Wyniki 1-10 spośród 18 dla zapytania: authorDesc:"MAŁGORZATA KALISZ"

More light on the road - tests of passing lights with modern halogen filament lamps

Czytaj za darmo! »

This paper present passing lights illuminance measurement results of typical headlamps design (headlamp with parabolic reflector and ribbed lens, free form reflector with plain lens and elliptical lens reflector with plain lens) equipped with selected, currently manufactured halogen filament lamps giving “more light on the road". This allowed to verify the influence of the offered filaments’ design solutions on the road illumination, in comparison with the standard halogen filament lamps. Streszczenie. W referacie przedstawiono wyniki badań rozkładu natężenia oświetlenia typowych konstrukcji reflektorów samochodowych (reflektor z odbłyśnikiem paraboloidalnym z kloszem ryflowanym, z odbłyśnikiem wielokrzywiznowym z kloszem gładkim oraz reflektor soczewkowy z odbłyśnikiem elipsoidalnym i kloszem gładkim) wyposażonych w wybrane produkowane obecnie żarówki halogenowe. Pozwoliło to na weryfikację wpływu proponowanych rozwiązań konstrukcyjnych żarówek na stan oświetlenia drogi, w odniesieniu do standardowych żarówek halogenowych. (Więcej światła na drodze - badania świateł mijania z nowoczesnymi żarówkami halogenowymi). Keywords: halogen filament lamp, passing lights, photometry, illuminance. Słowa kluczowe: żarówka halogenowa, światła mijania, natężenie oświetlenia Introduction Passing lights in the vehicle headlamps serve two opposite purposes: on one hand they should ensure the best road illumination, and on the other they should not dazzle oncoming drivers. One might think that limits for halogen filament lamps imposed by normative documents, concerning emitted luminous flux and filament geometry, will cause the current technical possibilities for passing lights equipped with this kind of light sources, to be exhausted. However, we can buy in the stores halogen filament lamps giving “more light on the road", sometimes even 90% more. Tests The objects of testing were, available in the stores, halogen filament lamps g[...]

Wpływ konstrukcji reflektora na zmiany rozkładu natężenia oświetlenia świateł mijania pod wpływem odchyłek geometrii żarówki

Czytaj za darmo! »

W publikacji przedstawiono wyniki badań zmian rozkładu natężenia oświetlenia światła mijania w typowych konstrukcjach reflektorów samochodowych (reflektor paraboloidalny, wielokrzywiznowy oraz soczewkowy) spowodowane odchyłkami geometrii homologowanych oraz nie homologowanych żarówek halogenowych. Abstract. This article presents tests results of passing lights illuminance distribution changes in typical constructions of headlamps (parabolic reflector, free-form reflector and lens reflector) caused by geometrical deviations of approved and non approved halogen filament lamps. (Influence of vehicle headlamps construction on changes of illuminance distribution of passing lights caused by geometrical deviations of halogen filament lamps). Słowa kluczowe: żarówka halogenowa, światła mijania, natężenie oświetlenia Keywords: halogen filament lamp, passing lights, photometry, illuminance. Wstęp Oświetlenie drogi przed pojazdem, w warunkach ograniczonej widoczności, jest kluczowym elementem mającym wpływ na bezpieczeństwo ruchu drogowego. Obecnie, pojazdy poruszające się po drogach są wyposażone w reflektory o zróżnicowanych konstrukcjach, co związane jest z postępem technicznym w motoryzacji. W starszych pojazdach funkcjonują reflektory z odbłyśnikiem paraboloidalnym z kloszem ryflowanym, w nowszych, reflektory z odbłyśnikiem wielokrzywiznowym, a w najnowszych, z odbłyśnikiem elipsoidalnym z soczewką (tzw. reflektory soczewkowe). Pomimo tych różnic, wszystkie konstrukcje mają na celu uzyskanie tego samego, wymaganego przepisami, rozkładu natężenia oświetlenia na drodze (wytworzenie wyraźnej granicy światła i cienia). Kluczowym elementem układu optycznego reflektorów jest wymienne źródło światła, którym najczęściej jest żarówka halogenowa np. H4 lub H7. Odchyłki produkcyjne w geometrii żarnika poszczególnych egzemplarzy żarówek danej kategorii oraz, niezauważalne przez przeciętnego użytkownika, wady produkcyjne powodują, że wymiana prz[...]

Enhancement of immunity on MeV electron radiation of MOS structures by means of fluorine implantation from r.f. plasma


  The electrical properties of MOS structures after electrons and/or other particles irradiation is a major issue for nowadays radiation- hard or space applications [1-3]. For semiconductor devices exploited in that area of applications, reliability of MOS structures, stability of electrical characteristics, as well as low leakage currents and high breakdown voltage values (Ubr) are mandatory. It is commonly known that interactions with high-energy particles can lead to instabilities of the operation of major device used in every integrated circuit - MOS transistor. Our recent works have demonstrated that the incorporation of fluorine at the semiconductor/dielectric system results in improvement of electro-physical properties of MOS structures [4]. Moreover, we have proved that fluorine implantation can also be used as a method to increase the immunity on electron radiation of MOS devices [5]. The aim of this work is to take more deeply investigations of such enhancement and perform comprehensive studies on changes in electro-physical properties of MOS structures after the fluorination of silicon substrates with varied power applied to the reactive chamber and irradiation at different total radiation doses. Experimental In all technological experiments carried out in this work, borondoped, <100>-oriented silicon wafers with resistivity of 4-7 Ωcm, cleaned using standard RCA method were used. At first, silicon dioxide layer (SiO2) fabricated by PECVD was deposited. In the next step, dielectric layer was reactive[...]

Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS

Czytaj za darmo! »

Proces reaktywnego trawienia jonowego (RIE) w plazmie o wysokiej częstotliwości jest najbardziej znanym procesem trawienia anizotropowego i jednym z najbardziej krytycznych etapów w technologii mikroelektronicznej. Umiejętność określania i kontrolowania zjawisk zachodzących w objętości plazmy, w tym i rozkładu energii jonów podczas procesu trawienia, stanowi jeden z głównych kroków na drodze[...]

Ultra-płytka implantacja fluoru z plazmy w.cz. jako metoda poprawy właściwości elektro-fizycznych struktur MIS z dielektrykami bramkowymi wytwarzanymi metodą PECVD


  Zalecane przez ITRS (z ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) zmniejszanie wymiaru charakterystycznego przyrządów półprzewodnikowych stymuluje ciągły proces wprowadzania nowych rozwiązań materiałowo-konstrukcyjnych do technologii kolejnych generacji układów scalonych [1]. Jedną z przełomowych zmian w ostatnich latach było całkowite zastąpienie termicznego tlenku krzemu (SiO2) (właściwie dwutlenku krzemu, ale w żargonie technologicznym mówi się po prostu - tlenek krzemu), używanego dotychczas w funkcji dielektryka bramkowego w najbardziej zaawansowanych układach CMOS, materiałem dielektrycznym o wysokiej wartości przenikalności elektrycznej, tzw. high-k dielectric [2]. Wciąż trwają prace zmierzające do poprawy niezawodności i powtarzalności technologii wytwarzania warstw izolacyjnych, które miałyby służyć jako dielektryki bramkowe w strukturach MOS. Jedną z metod jest wprowadzanie jonów fluoru w obszar bramki [3, 4]. Wykazano, że wprowadzenie fluoru w obszar bramkowy powoduje poprawę szeregu parametrów elektro-fizycznych struktur półprzewodnikowych, m.in. redukcję niestabilności napięcia progowego [5], odporności na radiację [6], czy zmniejszenie generacji pułapek powierzchniowych w trakcie lawinowego wstrzykiwania dziur [7]. Do tej pory zaproponowano szereg metod implantacji jonów fluoru do obszaru półprzewodnika. Do metod tych możElektronika 2/2011 21 na zaliczyć m.in. klasyczną implantację jonów [8], osadzanie z fazy ciekłej LPD (z ang. Liquid Phase Deposition) [9], czy utlenianie w atmosferze zawierającej tlen (O2) i trójfluorek azotu (NF3) [10]. Każda z technologii posiada jednak swoje ograniczenia technologiczno-konstrukcyjne. Proces klasycznej implantacji wprowadza znaczne uszkodzenia strukturalne oraz radiacyjne powierzchni półprzewodnika i nie pozwala, z uwagi na zbyt duże energię jonów dostępne w tego typu urządzeniach, na powtarzalne implantowanie jonów na bardzo płytkie głębokości. Z kolei w t[...]

Wykorzystanie powłok tlenkowych SiO2 oraz SiOxNy do zwiększenia odporności korozyjnej stopów magnezu


  W pracy przedstawiono zmiany odporności korozyjnej powłok SiO2 wytworzonych w procesie plazmowym PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition), z wykorzystaniem plazmy wysokiej częstotliwości (13,56 MHz), pod wpływem wprowadzenia do ich objętości azotu. Badaniom poddane zostały dwa stopy magnezu AZ32 i AZ91. Na każdym ze stopów Mg wykonano powłokę SiO2 o grubości 1000 nm, oraz powłoki SiOxNy (tlenkoazotek) o grubościach 60 nm i 500 nm. Uzyskane wyniki zestawione zostały z próbkami referencyjnymi wymienionych stopów. Właściwości korozyjne badanych powłok określono na podstawie analizy krzywych woltamperometrycznych. Uzyskane wyniki pokazują, że wprowadzenie azotu do objętości cienkiej warstwy plazmowo wytworzonej SiO2, czyli wytworzenie warstwy SiOxNy poprawia odporność korozyjną obu badanych stopów magnezu. Przy znacznie mniejszej grubości powłoki SiOxNy w stosunku do grubości powłoki tlenkowej SiO2 uzyskano zbliżone spadki gęstości prądu korozyjnego. Słowa kluczowe: odporność korozyjna, procesie plazmowym, metody elektrochemiczne, stopy magnezu An application of oxide coatings SiO2 and SiOxNy to increase corrosion resistance of magnesium alloys In this work, the effect of nitrogen introduction into the bulk of SiO2 coatings produced in the radio frequency plasma PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) on the corrosion properties of magnesium alloys AZ32 and AZ91, has been reported. At each Mg alloys the SiO2 coating with thicknesses 1000 nm and the SiOxNy coatings with thicknesses 60 nm and 500 nm, was performed. Corrosion properties of investigated coatings was based on analysis of the voltammetric curves. The results show that the introduction of nitrogen into the bulk of plasma produced a thin layer of SiO2, which produce SiOxNy layer with thickness it improves the corrosion resistance of both studies Mg alloys. A similar decrease in corrosion current density was observed for SiOxNy fi lm thickness of 500 nm an[...]

Zastosowanie powłok tlenkowych typu SiO2 w celu zwiększenia odporności korozyjnej stopu magnezu AZ91


  Ochrona przed Korozją, vol. 54, nr 6 265 Ca. Przed nałożeniem powłok w procesie osadzania plazmowego powierzchnia każdej z próbek została zeszlifowana i wypolerowana, a następnie oczyszczona przy użyciu standardowej procedury mikroelektronicznej RCA (SC1 + SC2 + buforowy HF). Proces osadzania plazmowego wykonano metodą PECVD (Oxford Plasmalab 80 Plus) z wykorzystaniem plazmy wysokiej częstotliwości (13,56 MHz). Warstwę SiO2 osadzono o grubości odpowiednio 12, 44 i 1100 nm. Wszystkie parametry wykonanych procesów osadzania plazmowego PECVD przedstawione zostały w tablicy 1. Grubość osadzonych warstw SiO2 zmierzona została za pomocą elipsometru jednofalowego (λ = 632,8 nm). Pomiary elipsometryczne przeprowadzane były bezpośrednio po procesach osadzania plazmowego PECVD. Otrzymane wyniki zamieszczone zostały w tablicy 1. Powlokę SiO2 również osadzono z zastosowaniem procesu chemicznego typu zol-żel zgodnie z procedurą [5]. W tym celu wypolerowane próbki wykonane ze stopu AZ91 poddano procesowi odtłuszczania w roztworze składającym się z Na3PO4·12H2O w ilości 10 g/l oraz 50 g/l NaOH w czasie 10 minut o temp 60oC. Zabieg ten również spowodował powstanie na powierzchni stopu warstwy tlenkowo- fosforanowej która obniżyła chemiczną reakty[...]

Wytwarzanie powłok SiO2 metodą PECVD na stopach magnezu w celu zwiększenia odporności korozyjnej


  276 Ochrona przed Korozją, vol. 54, nr 6 stopów magnezu AZ31, AZ32 oraz AZ91. Na każdym ze stopów Mg wykonano powłoki SiO2 o różnych grubościach. Właściwości korozyjne badanych powłok określono na podstawie analizy krzywych woltamperometrycznych. 2. Opis eksperymentu Do eksperymentu przygotowane zostały cztery próbki dla każdego z poddanych badaniom stopów magnezu AZ31, AZ32 i AZ91. Przed procesem osadzania plazmowego powierzchnia każdej z próbek została zeszlifowana i wypolerowana, a następnie oczyszczona przy użyciu standardowej procedury mikroelektronicznej RCA (SC1+SC2+buforowy HF). Na próbkach oznaczonych numerami od 1 do 3 osadzono, na stanowisku plazmowym Oxford Plasmalab 80 Plus, metodą PECVD z wykorzystaniem plazmy wysokiej częstotliwości (13,56 MHz), warstwę SiO2 o grubości odpowiednio 12 nm, 22 nm i 44 nm. Wszystkie parametry wykonanych procesów osadzania plazmowego PECVD przedstawione zostały w tablicy 1. Grubość osadzonych warstw SiO2 zmierzona została za pomocą elipsometru jednofalowego (λ = 632,8 nm). Pomiary elipsometryczne przeprowadzane były bezpośrednio po procesach osadzania plazmowego PECVD. Otrzymane wyniki zamieszczone zostały w tabeli 1. Próbki oznaczone numerem 4 nie zostały zabezpieczone powłoką SiO2, [...]

Wpływ ultrapłytkiej implantacji azotu na właściwości antykorozyjne powłok tlenkowych SiO2 wytwarzanych metodami plazmowymi PECVD na stopie magnezu AZ91


  W pracy przedstawiono wpływ azotu, wprowadzonego w obszar między powierzchnią stopu magnezu a powłoką SiO2, na właściwości korozyjne stopu magnezu AZ91. Azot wprowadzany był przed procesem wytworzenia warstwy ochronnej za pomocą procesu ultra-płytkiej implantacji z plazmy wysokiej częstotliwości (13,56 MHz) w reaktorze PECVD. Do procesu implantacji wykorzystana została plazma wytworzona w gazach: N2 oraz NH3. Następnie, na każdej zaimplantowanej próbce wytworzono powłokę ochronną za pomocą procesu utleniania plazmowego lub osadzania plazmowego. Uzyskane wyniki zestawione zostały z próbką referencyjną badanego stopu. Właściwości korozyjne wytworzonych powłok określono na podstawie analizy krzywych woltamperometrycznych. Najniższe gęstości prądu korozji otrzymano dla próbki, której powłoka ochronna wykonana została w procesie osadzania plazmowego na powierzchni zaimplantowanej z plazmy wytworzonej w gazie N2 (ikor = 2,36 μA/cm2). Największą odporność na występowanie korozji wżerowej (największa różnica potencjałów: potencjału korozyjnego Ekor i potencjału korozji wżerowej Epit) zaobserwowano dla próbki, której powłoka ochronna wytworzona została przez utlenianie plazmowe wykonywane po procesie implantacji azotu z plazmy powstałej w gazie NH3. Słowa kluczowe: odporność korozyjna, procesy plazmowe, metody elektrochemiczne, stopy magnezu, PECVD The infl uence of ultra-shallow implantation process of nitrogen on the corrosion properties of SiO2 coatings formed on the magnesium alloys AZ91 by using PECVD plasma methods The work shows the infl uence of nitrogen, incorporated at the interface between the surface of magnesium alloy and SiO2 coating, on corrosion resistance of AZ91 magnesium alloys. Nitrogen was incorporated before the process of manufacture of protective layers by using the ultra-shallow implantation process of the high frequency plasma (13,56 MHz) in the reactor PECVD. During implantation process was used two types of plasma:[...]

Charakteryzacja warstw azotku krzemu (SiNx) wytwarzanego metodą PECVD dla zastosowań w przyrządach M(O)EMS

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono wyniki badań warstw azotku krzemu wytwarzanych metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą (PECVD). Warstwy dielektryczne zostały poddane charakteryzacji przy użyciu: elipsometrii spektroskopowej, profilometrii oraz nanoindentacji. Wybrane warstwy posłużyły do wykonania elementów mikrosystemów - belki i membrany, które obserwowane były za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego. Zaprezentowano także zależności właściwości warstw SiNx od parametrów procesu PECVD: ciśnienia panującego w komorze reaktora, mocy generatora wysokiej częstotliwości, przepływu amoniaku oraz czasu wzbudzenia generatora niskiej częstotliwości. Przedstawione wyniki pokazały możliwość sterowania poziomem naprężeń w warstwie SiNx poprzez odpowiedni dobór czasów pracy generatora niskiej i wysokiej częstotliwości. Rezultaty zawarte w niniejszej pracy mają duże znaczenie dla dalszej optymalizacji technologii warstw azotku krzemu dla zastosowań w przyrządach typu M(O)EMS. Abstract. In this work, the studies of properties of silicon nitride (SiNx) layers formed by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) have been described. Dielectric layers were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, profilometry and nanoindentation method. Selected layers of silicon nitride were successfully used as beams and diaphragms. Scanning Electron Microscopy (SEM) was used to perform observations of fabricated micromechanical elements. In this paper there is also presented the influence of PECVD process parameters on physical and mechanical properties of studied in this work SiNx layers. The results obtained in the course of this work are very important from the point of view of further silicon nitride technology optimization for applications in M(O)EMS devices. (Characterization of PECVD silicon nitride (SiNx) layers for M(O)EMS applications). Słowa kluczowe: azotek krzemu (SiNx), PECVD, nanoindentacja, MEMS. Keywords: silicon n[...]

 Strona 1  Następna strona »