Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"A. Konczakowska"

Katedra Metrologii i Optoelektroniki


  Rys historyczny Historia Katedry Metrologii i Optoelektroniki (KMOE) jest bogata w interesujące wydarzenia, związane nie tylko ze zmianami organizacyjnymi, ale także wynikającymi z postępu technologicznego w elektronice. Ważni są przede wszystkim pomysłodawcy określonych działań, zarówno dydaktycznych, jak i naukowo-badawczych. Bez ich wiedzy, pomysłowości, a także ambicji nie byłoby tak wielu wartościowych osiągnięć dydaktycznych, a także tak szerokiego spektrum działalności naukowej. Sensowne jest rozpoczęcie historii Katedry od roku 1969, tj. roku reorganizacji Wydziału Elektroniki, likwidacji struktury katedralnej na instytutową. Powstały wtedy w Instytucie Technologii Elektronicznej między innymi trzy zakłady naukowo-badawcze. Dwa z nich są ściśle związane z historią Katedry: Zakład Technologii Aparatury Kontrolnej, kierowany przez dr. inż. Romualda Zielonkę oraz Zakład Technologii Urządzeń Teletransmisyjnych, kierowany przez doc. dr. inż. Waleriana Gruszczyńskiego. Z Zakładu Technologii Urządzeń Teletransmisyjnych w 1989 r. wyodrębnił się Zakład Elektronicznej Aparatury Pomiarowej, a jego organizatorem i pomysłodawcą był prof. dr hab. inż. Ludwik Spiralski. W 1991 r. Zakład Technologii Urządzeń Teletransmisyjnych podzielił się na dwa zakłady, z których jednym był Zakład Optoelektroniki i Aparatury Elektronicznej, kierowany przez prof. dr. hab. inż. Henryka Wierzbę. W 1992 r., po zmianie struktury instytutowej na katedralną, powstały: Katedra Aparatury Pomiarowej, Katedra Miernictwa Elektronicznego i Katedra Optoelektroniki, kierowane odpowiednio przez prof. dr. hab. inż. Ludwika Spiralskiego, prof. dr. inż. Romualda Zielonkę i prof. dr. hab. inż. Henryka Wierzbę do 1993 r., a następnie przez dr. hab. inż. Bogdana Kosmowskiego. Profesor Henryk Wierzba za pionierskie badania w zakresie optoelektroniki został wyróżniony stopniem doktora honoris causa Uniwersytetu w Oulu (Finlandia). Katedra Aparatury Pomiarowej i Katedra [...]

Ocena parametrów statycznych diod Schottky’ego z SiC

Czytaj za darmo! »

Prowadzone od wielu lat prace nad technologią wytwarzania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu (SiC) zakończyły się sukcesem w zakresie produkcji diod Schottky’ego z SiC. Dostępne są komercyjne diody Schottky’ego produkcji, np. firmy CREE i firmy INFINEON. Zgodnie z informacjami producentów diody te charakteryzują się pomijalnie małym wstecznym prądem przejściowym przy wyłączaniu diody, stosunkowo małym spadkiem napięcia w stanie przewodzenia diody Schottky’ego z SiC w porównaniu z diodą krzemową PIN.Wkartach katalogowych przytaczane są charakterystyki statyczne przy polaryzacji diod Schottky’ego w kierunku przewodzenia i zaporowym, które potwierdzają wyżej przytoczone właściwości [1,2]. Celem pomiarów było sprawdzenie powtarzalności parametrów[...]

 Strona 1