Wyniki 1-10 spośród 41 dla zapytania: authorDesc:"JANUSZ ZARĘBSKI"

60 lat Wydziału Elektrycznego

Czytaj za darmo! »

W bieżącym roku Wydział Elektryczny Akademii Morskiej w Gdyni (AMG) obchodzi 60-lecie swojego istnienia. Nasz Wydział został utworzony 1 kwietnia 1954 roku w Państwowej Szkole Morskiej, przekształconej w 1969 roku w Wyższą Szkołę Morską w Gdyni (od 2002 roku Akademia Morska w Gdyni). Jest to jedyny wydział elektryczny w polskiej uczelni morskiej. Zgodnie z rankingiem szanghajskim Akademia Morska w Gdyni zajmuje piąte miejsce w świecie i pierwsze miejsce w Europie wśród uczelni morskich. Podstawowym zadaniem Wydziału Elektrycznego AMG jest kształcenie oficerów marynarki handlowej i przygotowanie studentów do pełnienia funkcji oficera elektroautomatyka okrętowego lub radioelektronika. Kształcenie to jest realizowane zgodnie ze[...]

Wyznaczanie charakterystyk przetwornic dławikowych w stanie ustalonym

Czytaj za darmo! »

Przetwornice dławikowe są powszechnie wykorzystywane w zasilaczach impulsowych o mocy wyjściowej do około 100 W. Znane z literatury zależności analityczne, opisujące charakterystyki przetwornic w stanie ustalonym, zostały sformułowane przy pominięciu strat w elementach indukcyjnych i półprzewodnikowych [1, 2, 5, 6] lub przy uwzględnieniu tylko wybranego składnika tych strat [3]. W pracy [3] [...]

Małosygnałowy elektrotermiczny model przetwornicy boost

Czytaj za darmo! »

Przetwornice dławikowe, zawierające tranzystor kluczujący, sterowany zewnętrznym sygnałem, diodę, dławik i kondensator, są podstawowym blokiem wielu zasilaczy impulsowych. Zasilacze impulsowe pracują typowo z pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego [1, 2]. Przy projektowaniu zasilaczy impulsowych wykonuje się analizę stałoprądową, analizę stanów przejściowych oraz analizę częstotliwościową [3].[...]

Wpływ wybranych czynników na charakterystyki obcowzbudnych stabilizatorów impulsowych w stanie ustalonym

Czytaj za darmo! »

Stabilizatory impulsowe stanowią podstawowy blok funkcjonalny zasilaczy impulsowych, stosowanych powszechnie w urządzeniach elektronicznych. Najpowszechniej obecnie stosowane obcowzbudne stabilizatory impulsowe zawierają dławikową przetwornicę dc-dc oraz układ sterujący (sterownik) - rys. 1. Dławikowa przetwornica dc-dc zawiera półprzewodnikowe elementy kluczujące, to znaczy diodę i tranzyst[...]

Wpływ zjawiska samonagrzewania na charakterystyki statyczne tranzystorów TrenchMOS

Czytaj za darmo! »

Tranzystory MOS mocy są obecnie powszechnie wykorzystywane w układach elektronicznych, pełniąc rolę elementów wzmacniających, np. wzmacniacze mocy lub elementów kluczujących, np. przetwornice tranzystorowe. Na właściwości elementów półprzewodnikowych, w tym tranzystorów MOS, silnie wpływa temperatura. Informacje o zmianach wartości parametrów roboczych elementów półprzewodnikowych oraz ich [...]

Wpływ wybranych czynników na właściwości półprzewodnikowych źródeł światła

Czytaj za darmo! »

Obecnie około 20-30% wytwarzanej na świecie energii elektrycznej jest zużywane na cele oświetleniowe [1,2], więc poprawa sprawności energetycznej źródeł światła może się przyczynić do obniżenia globalnego zużycia energii elektrycznej, co jest jednym z priorytetów Unii Europejskiej. Właściwości źródeł światła są charakteryzowane przez wiele parametrów, których definicje podano m.in. w pracy [[...]

Analiza wpływu samonagrzewania na charakterystyki liniowego stabilizatora napięcia z tranzystorem MOS

Czytaj za darmo! »

W układach zasilających wykorzystuje się stabilizatory impulsowe lub stabilizatory o działaniu ciągłym [1-3]. Co prawda, stabilizatory impulsowe cechują się wyższą sprawnością energetyczną, ale jednocześnie są one źródłem zakłóceń elektromagnetycznych [4]. Dlatego nadal chętnie stosowane są stabilizatory liniowe charakteryzujące się krótkim czasem odpowiedzi na zakłócenie impulsowe oraz niskim poziomem tętnień napięcia wyjściowego [2,5,6]. W stabilizatorach liniowych elementem regulacyjnym jest tranzystor bipolarny lub tranzystor MOS.Wrozważanej klasie układów tranzystor MOS pracuje w zakresie nasycenia, a wartość napięcia dren-źródło stanowi różnicę między napięciem wejściowym a wyjściowym stabilizatora. Element regulacyjny jest elementem mocy, na którego właściwości silnie [...]

Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono problem wyznaczania wartości parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy oraz zaprezentowano i przedyskutowano wyniki pomiarów ilustrujących wpływ takich czynników, jak rodzaj obudowy, wielkość radiatora, ułożenie przestrzenne badanego tranzystora oraz wydzielanej w nim mocy na rezystancję oraz przejściową impedancję termiczną. Przedstawiono również wyniki pomiarów rozkładu temperatury na powierzchni nieobudowanej struktury tranzystora MOS mocy przy różnych warunkach chłodzenia tego elementu. Abstract In the paper the problem of measurements of the thermal parameters values of MOS power transistors is considered. The results of measurements showing the influence of such factors as the type of the case, the dimensions of the heat-sink, the orientation of the invest[...]

Estymacja parametrówmodelu Danga tranzystora MOS

Czytaj za darmo! »

Tranzystory MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) zajmują ważną pozycję we współczesnej elektronice i są głównie stosowane w elektronicznych układach wzmacniaczy, kluczy oraz przetwornic napięcia. Projektowanie oraz analiza układów z tymi tranzystorami wymaga użycia odpowiednich programów komputerowych. Popularnym i chętnie stosowanym przez inżynierów oraz konstruktorów wyżej wymienionych układów programem komputerowym jest PSPICE [1-7], zawierający wbudowane fizyczne modele elementów biernych oraz modele podstawowych elementów półprzewodnikowych, w tym rozważanego tranzystora MOS. W programie PSPICE (wersja 10.0) dostępne są następujące modele tranzystora MOS: model Shichmana-Hodgesa, model Meyera, model Danga, model BSIM, model EKV, model BSIM3 [1]. Na szczególną uwagę zasługuje[...]

Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE

Czytaj za darmo! »

Modelowanie tranzystorów MOS mocy jest ważnym zagadnieniem, istotnym z punktu widzenia projektowania i analizy układów elektronicznych i energoelektronicznych, w których występują te elementy.Współczesny inżynier - konstruktor takich układów, musi dysponować wiarygodnymi modelami tranzystora MOS mocy oraz programami komputerowymi akceptującymi te modele. Takim programem jest na przykład program SPICE, dostępny obecnie w wielu odmianach, np. PSPICE, ISSPICE, LTSPICE, z których każda stanowi swoiste rozwinięcie wersji podstawowej. W programie SPICE są dostępne, zróżnicowane pod względem złożoności i dokładności, wbudowane modele tranzystora MOS, które jak wynika z literatury [1-6] można z powodzeniem stosować do modelowania rozważanych elementów mocy.Wliteraturze krajowej oraz [...]

 Strona 1  Następna strona »