Wyniki 1-8 spośród 8 dla zapytania: authorDesc:"MARCIN JUCHNIEWICZ"

Bezkontaktowy konduktometr mikroprzepływowy z nowym rodzajem elektrod


  W artykule przedstawiono wyniki badań nad opracowaniem mikrodetektora konduktometrycznego z nowym rodzajem elektrod. Jako elektrod użyto specjalnie ukształtowanych mikrokanałów, wypełnionych roztworem elektrolitu. W trakcie prac wykorzystano dwie techniki wykonywania mikroukładów: odlewanie na pieczątce, połączone ze scalaniem elementów po aktywacji powierzchni w plazmie tlenowej, oraz nową metodę B-Less, pozwalającą na wykonanie mikroukładu w jednym bloku polimeru, bez etapu scalania. Dążąc do obniżenia kosztów wykonywania mikroukładów, opracowano metodę wykonywania pieczątek z filmów kapilarnych. Stanowi ona ciekawą alternatywę dla standardowej techniki, wykorzystującej ciekłe fotorezysty. Skonstruowany detektor mikroprzepływowy przetestowano, sprawdzając jego odpowiedź na roztwory wzorcowe o różnym przewodnictwie. Coraz powszechniejsza tendencja do miniaturyzacji pod koniec ub.w. dała się zaobserwować również w chemii. Zaczęły pojawiać się pierwsze prace o układach chemicznych o wymiarach kilku centymetrów. Objętości odczynników, jakimi operowano, wynosiły kilkaset mikrolitrów. Kanały w tego typu urządzeniach miały wymiary mniejsze niż milimetr (stąd nazwa mikroukłady). Na początku mikroukłady pełniły jedynie bardzo proste funkcje, takie jak wymieszanie odczynników i przeprowadzenie reakcji. Pozostałe etapy (analiza produktów, pompowanie, rozdział itp.) były realizowane poza mikroukładem. Jednak w miarę upływu czasu zaczęły pojawiać się rozwiązania umożliwiające przeprowadzanie coraz większej liczby operacji w mikroukładzie. Zaczęły się pojawiać mikroukłady pozwalające nie tylko na przygotowanie próbki do analizy, ale również wykonanie samej analizy. Stało się to możliwe dzięki zastosowaniu detektorów, których konstrukcja umożliwiała integrację z pozostałymi elementami mikro[...]

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

Czytaj za darmo! »

Omówiono podstawy technik litografii z wykorzystaniem procesu nanostemplowania (NIL), dokonano przeglądu materiałów do wytwarzania stempli oraz rezystów do kształtowania wzorów, przedyskutowano najważniejsze problemy występujące przy implementacji procesów NIL w praktyce. Zaprezentowano wyniki prac własnych nad wytwarzaniem periodycznych nanostruktur GaN o wymiarach krytycznych od 50 do 300 nm przy pomocy technik Th-NIL oraz UV-NIL z użyciem replik polimerowych oraz trawienia ICP w plazmie BCl3/Cl2. Abstract. Fundamentals of Nanoimprint Lithography (NIL) have been presented, stamp materials, resists and fabrication processes have been overviewed, main problems encountered in implementing NIL in practice have been discussed. Recent results on fabrication periodic GaN nanostructures with critical dimensions ranging from 50 to 300 nm by using Th-NIL and UV-NIL combined with polymer replicas and ICP etching in BCl3/Cl2 plasma have been presented. (Fabricating periodic GaN nanostructures via Nanoimprint Lithography). Słowa kluczowe: nanostemplowanie, litografia NIL, nanostruktury GaN, trawienie ICP GaN. Key words: Nanoimprint Lithography, NIL, GaN nanostructures, GaN ICP etching. Wprowadzenie Technika NIL (ang. NanoImprint Lithography), określana także terminem nanostemplowania, jest techniką wytwarzania wzorów w skali mikrometrowej. Od czasu pierwszych doniesień literaturowych [1] rozwija się burzliwie, stając się coraz istotniejszą alternatywą dla konwencjonalnych metod. Łącząc zalety uzyskiwania wysokiej rozdzielczości wzoru z dużą przepustowością oraz niskimi kosztami procesu, postrzegana jest jako najbardziej perspektywiczna metoda produkcyjna przemysłu elektronicznego high tech dla zastosowań w obszarze technologii informacyjnych, medycyny, biologii, obronności, energii i ochrony środowiska. Szczególnie ważną zaletą NIL, wyróżniającą w zestawieniu z elektronolitografią czy fotolitografią w dalekim ultrafiolecie (EXUL, Extreme Ultr[...]

Szybka metoda wykonywania niebondowanych mikroukładów w technologii polimerowej

Czytaj za darmo! »

Współczesny świat stawia przed chemią analityczną wiele wyzwań. Analizowane próbki muszą mieć coraz mniejsze objętości (cecha szczególnie ważna w diagnostyce medycznej), na przeprowadzenie oznaczenia należy zużyć minimalną ilość odczynników, a samą analizę najlepiej przeprowadzić w miejscu pobrania próbki, np. przy łóżku pacjenta [1]. Wszystko to powoduje, że coraz powszechniejsza staje się [...]

Nowy typ przepływowego mikrokonduktometru bezkontaktowego

Czytaj za darmo! »

Pomiar konduktometryczny polega na pomiarze przewodnictwa roztworu. Ze względu na rodzaj pomiaru konduktometrię można podzielić na: konduktometrię bezpośrednią (pomiar czystości wody, kontrola przebiegu reakcji), miareczkowanie konduktometryczne (miareczkowania alkacymetryczne, strąceniowe, redoksometryczne i kompleksometryczne). Inny podział metod konduktometrycznych wynika z konstrukcji de[...]

Wytwarzanie submikrometrowych wzorów techniką nanostemplowania


  W 1995 r. Stephen Y. Chou po raz pierwszy opublikował wyniki dotyczące wykonania 25 nm otworów w poli(metakrylanie) metylu PMMA techniką nanostemplowania (ang. Nanoimprint lithography)[1]. Od tego czasu stała się najbardziej obiecującą techniką, w której upatruje się następcę litografii optycznej i elektronolitografii. W 2003 roku nanostemplowanie umieszczone zostało na liście ITRS (ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) jako jeden z kandydatów do NGL (ang. Next-generation lithography) [2]. Technika nanostemplowania polega na mechanicznym odciśnięciu nanometrowych wzorów matrycy (pieczątki) w warstwie rezystu. Ze względu na rodzaj użytego rezystu, technika posiada dwa warianty: termiczny oraz UV. Zarówno jeden jak i drugi tryb pracy zapewnia wysoką przepustowość oraz rozdzielczość. Rynek diod LED, który w ostatnich latach rozwija się bardzo dynamicznie, pokłada największe nadzieje w nanostemplowaniu. Ponadto technika ta odnajduje zastosowania w produkcji zaawansowanych wyrobów dla nanoelektroniki, technik sensorowych i biomedycznych. Bezpośrednio związane z rozwojem rynku diod LED jest opracowanie metody wytwarzania struktur kryształów fotonicznych (PhC). Ze względu na czasochłonn[...]

Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100


  Nanostemplowanie NIL (ang. Nanoimprint Lithography) dzięki swoim zaletom jakimi są wysoka rozdzielczość, wysoka przepustowość oraz niski koszt jest doskonałą techniką do wytwarzania submikrometrowych wzorów. Od czasu kiedy w 1995 roku opublikowano pierwsze wyniki dotyczące tej techniki [1], odnotowano wzrost zainteresowania, co przełożyło się na znaczny jej rozwój, skutkując w powstanie licznych wariantów [2-4]. Niemniej jednak jej podstawowe tryby pracy to termiczny Th-NIL oraz UV-NIL. Idea procesu nanostemplowania polega na mechanicznym odciśnięciu wzoru stempla w warstwie polimeru, ogrzewanego powyżej temperatury zeszklenia Tg (ang. glass Transition Temperature), a następnie chłodzonego w celu utrwalenia powstałego odcisku. W przypadku trybu UV, etapem odpowiadającym za utrwalenie powstałego odcisku jest promieniowanie UV, dzięki któremu następuje usieciowanie użytego polimeru. Nanostemplowanie jest doskonałą techniką do wytwarzania wzorów periodycznych. Odnajduje zastosowanie w wytwarzaniu przede wszystkim struktur fotonicznych takich jak kryształy fotoniczne [5-8], falowody, różnego rodzaju elementy dyfrakcyjne, ale również takich jak matryce nanosfer czy nanosłupów [9, 10]. Te ostatnie wzbudzają duże zainteresowanie wśród badaczy zajmującuch się wzrostem epitaksjalnym. Stwierdzono, iż warstwy epitaksjalne hodowane na powierzchni pokrytej tego rodzaju strukturami charakteryzują się mniejszymi naprężeniami [11], co w przyszłości zaowocować może wytwarzaniem warstw wolnych od naprężeń. Technika nanostemplowania nie posiada ograniczeń co do materiałów. Możliwa jest strykturyzacja każdej grupy materiałów począwszy od polimerów [12, 13], metali [14, 15], półprzewodnikow [16, 17] aż po szkło [18]. Niemniej jednak, niezależnie od materiału czy też użytego trybu pracy, jakość powstałych w procesie wzorów determinowana jest przez parametry procesu tj. temperatura, ciśnienie z jakim dociskany jest stempel oraz czas trwania docis[...]

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN


  Azotek galu jest atrakcyjnym materiałem do zastosowań w przyrządach elektronicznych wysokich mocy i dużych częstotliwości oraz zaawansowanych aplikacjach optoelektronicznych [1-3]. Duża odporność chemiczna tego materiału z jednej strony sprawia, że urządzenia mogą pracować w agresywnym środowisku, z drugiej strony utrudnia jego strukturyzację. W przypadku struktur fotonicznych, charakteryzujących się periodycznością, perspektywiczną techniką jest nanostemplowanie. Umożliwia ono wykonanie dużej ilości procesów w krótkim czasie przy uzyskaniu wzorów o wymiarach sięgających 20 nm. Ideą procesu nanostemplowania w trybie Th-NIL jest mechaniczne odciśnięcie wzoru stempla w warstwie rezystu ogrzewanego powyżej temperatury zeszklenia Tg (ang. Glass Transition Temperature), a następnie chłodzonego w celu utrwalenia powstałego odcisku. W przypadku trybu UV, etapem odpowiadającym za utrwalenie powstałego odcisku jest promieniowanie UV, dzięki któremu następuje usieciowanie użytego rezystu. Do transferu submikrometrowych wzorów w głąb azotku galu wykorzystuje się technikę trawienia w plazmie o wysokiej gęstości ICP (ang. Inductive Coupled Plasma). Najszerzej stosowana jest plazma chlorowa oraz jej warianty z domieszką trójchlorku boru [4-6], azotu [7] czy argonu [8, 9]. Celem prezentowanej pracy było opracowanie technologii strukturyzacji GaN technikami nanostemplowania oraz trawienia ICP. Planując badania określono następujące kryteria oceny procesów: - profil trawienia możliwie najbardziej anizotropowy; - szybkość trawienia powyżej 100 nm/min (niższe szybkości powodują wydłużenie czasów trawienia struktur o głębokościach powyżej 1000 nm); - chropowatość wytrawionej powierzchni (RMS) poniżej 20 nm. Eksperyment W eksperymencie wykorzystano trzy rodzaje azotku galu o orientacji (0001): warstwy epitaks[...]

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi


  Mimo, że upłynęło już niemal 20 lat od pojawienia się pierwszych doniesień o skonstruowaniu diody elektroluminescencyjnej na bazie GaN i jego związków pokrewnych, przyrządy te są stale w centrum zainteresowania zarówno badaczy, jak i przemysłu. Zakres ich stosowania stale się rozszerza i obejmuje coraz więcej dziedzin życia: od przemysłu oświetleniowego do medycyny, stomatologii, ochrony środowiska, motoryzacji a nawet kryminalistyki. Nic więc dziwnego, że wykonanie diody UV-DEL AlGaN/GaN należy do zadań projektu InTechFun. Jednym z głównych problemów przy konstrukcji takich DEL jest stosunkowo mała wydajność promieniowania. Ze względu na duży kontrast współczynnika załamania pomiędzy azotkiem galu (n = 2,4) a powietrzem, znaczna część promieniowania uwięziona jest we wnętrzu diody poprzez efekt całkowitego wewnętrznego odbicia, co powoduje, że współczynnik ekstrakcji promieniowania jest bardzo niski. Zastosowanie kryształów fotonicznych pozwala na istotną poprawę tego współczynnika z uwagi na stworzenie sprzężenia pomiędzy modami propagującymi się wewnątrz diody - normalnie ograniczonymi przez zjawisko całkowitego wewnętrznego odbicia - a promieniowaniem emitowanym w powietrze. W praktyce stosuje się różne sposoby strukturyzacji powierzchni obszaru świecącego diody, jednak kryształy fotoniczne należą do najskuteczniejszych sprzęgaczy optycznych [1-4]. Zgodnie z harmonogramem projektu InTechFun, efektem prac technologicznych miała być dioda elektroluminescencyjna o maksimum emisji dla λ = 385 nm. Celem niniejszej pracy jest zaprezentowanie uzyskanych efektów zarówno w zakresie projektowania, technologii, montażu, jak i parametrów użytkowych diody z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi. Projekt DEL Bazą do wytworzenia diody była struktura DEL Al(In)GaN/GaN 5QW wykonana metodą MOVPE na podłożu szafirowym w firmie TopGaN, przedstawiona schematycznie na rys. 1a. Podstawą do określenia parametrów geometrycznych diody b[...]

 Strona 1