Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"GRZEGORZ GŁUSZKO"

Characterization of SOI structures by means of 3-level charge-pumping

Czytaj za darmo! »

SOI (Silicon-on-insulator) technology is considered one of the best candidates to ensure further progress of silicon microelectronics [e.g. 1] since most of the multiple gate devices are fabricating using this technology. The progress requires, however, efficient and reliable characterization. Since the body thickness in SOI devices is being reduced, the importance of surface characterizatio[...]

Modelowanie prądu pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną

Czytaj za darmo! »

Przez ostatnie 50 lat postęp w mikroelektronice krzemowej odbywał się głównie dzięki miniaturyzacji. Już w latach 70. ubiegłego stulecia zauważono [1,2], że zmniejszaniu wymiarów poziomych musi towarzyszyć redukcja wymiarów pionowych (tj. grubości tlenku bramkowego, głębokości złączy itd.). W przeciwnym przypadku tzw. efekty krótkiego kanału mają niekorzystny wpływ na charakterystyki elektry[...]

Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack DOI:10.12915/pe.2014.09.08

Czytaj za darmo! »

The results of charge pumping measurements of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack were presented and discussed. The characterization method was used for verification of thershold voltage and trap density values obtained by static current-voltage (I-V) measurements. Streszczenie. W pracy zaprezentowano i przeanalizowano wyniki pomiarów tranzystorów MISFET wykorzystujących dwuwarstwowy dielektryk SiO2/BaTiO3. Pomiary wykonano przy użyciu metody pompowania ładunku. Stosowana metoda charakteryzacji posłużyła do weryfikacji wartości napięcia progowego tranzystora oraz gęstości pułapek powierzchniowych uzyskanych w oparciu o pomiar statycznych charakterystyk prądowonapięciowych (I-V) tranzystora. (Charakteryzacja tranzystorów MISFET z bramką SiO2/BaTiO3 metodą pompowania ładunku). Keywords: charge pumping, high-k, MISFET, barium titanate, traps density. Słowa kluczowe: metoda pompowania ładunku, wysoka przenikalność elektryczna, tranzystory MISFET, tytanian baru, gęstość pułapek. doi:10.12915/pe.2014.09.08 Introduction Owing to advantageous electrophysical properties (in particular piezoelectricity, high dielectric constant and refractive index values), barium titanate BaTiO3 (BT) ceramics have been one of the most extensively used dielectric materials in electronic applications, such as multilayer ceramic capacitors (MLCCs) [1], electro-optic modulators [2], microwave filters and resonators [3], optical waveguides [4], embedded capacitances in printed circuit boards [5], sensors and actuators [6]. In these areas of applications BaTiO3 has been used in a bulk or a thick layer form. More recently, barium titanate h[...]

 Strona 1