Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"TERESA KENIG"

technologia heterozłącza CIS/CdS do zastosowań fotowoltaicznych

Czytaj za darmo! »

Cienkowarstwowe polikrystaliczne ogniwa p-CuInSe2/n-CdS ze sprawnościami przekraczającymi 10% zaczęto wytwarzać w Boeing Corporation na początku lat osiemdziesiątych. W roku 1987 Arco Solar osiąga rekordową sprawność ogniw cienkowarstwowych na poziomie 14,1%. W latach 80. wprowadzane są złożone struktury typu ZnO/n-CdS/p-CuInSe2/Mo/ szkło, które zasadniczo używane są do dziś. Pod koniec lat [...]

Assembly and failure analysis of "dummy" PBGA

Czytaj za darmo! »

Recently it has been observed the increase in the popularity and use of Ball Grid Array packages (BGA) which have the input/output (I/O) connections on the bottom side of the device in the form of small spheres. This type of configuration allows much larger I/O counts for a given footprint area on a PCB as compared with a conventionally peripherally leaded devices. Having no fragile leads, B[...]

Sterowanie MBS termicznym procesem próżniowej selenizacji warstw fotowoltaicznych


  Półprzewodniki trójskładnikowe, których przedstawicielem jest diselenek miedziowo-indowy, CuInSe2 (CIS), charakteryzują się dużą absorpcją promieniowania, przez co mają dużą szansę na zastosowanie w masowej produkcji wysokowydajnych ogniw fotowoltaicznych [1]. Wytwarzanie cienkiej warstwy CIS polega na naniesieniu warstw elementarnych prekursorów Cu, In oraz Se na odpowiednio przygotowane podłoże, a następnie termicznym uformowaniu docelowego materiału lub na selenizacji warstw Cu-In. Prekursory metaliczne są poddawane obróbce termicznej w standardowym piecu dyfuzyjnym w zamkniętym reaktorze grafitowym zawierającym źródła par Se [2] lub z wykorzystaniem techniki szybkiej obróbki termicznej RTP (Rapid Thermal Processing) [3]. Proces termiczny składa się z dwóch etapów, przeprowadzanych w różnych temperaturach. Termiczne wytwarzanie CIS metodą RTP ma wiele zalet technologicznych. Najważniejsze to skrócenie czasu procesu oraz uzyskanie powierzchniowej jednorodności materiału. Głównymi czynnikami, które mają wpływ na jednorodność temperatury oraz powtarzalność procesu RTP są: źródło promieniowania podczerwonego, konstrukcja komory oraz system sterowania temperatury, łącznie z nieinwazyjnym systemem pomiaru temperatury w czasie rzeczywistym [4]. Budowa urządzeń RTP, a w szczególności kontrola czasowego profilu temperatury obrabianego materiału są złożonym zagadnieniem badawczym ze względu na radiacyjny przekaz energii cieplnej [5,6]. Uzyskanie założonej trajektorii temperatury zależy od dokładności zastosowanego modelu oraz zaproponowania odpowiedniego aparatu numerycznego. Procedura sterowania zbudowanego urządzenia w oparciu o model matematyczny uwzględnia możliwości pomiarowe oraz sposób zasilania elementów grzejnych. Urządzenie RTP Próżniowy piec RTP zbudowano na bazie zestawu lamp halogenowych oraz klosza kwarcowego, stanowiącego ściany komory próżniowej. Lampy umieszczono w reflektorach chłodzonych wod[...]

Nanostruktury ZnO otrzymywane metodą chemicznego osadzania z roztworu


  Nanopręty oraz nanodruty takich półprzewodników jak: ZnO, SnO2, In2O3, WO3, wykazują o wiele korzystniejsze właściwości fizyko-chemiczne i mechaniczne, niż struktury o wymiarach większych. Spowodowane to jest dominującą rolą powierzchni w stosunku do objętości. Rosnąca powierzchnia właściwa zwiększa czułości sensorów, w których stosuje się te nanomateriały jako warstwy gazoczułe. Również z punktu widzenia ekonomii konstrukcje nano- są wyzwaniem ze względu na mniejsze zużycie surowców i energii. Tlenek cynku ZnO posiada właściwości, które powodują, że jest atrakcyjnym związkiem stosowanym między innymi w elektronice przy konstrukcji czujników, przezroczystych elektrod oraz przetworników piezoelektrycznych. Te charakterystyczne właściwości to przede wszystkim wysoka przerwa energetyczna (3,37 eV), ale także znaczny współczynnik piezoelektryczny e33=1,2 C/m2, łatwość wbudowywania płytkich domieszek powodujących silne przewodnictwo typu n przy zachowaniu bardzo dobrej transmisji w widzialnym obszarze widma. Metody wytwarzania nanostruktur generalnie można podzielić na [1]: top-down polegające na obróbce jednego k[...]

 Strona 1