Wyniki 1-8 spośród 8 dla zapytania: authorDesc:"JERZY F. KOŁODZIEJSKI"

Wpływ nieciągłości impedancji linii paskowych na integralność sygnałową i EMC

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono analizę kilku typowych rozwiązań konstrukcyjnych linii paskowych, powodujących nieciągłości impedancji i rzutujących na integralność sygnałową SI i kompatybilność EMC. Podano propozycje ulepszeń. Wskazano na częściowe tylko uwzględnienie tych zagadnień w podstawowych pakietach programowych do projektowania PCB firm Mentor Graphics i Cadence Design System. Skrótowo tylko ws[...]

Cyfrowe układy scalone o niskich poziomach napięcia zasilającego

Czytaj za darmo! »

Zmniejszanie rozmiarów geometrycznych struktur układów scalonych, zarówno w płaszczyźnie pionowej jaki poziomej, jest ciągłą tendencją obserwowaną w procesie rozwoju tych układów. Celem wskazanego kierunku zmian, rzutującego na rozwiązania technologiczno-konstrukcyjne układów, jest możliwość uzyskania lepszych parametrów elektrycznych, wysokiego stopniaminiaturyzacji i dużej złożoności funkc[...]

Nowe zadania pomiarów ostrzowych w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych


  Większość operacji technologicznych w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych przeprowadza się na płytkach wyciętych z monokryształu półprzewodnika. W przypadku najczęściej stosowanego monokrystalicznego krzemu (Si) średnica płytek dochodzi obecnie do 300 mm (12 cali) przy grubości płytek 775 μm; grubość ze względu na wytrzymałość mechaniczną musi być większa dla dużych płytek - przy średnicy płytek 51 mm wynosiła ona tylko 275 μm. Podaje się [1], że dla danej średnicy płytki d [mm] i przewidywanej powierzchni wytwarzanego przyrządu np. układu scalonego S [mm2] można otrzymać teoretycznie następującą liczbę struktur DPW (Die Per Wafer) DPW = d π (d/4S - 1/√2S) (1) Strukturę (die) może stanowić oddzielny element półprzewodnikowy np. tranzystor mocy lub złożony wieloelementowy układ scalony (mikroukład). Struktura powstaje w wyniku przeprowadzenia wielu, zwykle powyżej kilkudziesięciu, operacji (procesów) chemicznych i fizycznych. Wśród nich wymienić należy utlenianie powierzchni półprzewodnika, dyfuzję w podwyższonej temperaturze wybranych domieszek, implantację jonów domieszek, trawienie chemiczne oraz nanoszenie metalicznych ścieżek połączeń i pól kontaktowych. Zaprojektowane rozmieszczenie w półprzewodniku powstających dzięki tym operacjom obszarów o różnych właściwościach i ich ukształtowanie uzyskuje się w wyniku zastosowania odpowiednich masek i wykorzystaniu procesów fotolitograficznych lub elektronolitografii. Kilka-, kilkanaście płytek półprzewodnika, tworzących partię produkcyjną jest poddawane obróbce w tym samym czasie, a w niektórych operacjach sekwencyjnie. Koszt wytworzenia na płytce jednej struktury jest zatem niewielki, nawet po uwzględnieniu, że uzysk - rozumiany jako stosunek liczby struktur dobrych do wszystkich struktur na płytce - odbiega od jedności. Kwalifikację struktur na płytce można przeprowadzić wówczas, gdy na strukturę zostały naniesione metaliczne pola kontaktow[...]

Elektronika w pojazdach samochodowych. Część 1. Charakterystyczne narażenia eksploatacyjne


  Można przyjąć, że pierwszym urządzeniem elektronicznym wykorzystywanym w samochodach był odbiornik radiowy (lata 1928-1929, firma Motorola). Począwszy od tego czasu radioodbiorniki samochodowe były stopniowo rozwijane i udoskonalane, szczególnie po wprowadzeniu elementów półprzewodnikowych. Obecnie są one wręcz centrami multimedialnymi, wyposażonymi w odtwarzacze płyt CD lub DVD, w łącze/łącza Bluetooth, czytnik kart pamięci i/lub port USB do odtwarzania muzyki z pamięci mobilnych, a także posiadają rozbudowane sterowanie. Z takim centrum multimedialnym współpracują rozmieszczone przestrzennie głośniki, często dużej mocy. Obok odbiorników radiowych, w samochodach instalowane są również od ponad kilkunastu lat nadajniki i odbiorniki do łączności lokalnej, pracujące w paśmie CB (Citizen Band, 27 MHz, moc wyjściowa do 4 W). Ocenia się, że w początku lat siedemdziesiątych ubiegłego wieku udział elektroniki w koszcie samochodu wynosił tylko ok. 2%, ponieważ dominującymi były podzespoły mechaniczne i elektromechaniczne. Ta sytuacja zaczęła się istotnie zmieniać już w następnej dekadzie, prowadząc do ponad 20% udziału elektroniki w 2004 roku i prawie 40% udziału obecnie. Przyczyną tak gwałtownego rozwoju elektroniki samochodowej były rosnące wymagania dotyczące czystości spalin (np. układ regulacji lambda), komfortu jazdy (np. klimatyzacja, nawigacja, urządzenia audio i video) oraz bezpieczeństwa (np. układy ABS, ESP, poduszki powietrzne, czujniki zbliżeniowe). W celu ujednolicenia ogólnych wymagań dla układów elektronicznych stosowanych w pojazdach samochodowych, przedstawiciele 4 firm: Delco, General Motors, Chrysler i Ford prowadzili od 1992 r. rozmowy w tym zakresie, tworząc w 1993 r. Radę AEC (Automotive Electronics Council). W ramach jej działalności powstało szereg norm dotyczących wymagań dla podzespołów elektronicznych przeznaczonych do zastosowań w motoryzacji, w tym norma AEC-Q100 dotycząca układów scalonych i norma AE[...]

Elektronika w pojazdach samochodowych. Część 2. Magistrale komunikacyjne, podzespoły półprzewodnikowe


  W niniejszej pracy zamieszczono przegl.d magistrali (linii, szyn) komunikacyjnych wykorzystywanych w instalacjach elektrycznych pojazdow samochodowych oraz opisano zasadnicze rodzaje przyrz.dow po.przewodnikowych stosowanych do budowy modu.ow funkcjonalnych i uk.adow elektronicznych w samochodach. Rozpatrzono mo.liwe przyczyny i mechanizmy uszkodze. przyrz.dow po.przewodnikowych. Szczegoln. uwag. zwrocono na zagadnienia niezawodno.ci uk.adow scalonych, od ktorych w du.ym stopniu zale.y jako.., niezawodno.. i w.a.ciwo.ci funkcjonalne stosowanych modu.ow i uk.adow elektronicznych. Omawiane zagadnienia uzupe.niaj. informacje podane w poprzedniej pracy [1], w ktorej wskazano funkcje realizowane obecnie w samochodach za pomoc. elektroniki oraz okre.lono, jakich nara.e. silnie rzutuj.cych na niezawodno.. nale.y oczekiwa. w trakcie eksploatacji samochodu. Magistrale komunikacyjne w instalacjach samochodowych Z przedstawionego przegl.du wynika, .e w samochodzie stosuje si. wiele, praktycznie powy.ej kilkudziesi.ciu lub nawet stu czujnikow, pozwalaj.cych monitorowa. i kontrolowa. szereg wielko.ci fizycznych. W celu efektywnego wykorzystania tak du.ej liczby czujnikow (sensorow) powinny one by. w..czone w komputerowy system kontrolno-steruj.cy, w ktorym przebiega. b.dzie transmisja sygna.ow. Ze wzgl.dow praktycznych po..dane jest, aby przesy.ane sygna.y mia.y posta. cyfrow.. Z tego powodu czujniki powinny by. podzespo.ami tzw. inteligentnymi. Oznacza to, .e w jednej obudowie powinien by. umieszczony nie tylko sam element czujnikowy (sensor), lecz tak.e przetwornik analogowo-cyfrowy i odpowiedni obwod wyj.ciowy (interfejsowy). W samochodach stosuje si. szeregow. transmisj. danych cyfrowych, przesy.aj.c ci.g bitow tworz.cych sygna. kolejno bit po bicie. Dla potrzeb instalacji samochodowych opracowano w przemy.le motoryzacyjnym kilka interfejsow szeregowych . szeregowych magistrali (szyn) do przesy.u danych. Niektore z nich uzyska.y s[...]

Elektronika w pojazdach samochodowych. Część 3. Jak uzyskać dużą niezawodność


  Wymagania dotyczące niezawodności elektroniki samochodowej uznać można za równorzędne z wymaganiami parametrycznymi i funkcjonalnymi [1, 2]. Przyjmuje się, że wymagany czas poprawnej pracy przyrządów półprzewodnikowych i modułów elektronicznych stosownych w motoryzacji powinien wynosić conajmniej 10…15 lat, co odpowiada 100…150 tys. godzin użytkowania samochodu (włączając w to okresy jazdy i postoju). Pożądane jest wydłużenie tego czasu życia do około 25 lat. Tak jak w przypadku większości obiektów technicznych wyróżnia się zwykle i oddzielnie analizuje wstępny okres ich użytkowania. Ujawniają się wtedy pewne wady materiałowe, błędy techniczne, niepoprawności montażowe itd., które powodują, że w tym na ogół dość krótkim początkowym okresie obserwuje się wystąpienie stosunkowo większej liczby uszkodzeń niż w dalszych okresach użytkowania. Dla ilościowego porównania można posłużyć się parametrem znanym jako intensywność uszkodzeń λ, który określa się jako iloraz liczby uszkodzeń n obserwowanych w ustalonym przedziale czasu Δt w zbiorze badanych obiektów. Biorąc pod uwagę osiągnięty już obecnie wysoki poziom niezawodności przyrządów półprzewodnikowych, jako praktyczną miarę intensywności uszkodzeń stosuje się FIT (Failures In Time), wynikający z liczby uszkodzeń zaobserwowanych w czasie miliarda (ameryk. bilion) godzin, a w zasadzie przyrządo-godzin tzn. jako n/109 h. Inną ze stosowanych miar jest DPM (Defects Per Million), będącą liczbą defektów (uszkodzeń) w pewnym ustalonym przedziale czasu w zbiorze miliona przyrządów. Gdy można założyć stałą intensywność uszkodzeń λ, to łatwo znaleźć zależność między tymi miarami. Niech λ = 10 FIT, a więc 10/109 h; wtedy w przedziale 10 000 h (ok. 1 roku) DPM wynosi 10/109x104 = 100 DPM. Spotkać także można miarę oznaczaną za pomocą skrótu PPM (Parts Per Million), wskazującą liczbę wyróżnionych części (jednostek) w zbiorze o liczności 1 miliona tzn. 1 PPM =[...]

Badania odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne impulsowe

Czytaj za darmo! »

W pracy opisano metody badań odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne, a zwłaszcza zaburzenia impulsowe. Szczególną uwagę poświęcono generacji odpowiednich sygnałów testowych oraz sposobom ich sprzęgania z badanym układem. Abstract. In the work the methods of testing integrated circuits immunity to electromagnetic disturbances, and especially pulse disturbances, are describ[...]

Narażenia sprzętu elektronicznego promieniowaniem elektromagnetycznym - sposoby generacji i metody ochrony DOI:10.15199/48.2015.11.11

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono przyczyny zainteresowania kwestią narażeń sprzętu elektronicznego promieniowaniem elektromagnetycznym. Podano przykłady generatorów impulsowych pól elektromagnetycznych dla celów wojskowych. Szerzej omówiono metody ochrony sprzętu elektronicznego przed oddziaływaniem pól elektromagnetycznych. Zwrócono uwagę na wymagane wyposażenie do prowadzenia badań laboratoryjnych odporności sprzętu elektronicznego na oddziaływanie pól elektromagnetycznych. Abstract. The reasons of interest in problems of electromagnetic radiation threat of electronic systems are given. Some examples of pulse electromagnetic fields generators for military purposes are presented. The methods of protection of electronic equipment and systems against electromagnetic radiation are reviewed.. Remarks on requirements of laboratory testing of electronic systems immunity against electromagnetic radiation are also quoted.. (Electromagnetic radiation threat of electronic equipment - methods of generation and protection means). Słowa kluczowe: promieniowanie elektromagnetyczne, generator pola elektromagnetycznego, odporność na narażenia elektromagnetyczne. Keywords: electromagnetic radiation, electromagnetic field generator, immunity to electromagnetic exposure. Wstęp W okresie ostatnich kilku-kilkunastu lat kwestia odporności różnych układów, urządzeń i systemów elektronicznych na promieniowanie elektromagnetyczne (EM) w zakresie mikrofalowym (fale centymetrowe i milimetrowe) nabrała dużego znaczenia. Energia przenoszona przez wiązkę promieniowania EM może bowiem wywołać uszkodzenie lub wręcz zniszczenie wrażliwych podzespołów i obwodów elektrycznych, doprowadzając do utracenia funkcji przez "oświetlony" (atakowany) obiekt. Następuje to wskutek indukowania dużych chwilowych napięć i prądów oraz lokalnego wzrostu temperatury w obwodach elektrycznych i przewodnikach. Energia promieniowania elektromagnetycznego może również stanowić zagrożenie dla perso[...]

 Strona 1