Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"JAN FELBA"

Kompozycje elektrycznie przewodzące w produkcji płytek drukowanych

Czytaj za darmo! »

Postępująca miniaturyzacja urządzeń elektronicznych jest możliwa dzięki postępowi w zakresie wytwarzania układów scalonych o coraz mniejszym wymiarze charakterystycznym oraz postępowi w zakresie wykonywania płytek drukowanych o dużej gęstości montażu. Ze względu na ograniczoną powierzchnię montażową płytek, z niektórymi elementami wchodzi się do wnętrza płytki, tworząc struktury przestrzenne[...]

Ujawnienie historii radiacyjnej napromieniowanego elektronami krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego poprzez po-radiacyjną obróbkę termiczną

Czytaj za darmo! »

Domieszkowany borem krzem otrzymany metodą Czochralskiego (Cz-Si), o orientacji (001) i o koncentracji domieszki tlenowej ok. 9x1017 cm-3, został napromieniowany elektronami o energii 40 keV i dawkach do 2.5x1016 cm-2. W wyniku wygrzewania w temperaturze do 1400 K, także pod wysokim ciśnieniem (do 1,2 GPa) argonu, ulega wydatnej zmianie koncentracja elektronów przewodnictwa oraz struktura defektowa Cz-Si. Podano wyjaśnienie tego zjawiska i zaproponowano jego wykorzystanie do ujawnienia napromieniowania krzemu elektronami. Abstract. Boron doped (001) orientated Czochralski grown silicon (Cz-Si) with concentration of oxygen interstitials of about 9x1017 cm-3, was irradiated with electrons (energy 40 keV, doses up to 2.5x1016 cm-2). In effect of annealing at 1400 K, also under high hydrostatic Ar pressure, up to 1.2 GPa, concentration of carriers in the conduction band and defect structure of Cz-Si are changing markedly. Explanation of this effect is proposed and its application for revealing the electron irradiation history of Cz-Si is suggested. (Revealing the electron irradiation history of Czochralski silicon by the post-irradiation thermal treatment). Słowa kluczowe: Cz-Si, napromieniowanie, elektron, obróbka wysokotemperaturowo-ciśnieniowa. Keywords: Cz-Si, irradiation, electron, high temperature-pressure treatment. Wstęp Napromieniowanie krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego (Cz-Si) , zawsze zawierającego domieszkę tlenową (jej zawartość, zazwyczaj w położeniach międzywęzłowych, Oi, może sięgać 1,5x1018 cm-3) neutronami, elektronami czy promieniowaniem γ o dostatecznie wysokiej energii (E) powoduje generację międzywęźli krzemowych (Sii), luk (V) oraz kompleksów luka-tlen, takich jak VxOy. Defekty sieci krystalicznej, w tym takie jak VxOy, działają w temperaturze podwyższonej (HT) jako centra zarodkowania skupisk (/) wytrąceń tlenowych na bazie Oi oraz innych defektów strukturalnych. Wysokie ciśnienie hydrostatyczne atmosf[...]

 Strona 1