Wyniki 1-10 spośród 11 dla zapytania: authorDesc:"TOMASZ BIENIEK"

Badania międzylaboratoryjne komercyjnego urządzenia medycznego

Czytaj za darmo! »

Artykuł opisuje metody oraz wyniki badań kompatybilności elektromagnetycznej rzeczywistego, komercyjnego urządzenia medycznego, przeprowadzonych przez dwa laboratoria, wykorzystujące znacząco różny zestaw aparatury badawczej. Abstract. The paper presents a results and method of the electromagnetic compatibility tests of the commercial medical device. The tests have been made by two different EMC laboratories with using significantly different test set-up. (Interlaboratory studies of the commercial medical device). Słowa kluczowe: KEM urządzeń medycznych, komora GTEM, badania KEM, kompatybilność elektromagnetyczna. Keywords: EMC of medical devices, GTEM chamber, EMC tests, electromagnetic compatibility. Wstęp Badania międzylaboratoryjne są niezbędnym instrumentem wspomagającym utrzymywanie wysokich standardów usług w laboratoriach akredytowanych. Badania takie są zazwyczaj przeprowadzane za pomocą specjalnie do tego celu spreparowanego obiektu, stanowiącego zaledwie fantom użytecznego urządzenia. W niniejszym dokumencie opisano wyniki badań porównawczych kompatybilności elektromagnetycznej przeprowadzonych na w pełni funkcjonalnym urządzeniu medycznym będącym końcowym efektem realizowanego przez ITAM projektu. Badany obiekt Urządzenie badane, to zasilany bateryjnie, kieszonkowy rejestrator elektrokardiogramu i temperatury ciała pacjenta1. Rejestrator może także zapisywać parametry środowiskowe tj. temperaturę powietrza i ciśnienie atmosferyczne oraz przyspieszenia, jakim jest poddawany. Specyfika urządzenia umożliwia więc zarejestrowanie przebiegu całego testu lub jego etapu i późniejsze dokładne przeanalizowanie zapisów. Nie ma zatem konieczności uciążliwej obserwacji wskaźników lub wyświetlaczy badanego obiektu, ani zazwyczaj słabo czytelnych i budzących wątpliwości obrazów z kamer przemysłowych. Zakres badań Zgodnie z wymaganiami normy PN-EN60601-1-2:2007 przeprowadzone zosta[...]

Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

Czytaj za darmo! »

Węglik krzemu (SiC) jest szczególnie interesującym półprzewodnikowym materiałem podłożowym dla przyrządów przetwarzających duże moce i pracujących jednocześnie w wysokiej temperaturze, ponieważ charakteryzuje się szeroką przerwą energii zabronionych (powyżej 2,36 eV), wysokim krytycznym polem elektrycznym (powyżej 1 MV/cm), oraz wysoką przewodność cieplną (powyżej 3,6 Wcm-1K-1). Wyszczególni[...]

Thermomechanical aspects of reliability for vertically integrated heterogeneous systems

Czytaj za darmo! »

Evolving demands on device functionality, reliability and performance result in various modes of development of engineering technologies. Silicon based technologies to follow Moore’s law continuously scale down. As silicon device scaling meets fundamental limitations architecture tricks are also exploited. Therefore technology and architecture development step forward along with device 3D integration and packaging to handle with heterogeneous device integration. Several EUsupported projects like e-Cubes [1] or Corona [2] cover R&D efforts on 3D vertical device integration and design flow and technology optimization. Flexible technology European companies extending their competitiveness target micro and nano technologies (MNT). The key issue is short time-to-market and e[...]

Zaawansowane modelowanie warstw diamentowych CVD w zastosowaniach MEMS/MOEMS

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono i omówiono zastosowanie warstw diamentowych osadzanych metodą CVD w systemach typu MEMS i MOEMS. Porównano fizyczne właściwości warstw diamentowych z właściwościami krzemu. Jako przykład przedstawiono założenia i wyniki symulacji typowej struktury mikromechanicznej wytworzonej z warstwy diamentowej i warstwy krzemowej. Wszystkie symulacje zostały wykonane dedykowanym oprogramowaniem do symulacji systemów typu MEMS - CoventorWare ™. Abstract. CVD formed diamond layers applied for MEMS/MOEMS applications have been presented and discussed in this paper. Physical properties of CVD diamond layers have been compared with silicon layer properties. As an example of diamond-based and silicon-based devices, modeling issues and results of simulations performed for typical MEMS structure have been presented and discussed. All simulations have been carried out within the specialized simulation environment - CoventorWare™. (Multidomain modeling and simulation of CVD diamond layers for MEMS/MOEMS applications). Słowa kluczowe: diament, mikrosystemy, symulacje, technologia diamentowa. Keywords: diamond, MEMS, simulation, diamond technology. Wstęp Obecnie świat elektroniki zdominowany jest przez technologie krzemowe. Materiały krzemowe i technologie z nimi związane osiągnęły niemal idealny stan pod względem jakości i uzysku. Większość systemów typu MEMS i MOEMS (ang. Micro-Electro-Mechanical System; Micro-Opto-Electro-Mechanical System) jest wytwarzanych głównie w technologii krzemowej. Jednak struktury wykonane z krzemu zawodzą, jeśli pracują w agresywnych ośrodkach, w wysokiej temperaturze lub przy silnym promieniowaniu cząstek jonizujących. Ograniczenia wynikające z właściwości krzemu, wymagają rozwijania badań związanych z materiałami, które są zarówno bardziej odporne na warunki środowiska, ja[...]

Modelowanie 3-wymiarowe anizotropowego trawienia krzemu

Czytaj za darmo! »

W artykule zostały przedstawione metody optymalizacji parametrów w programie Etch3D oraz wyniki symulacji trawienia krzemu w KOH w porównaniu ze strukturami próbnymi. Celem niniejszych badań była kalibracja parametrów symulatora do warunków procesów przeprowadzanych w ITE. Do analizy wpływu parametrów funkcji RPF (ang. Remove Probability Function) na parametry wyjściowe, zastosowano metodę Taguchiego. Pozwoliło to na optymalizację wyników symulacji do rzeczywistych procesów trawienia przeprowadzanych w ITE. Abstract. The methods of parameters optimization in the program Etch3D and results of simulations of silicon etching in KOH in comparison with experiments are presented. The aim of this study was to calibrate the tool to a set of process conditions that is offered by ITE. The Taguchi approach [4] was used to analyze the influence of every RPF (Remove Probability Function) parameter on one or more output parameters. This allowed tuning the results of simulation to results of real etching performed at ITE. (3-D modeling of anisotropic wet etching of silicon). Słowa kluczowe: KOH, modelowanie, symulacja, trawienie mokre. Keywords: KOH, modeling, simulation, wet etching. Wstęp Chemiczne anizotropowe trawienie kryształu krzemu w KOH/TMAH, jest standardowym procesem technologicznym w produkcji trójwymiarowych struktur urządzeń mikroelektromechanicznych. Proces trawienia jest uzależniony od orientacji trawionego kryształu, temperatury, stężenia roztworu oraz czasu przebywania płytki w roztworze [1]. Precyzyjne wyznaczenie parametrów struktury (np. kształty wytrawionych płaszczyzn krystalograficznych), otrzymywanej w wyniku trawienia jest trudne do określenia na etapie projektowania przyrządu. Symulator Etch3D™ umożliwia rozwiązanie tego problemu w wyniku symulacji procesu mokrego [...]

Fizyczne aspekty niezawodności w modelowaniu zintegrowanych mikrosystemów

Czytaj za darmo! »

Intensywny rozwój technologii w przemyśle półprzewodnikowym wymusza adekwatne tempo rozwoju narzędzi wykorzystywanych do projektowania układów i mikrosystemów scalonych. Jednocześnie do procesu projektowania wprowadzane są dedykowane metody projektowania i współpracy skracające czas projektowania i poprawiające końcową niezawodność układów. Przyczynia się to do redukcji kosztów projektowania oraz czyni bardziej wiarygodnymi symulacje służące weryfikacji poprawności projektu. W ostatecznym rozrachunku ograniczony zostaje również ostateczny koszt produkcji przedmiotowych układów i mikrosystemów scalonych. Abstract. Intensive development of semiconductor fabrication technologies simultaneously stimulates evolution of applied methods and tools. Novel methods applied to keep abreast of progress in IC, and microsystems technology shorten time to market and improve final device reliability. It contributes to reduction of design expenses, and makes simulations of the design used for verification more reliable and accurate. Finally, the ICdevice/ MEMS-microsystem fabrication cost is also reduced. (Physical reliability aspects in integrated microsystem modeling). Słowa kluczowe: mikrosystemy, integracja 3D, modelowanie, symulacje, HEDORIS, projekt CORONA, projekt e-CUBES, projekt SE2A. Keywords: microsystems, 3D integration, modeling and simulation, Hedoris, CORONA Project, e-CUBES Project, SE2A project. Wstęp W ostatnich latach obserwuje się intensywny rozwój wzrost nowych technologii mikroelektronicznych jak również wykorzystujących je mikrosystemów. Podobny trend jest także w dziedzinie trójwymiarowej integracji różnych modułów w jeden wielofunkcyjny mikrosystem. Wiąże się to z większą gęstością upakowania, ograniczeniem długości połączeń elektrycznych, rozszerza możliwości integracji modułów wykonanych w różnych, specyficznych technologiach, których zastosowanie wynika ze szczególnej funkcjonalności danego modułu. Pojawianie się nowych mikr[...]

Coupled thermo-electro-mechanical modeling and simulation of 3D micro- and nanostructures

Czytaj za darmo! »

The complex silicon systems formed by the several specialized devices like SOC, RF devices, power devices, MEMS wafers are fabricated in dedicated technologies. If the designer attempts to integrate them into the one big multifunctional system (Fig. 1), he meets the new, yet unexplored fields for the multidisciplinary, mutually dependent thermal, electrical, EM and mechanical parameters mode[...]

Rapid prototyping of electrostatically-driven MEMS


  In general, design and manufacturing of MEMS is a complex, expensive and time consuming process. Usually, it requires a number of iterative steps for verification of initial concepts and for determination of the properties of structural materials [1]. This process has been significantly boosted by several commercial MEMS design and simulation software tools that have been developed in the last decade, such as COVENTORWARE ® or INTELLISENSE® [2, 3]. Still, when using such software, it is very difficult to combine electromechanical properties of MEMS devices with electrical properties of semiconductors. In this case, a classical scheme, namely with a standard manufacturing cycle: design, fabrication, testing may be the only feasible one. For complex designs, this may cause long times to market. In this paper we present a very simple approach that[...]

Design and manufacturing of heterogeneous microsystems for micro- and nanotechnology applications


  The potential and growth of microsystem require integration of mechanical, electrical, optical and many more domains within the small dimensions associated with very large scale integration (VLSI). The behavior of the overall system is not just the simple connection of separate mechanical and electrical behaviors, but the simultaneous combination of mechanical, electrical and optical behaviors. The integration of modern MEMS has to be considered on various levels: - materials used for microsystem construction, - processes used for fabrication of the system, - mechanical and electrical properties of the elements of microsystem, - function of overall integrated microsystem including packaging. Therefore modern tool for multi-domain, heterogeneous microsystem modeling and simulation has to allow the designer take into account all these aspects of integration. Modern methodology of MEMS design presented in this paper is based on a system-level, top-down MEMS design process [1]. The objectives of this method are to optimize the function of the devices and to minimize development time and cost by avoiding unnecessary design cycles and foundry runs. This methodology (Fig.1a) uses an initial set of MEMS re quirements to select a design and fabrication approach. Instead of using a layoutdrawing tool to create a 2D model, high-level design techniques use a graphical schematic capture tool to position and connect the model symbols that represent functional blocks (masses, plates, electrodes or micro-fluidic parts) with underlying analytical formula. Because the simulations are run using code-based, six Degree-Of-Freedom (DOF) behavioral models, instead of FEM based or BEM-based partial differential equation models, the simulation time is reduced by orders of magnitude. Once the design is complete a device layout can be generated automatically from the high level description. In next step, 3D PDE Design and manufacturing of h[...]

 Strona 1  Następna strona »