technologicznych w zakładach przemysłowych. W układach sensorowych, czułych na wybrane środowisko gazowe, jako warstwy czynne stosowane są między innymi materiały o szerokiej przerwie energetycznej, takie jak tlenek cynku [1, 2]. ZnO jest półprzewodnikiem przezroczystym dla fali elektromagnetycznej z zakresu widzialnego i około widzialnego [3, 4], a jego przerwa energetyczna wynosi ok. Eg ~ 3,4 eV [5, 6]. Przedstawione w niniejszym artykule badania dotyczą struktur sensorowych na bazie ZnO, czułych na obecność dwutlenku azotu NO2, pracujących w układach optoelektronicznych. Niewątpliwą zaletą optoelektronicznych struktur sensorowych jest ich odporność na zakłócenia elektromagnetyczne [7]. Eksperyment Stanowiska pomiarowe Badania eksperymentalne odpowiedzi warstw sensorowych tlenku cynku poddanych oddziaływaniu środowiska gazowego zostały przeprowadzone z wykorzystaniem spektrof[...]

Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN


  Tranzystory HEMT na bazie heterostruktury AlGaN/GaN, ze względu na wysoką wartość krytycznego pola elektrycznego azotków z grupy III -V oraz na wysoką gęstość i ruchliwość nośników tworzących dwuwymiarowy gaz elektronowy (2DEG) w kanale tranzystora, mogą być potencjalnie wykorzystywane jako element przełączający w układach elektronicznych dużej mocy o wysokiej sprawności [1]. Przyrządy tego typu powinny pracować w trybie normalnie wyłączonym z kanałem indukowanym (napięcie progowe Vth > 0), co zapewnia odporność układu na zaniki zasilania i związane z nimi uszkodzenia. Tranzystory HEMT AlGaN/GaN są typowo tranzystorami normalnie włączonymi z kanałem wbudowanym (napięcie progowe Vth < 0), [2]. W celu uzyskania tranzystorów z kanałem indukowanym stosuje się m.in. trawienie warstwy barierowej pod kontaktem bramki [3], płytką implantację jonów fluoru z plazmy pod kontaktem bramki [4], bądź strukturę neutralizującą efekt piezoelektryczny [5]. Wymaga to zastosowania trudnej w wykonaniu struktury epitaksjalnej, a uzyskiwane wartości napięcia progowego są zazwyczaj stosunkowo niskie. Ze względu na wymienione trudności, bardzo obiecującym sposobem uzyskiwania tranzystorów z kanałem indukowanym jest zastosowanie heterostruktury AlGaN/GaN z warstwą GaN typu p pod kontaktem bramki [6]. Bramka z warstwą GaN typu p wprowadza zubożenie nośników w kanale tranzystora, zapewniając jednocześnie niski prąd upływu. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki modelowania tranzystora HEMT AlGaN/GaN z bramką typu p-GaN. Opisano wpływ poszczególnych elementów konstrukcji na parametry elektryczne przyrządu, w szczególności na wartość napięcia progowego oraz maksymalnego prądu drenu w stanie włączenia tranzystora. Symulacje przeprowadzono za pomocą pakietu symulacyjnego ATLAS firmy Silvaco [7], a przyjęte modele parametrów przedstawiono w pracy [8]. Struktura tranzystora Na rysunku 1 przedstawiono strukturę [...]

Cienkie warstwy ZnO wytwarzane techniką magnetronowego rozpylania katodowego: mikrostruktura i funkcjonalność DOI:10.15199/ELE-2014-121


  Tlenek cynku (ZnO) jest półprzewodnikiem o strukturze krystalicznej wurcytu, charakteryzującym się szeroką przerwą energetyczną (3,4 eV), wysoką energią wiązania ekscytonów (60 meV) i łatwością domieszkowania typu n. Własności te czynią go obiektem intensywnych badań nad zastosowaniami w przezroczystej elektronice [1], optoelektronice [2-4] i fotowoltaice [5-7]. Dzięki aktywnej chemicznie powierzchni stosowany jest w czujnikach [8-10]. Podobieństwo pod względem szerokości przerwy wzbronionej, struktury krystalicznej i stabilności termicznej sprawia, że ZnO jest naturalnym kandydatem do integracji z GaN i 4H-SiC. W celu pełnego wykorzystania jego potencjału na skalę przemysłową niezbędne jest zastosowanie technik wytwarzania kompatybilnych z rygorami produkcyjnymi dotyczącymi wysokiego stopnia kontroli nad strukturą i składem chemicznym wytwarzanego materiału przy relatywnie niskich kosztach. Techniką spełniającą te warunki jest magnetronowe rozpylanie katodowe (ang. sputtering). Najnowsze rozwiązania technologiczne dla magnetronowego rozpylania katodowego umożliwiają niespotykaną wcześniej kontrolę jakości i morfologii wytwarzanych warstw materiałowych. Kontrola ich czystości i składu chemicznego możliwa jest dzięki zastosowaniu wydajnych systemów pompowania, umożliwiających osiągnięcie ultra wysokiej próżni oraz wysokiej czystości gazów procesowych i tarcz stosowanych do rozpylania materiałów. Zastosowanie w reaktorach rozpylania katodowego ceramicznych grzejników pozwala na dostarczenie dodatkowej energii do osadzanych cząstek, skutkując osiąganiem wysokiej jakości krystalograficznej. Rozbudowane narzędzia diagnostyki umożliwiają dokładne zrozumienie i projektowanie procesów osadzania. W niniejszym artykule omówione zostaną możliwości kontroli mikrostruktury i funkcjonalności cienkich warstw ZnO jakie daje najnowszej generacji reaktor magnetronowego rozpylania katodowego. W szczególności, artykuł zostanie podzielony na dwi[...]

Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O DOI:10.15199/ELE-2014-122


  W ostatnich latach obserwuje się globalne trendy poszukiwania nowych materiałów dla przemysłu elektronicznego [1]. Tradycyjne materiały, takie jak krzem, nie posiadają wystarczająco dobrych właściwości dla zastosowań między innymi w przezroczystej elektronice [2]. Z drugiej strony, podejście eksperymentalne stosowane do poszukiwania nowych materiałów jest czasochłonne i generuje wysokie koszty. Symulacje komputerowe pozwalają odkrywać właściwości nowych materiałów minimalizując potrzebę prowadzenia prac eksperymentalnych. Dla zastosowań w obszarze elektroniki przezroczystej nowe materiały półprzewodnikowe powinny łączyć wysoką ruchliwość nośników ładunku z wysokim poziomem transmisji optycznej w widzialnym zakresie widma promieniowania elektromagnetycznego. Wymagania te spełniają przezroczyste półprzewodniki tlenkowe o amorficznej mikrostrukturze [3]. Tranzystory cienkowarstwowe (TFT) z kanałem z tych materiałów zyskały zainteresowanie, jako przyrządy sterujące pracą pikseli w płaskich wyświetlaczach [4]. W XXI wieku dostępność i stosunkowo niski koszt mocy obliczeniowej umożliwia zastosowanie komputerowo wspomaganego modelowania materiałów amorficznych o nowej funkcjonalności. W pierwszej części niniejszego opracowania prezentujemy motywację do podjęcia badań w dziedzinie amorficznych półprzewodników tlenkowych, w szczególności nad tlenkiem indowo-galowo-cynkowym (a- IGZO). W dalszej części przedstawiamy przegląd stanu wiedzy w dziedzinie symulacji tranzystorów TFT z kanałem z amorficznego IGZO oraz wyniki naszych badań, w szczególności wyniki obliczeń numerycznych dotyczących wpływu grubości oraz wymiarów geometrycznych kanału, i grubości dielektryka na właściwości elektryczne TFT. Zaprezentujemy ponadto wyniki ekstrakcji krzywej gęstości stanów (DOS) w funkcji energii w kanale tranzystora. Motywacja Zasadniczą motywacją do badań nad amorficznymi półprzewodnikami tlenkowymi jest przekonanie o nieustannie rosnącym znacze[...]

 Strona 1  Następna strona »