Wyniki 1-10 spośród 15 dla zapytania: authorDesc:"JULIUSZ MODZELEWSKI"

Uproszczona metoda projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości z tranzystorami MoSFET

Czytaj za darmo! »

Projektowanie i budowa rezonansowych wzmacniaczy mocy pracujących w zakresie od kilkudziesięciu kHz do kilkuset MHz, umownie nazywanym zakresem wielkich częstotliwości (w.cz.), jest zadaniem trudnym, gdyż w takich wzmacniaczach elementy aktywne pracują w warunkach wielkosygnałowych przy znacznym wykorzystaniu dopuszczalnych wartości napięć, prądów i mocy traconej. Elementy te wykazują znaczn[...]

Zasilacz impulsowy sterowany sygnałem małej częstotliwości do modulatorów amplitudy o dużej mocy wyjściowej w nadajnikach radiowych

Czytaj za darmo! »

Wzmacnianie mocy sygnałów wielkiej częstotliwości o zmiennej (modulowanej) amplitudzie wymaga stosowania liniowych wzmacniaczy mocy klasy AB lub klasy A, których sprawność energetyczna jest znacznie mniejsza od sprawności osiągalnej w przypadku wzmacniaczy sygnałów o stałej amplitudzie. Modulację amplitudy można także zrealizować bezpośrednio w modulatorze mocy wytwarzającym zmodulowany sygn[...]

Rezonansowy wzmacniacz mocy klasy C w stanie przewzbudzonym

Czytaj za darmo! »

Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkich częstotliwości są stosowane w nadajnikach systemów łączności radiowej (radiodyfuzyjnych i radiokomunikacyjnych) do wzmacniania sygnałów zmodulowanych oraz w elektronice przemysłowej jako regulowane źródła mocy. W większości systemów łączności sygnał wyjściowy ma zmienną amplitudę, dlatego konieczne jest stosowanie wzmacniaczy o liniowej charakterystyce p[...]

Drgania pasożytnicze poniżej częstotliwości roboczej w rezonansowych wzmacniaczach mocy z obwodem wyjściowym typu π1a

Czytaj za darmo! »

Wyjściowy obwód rezonansowy, oprócz elementu aktywnego (tranzystora mocy lub lampy nadawczej), stanowi podstawowy blok rezonansowego wzmacniacza mocy. Obwód ten ma postać czwórnika LC (teoretycznie bezstratnego), którego podstawową funkcją jest zapewnienie założonych warunków pracy elementu aktywnego w całym paśmie zajmowanym przez wzmacniany sygnał. Zatem w typowych wzmacniaczach mocy (klasy AB, B, C i D) na zaciskach wyjściowych elementu aktywnego powinien być spełniony: po pierwsze, warunek rezonansu zapewniający rzeczywisty charakter impedancji obciążenia tego elementu: po drugie, rezystancja obciążenia elementu aktywnego (czyli rezystancja wejściowa obciążonego obwodu rezonansowego) powinna mieć konkretną wartość zapewniającą oddanie przez ten element wymaganej mocy przy[...]

Uproszczona metoda projektowania obwodów π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy

Czytaj za darmo! »

Przedstawiono metodę obliczania indukcyjności cewki i pojemności kondensatorów obwodu typu π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy AB, B i C przy założeniu braku strat w tych elementach. W rzeczywistym obwodzie straty te powinny być bowiem jak najniższe, aby zapewnić wysoką sprawność energetyczną. W przypadku typowej cewki (dobroć własna co najmniej 100) przedstawiona metoda nie powoduje istotnego niedopasowania impedancji wejściowej obwodów π1 o dobroci wypadkowej nie większej niż 10 (błąd modułu do 10%, błąd argumentu do 5o). Abstract: A method of calculation of inductance of the inductor and capacitances of the capacitors in the π1 circuit for Class AB, Class B, and Class C tuned power amplifiers is presented. It was assumed that the inductor and capacitors are lo[...]

Właściwości obwodów typu π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy dla różnych wartości dobroci wypadkowej


  Właściwości systemu łączności radiowej w znacznym stopniu zależą od parametrów stopnia końcowego nadajnika. Parametry tego stopnia wpływają bowiem na zasięg łączności, zniekształcenia przesyłanych informacji, poziom emisji pasożytniczych, a także na rozmiary i masę oraz koszty budowy i eksploatacji tego systemu. Stopień końcowy nadajników radiowych budowany jest najczęściej jako rezonansowy wzmacniacz mocy. We wzmacniaczu rezonansowym, oprócz elementu aktywnego (najczęściej tranzystora MOSFET) realizującego proces wzmacniania sygnału wejściowego, istotną rolę pełni obwód wejściowy i obwód wyjściowy, będące czwórnikami selektywnymi. Obydwa te obwody, wraz z obwodem zasilania powinny zapewnić założone warunki pracy elementu aktywnego tak, aby uzyskać wymaganą moc w obciążeniu p[...]

Obwody typu 1 o małej dobroci wypadkowej w rezonansowych wzmacniaczach mocy

Czytaj za darmo! »

Obwód typu 1 jest stosowany jako wyjściowy obwód rezonansowy we wzmacniaczach klas AB, B i C. W quasi-szerokopasmowych wzmacniaczach rezonansowych (np. do nadajników radiofonicznych UKF-FM 87,5-108 MHz) dobroć wypadkowa obwodu 1 musi być dostatecznie mała. Wykazano, że we wzmacniaczu z takim obwodem druga i trzecia harmoniczna prądu drenu nie są zwierane, co powoduje wzrost wartości międzyszczytowej napięcia dren-źródło. Wzmacniacz wchodzi w stan przewzbudzony a jego charakterystyka przejściowa jest nieliniowa. Abstract. The 1 circuit is applied as an output resonant circuit in the class AB, class B and class C tuned power amplifiers. In semi-wideband tuned power amplifiers (e.g. for VHF-FM 87.5 - 108MHz radio transmitters) loaded quality factor Qw of the 1 circuit must be sufficiently low. It has been proven that in the amplifier with low-Qw 1 circuit the 2nd and 3rd harmonics of the transistor drain current are not short-circuited, and peak-to-peak value of the drain-source voltage increases. Hence, the amplifier is overdriven, and its transfer characteristic is non-linear. (1 resonant circuits with low loaded quality factor in tuned power amplifiers) Słowa kluczowe: obwód rezonansowy, transformacja impedancji, liniowy wzmacniacz mocy, zniekształcenia nieliniowe Keywords: resonant circuit, impedance transformation, linear power amplifier, non-linear distortions Wprowadzenie Rezonansowy wzmacniacz mocy stanowi stopień końcowy większości nadajników radiowych systemów radiokomunikacyjnych i radiodyfuzyjnych. Wzmacniacze takie są także stosowane w urządzeniach elektroniki przemysłowej (piece indukcyjne i pojemnościowe, zasilacze DC dużej mocy) i w urządzeniach powszechnego użytku (np. kuchnie indukcyjne). Właściwości wzmacniacza rezonansowego opisuje się za pomocą amplitudowych charakterystyk przejściowych oraz amplitudowych i fazowych charakterystyk częstotliwościowych. Istotnym parametre[...]

Wzmacniacze mocy klasy DE w układzie modulacji amplitudy metodą modulacji fazy

Czytaj za darmo! »

Modulację amplitudy można zrealizować sumując dwa sygnały o takich samych amplitudach i częstotliwościach, których różnica faz jest sterowana przez sygnał modulujący. W pracy wykazano, iż w takim modulatorze z bezpośrednim sumowaniem prądów wyjściowych z dwóch rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy DE możliwe jest spełnienie warunków ZVS w obu wzmacniaczach dla wszystkich wartości napięcia wyjściowego modulatora. Dzięki temu uzyskuje się wysoką sprawność energetyczną modulatora i ograniczoną stromość napięcia dren-źródło tranzystorów. Abstract. In the ampliphase modulator the amplitude modulation is obtained by combining two HF signals with the same amplitude and frequency, the phase difference of which is controlled by an LF input signal. In the paper it has been proven that in the ampliphase modulator with two Class-DE amplifiers, the output currents of which are directly added, the ZVS condition can be satisfied in both amplifiers for all values of the modulator output voltage. Thus, the efficiency of the ampliphase modulator is high and the rate of the drain-source voltage of the power transistors is limited. (Class- DE power amplifiers in the ampliphase amplitude modulator). Słowa kluczowe: wysokosprawny modulator AM, wzmacniacz liniowy EER, warunki optymalne, warunki suboptymalne. Keywords: high-efficiency amplitude modulator, EER linear amplifier, optimum operation, suboptimum operation. Wprowadzenie Wysokosprawne modulatory amplitudy o dużej mocy wyjściowej używane były dotychczas jako stopnie końcowe nadajników radiowych pracujących z modulacją amplitudy (AM) w zakresie fal długich, średnich i krótkich. Obecnie takie modulatory wykorzystywane są także w układach liniowych wzmacniaczy mocy pracujących metodą EER (Envelope Elimination and Restoration) pozwalających uzyskać znacznie wyższą sprawność energetyczną niż klasyczne wzmacniacze liniowe klasy A i AB. Liniowe wzmacniacze EER stosowane są w nadajnikach radiowych emisji cyf[...]

Analiza obwodu zasilania rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy D


  Rezonansowe wzmacniacze mocy mogą być zasilane w układzie równoległym albo w układzie szeregowym [1] - rys. 1. W układzie równoległym (rys. 1a) element aktywny (EA), wyjściowy obwód rezonansowy (OW) i źródło zasilania DC o charakterze źródła prądowego (IZ) są połączony równolegle. W praktycznym rozwiązaniu zasilanie równoległe z rzeczywistego źródła DC o skończonej impedancji wewnętrznej (EZ, ZZ - rys. 1b) odbywa się przez indukcyjność LD (dławik), która powinna stanowić rozwarcie dla prądów o częstotliwości wzmacnianego sygnału. Zaletą zasilania równoległego jest naturalne odizolowanie źródła zasilającego DC (zasilacza) od wzmacnianych przebiegów wielkiej częstotliwości, dzięki czemu skończona impedancja wewnętrzna tego źródła przy częstotliwości roboczej nie ingeruje w pracę wzmacniacza. Ponadto przez przewody łączące wzmacniacz z zasilaczem nie przepływa prądy o częstotliwości roboczej (i jej harmonicznych), dzięki czemu nie są emitowane zakłócenia elektromagnetyczne. Wadą tego sposobu zasilania jest jednak dodatkowy element indukcyjny (dławik LD), który zwiększa koszt budowy wzmacniacza. Równoległe zasilanie stosowane jest w tranzystorowych "analogowych" wzmacniaczach rezonansowych klasy A, klasy AB, klasy B i klasy C z obwodem rezonansowym typu π1 i jego pochodnymi [1-5]. Zasilanie takie jest także wykorzystywane w większości wzmacniaczy kluczowanych klasy E [6, 7]. W szeregowym układzie zasilania (rys. 1c) źródło zasilania DC o charakterze źródła napięciowego dołączone jest do szeregowego połączenia elementu aktywnego i wyjściowego obwodu rezonansowego. W takim układzie zasilania obwód wyjściowy musi umożliwiać przepływ składowej stałej prądu elementu aktywnego a składowa zmienna prądu elementu aktywnego przepływa przez źródło zasilające. Rzeczywiste źródło zasilania dla składowych wielkiej częstotliwości ma zwykle znaczną impedancję wewnętrzną (ZZ - rys. 1d), dlatego wzmacniacz z zas[...]

Uproszczona metoda obliczania warunków pracy tranzystorów w rezonansowych wzmacniaczach mocy klasy DE


  Kluczowane rezonansowe wzmacniacze mocy w radiotechnice mogą pełnić rolę stopni mocy nadajników systemów radiowych z modulacją częstotliwości (FM) i fazy (PM) oraz modulatorów mocy w nadajnikach z modulacją amplitudy (AM). Obecnie modulatory amplitudy o dużej mocy są także stosowane w wysokosprawnych liniowych wzmacniaczach mocy pracujących w układzie EE R (Envelope Elimination and Restoration) wykorzystywanych w nadajnikach systemów cyfrowych. Natomiast w energoelektronice wzmacniacze kluczowane pełnią funkcję przetworników energii źródła prądu stałego w energię wielkiej częstotliwości, dlatego zamiast określenia wzmacniacz często używane jest określenie inwerter (np. [1, 2] albo falownik (np. [3, 4]. Ideę kluczowanego wzmacniacza rezonansowego klasy DE przedstawiono w 1975 roku (Żukow, Kozyriew [5]). W wzmacniaczu tym zostały wyeliminowane podstawowe wady rezonansowego wzmacniacza mocy klasy D [6, 7]. Powstawanie prądu skrośnego wskutek pokrywania się impulsów bramkowych usunięto poprzez zwężenie tych impulsów tak, aby w cyklu pracy wzmacniacza pojawił się czas martwy, w którym oba tranzystory mocy są wyłączone (rys. 1). Modyfikację taką można zrealizować m. in. poprzez sterowanie tranzystorów przebiegiem sinusoidalnym [6, 7]. Natomiast straty mocy wywołane włączaniem tranzystorów "pod napięciem" (non-Zero-Voltage Switching) i aktywnym ładowaniem i rozładowywaniem pojemności wyjściowych tranzystorów zostały wyeliminowane poprzez zastosowanie odstrojonego obwodu rezonansowego o charakterze indukcyjnym. Dzięki temu w czasie martwym pojemności te są przeładowywane bezstratnie prądem wyjściowego obwodu rezonansowego. Takie bierne przeładowywanie pojemności wyjściowych redukuje także szybkość narastania napięcia na tranzystorze wyłączonym, co ogranicza groźbę jego pasożytniczego włączenia (i w efekcie powstania prądu skrośnego). Wzmacniacz taki nazywany był początkowo wzmacniaczem klasy D [...]

 Strona 1  Następna strona »