Wyniki 1-7 spośród 7 dla zapytania: authorDesc:"ADAM PIOTROWSKI"

Wpływ zaburzeń elektrycznych na funkcjonowanie mikrokontrolera DSP i transmisję danych w standardzie EIA232

Czytaj za darmo! »

Badania odporności na zaburzenia w postaci serii szybkich elektrycznych stanów przejściowych, przeprowadzono na podstawie normy PN-EN 61000-4-4, na zestawie demonstracyjnym mikrokontrolera MP56F8025 z interfejsem EIA232. Zaburzenia elektryczne spowodowały chwilową utratę funkcjonalności układu oraz błędy w transmisji danych, które ustąpiły po zakończeniu ich generacji. Ograniczenie tego wpływu jest możliwe poprzez zmianę konfiguracji układów peryferyjnych mikrokontrolera i pozwala na normalne działania układu. Abstract. Electrical fast transient / burst immunity test was based on the standard IEC 61000-4-4 on demo board of MP56F8025 microcontroller with serial communication interface compatible with EIA232 standard. Electrical disturbances caused temporary lose of functionality of the[...]

Moduły detekcyjne dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni drugiej generacji

Czytaj za darmo! »

Nowym kierunkiem w rozwoju szerokopasmowej telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni jest wykorzystanie długofalowego promieniowania podczerwonego (8...14 µm) [1-4]. Istotną zaletą tego rozwiązania jest mniejsze rozpraszanie promieniowania przez aerozole i pyły. Do niedawna podstawowym problemem był brak odpowiednich źródeł i detektorów promieniowania. Istniejące przyrządy były[...]

Heterostruktury w niechłodzonych detektorach podczerwieni


  Badania nad detektorami średniej i dalekiej podczerwieni z Hg- 1‑xCdxTe były prowadzone w Polsce niemal od chwili odkrycia półprzewodnikowych właściwości tego materiału [1-3 i oryginalne prace tam przytoczone]. Już we wczesnych latach 70. ub. wieku doceniono w Polsce znaczenie detekcji promieniowania podczerwonego bez konieczności chłodzenia kriogenicznego [4-7]. Powstały pionierskie rozwiązania technologiczne i konstrukcje niechłodzonych detektorów podczerwieni. Została uruchomiona ich produkcja, niemal w całości przeznaczonych na eksport [8]. Polskie możliwości badawcze i produkcyjne w zakresie detektorów podczerwieni zostały znacznie zwiększone z chwilą powstania w 2003 roku laboratorium MOCVD wyposażonego w system AIX 200 do epitaksji Hg1‑xCdxTe, jako wspólnej inwestycji VIGO System SA i Wojskowej Akademii Technicznej. Dzięki tej inwestycji i pracom badawczym i wdrożeniowym opracowano wiele nowych typów heterostrukturalnych detektorów podczerwieni w oparciu o technikę MOCVD [7-11]. Obecnie w ramach grantu zamawianego PBZ- MNiSW 02/ I/2007 pt.: "Zaawansowane technologie dla półprzewodnikowej optoelektroniki podczerwieni", realizowane są dwa zadania: nr 5 pt. "Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe" w VIGO System SA i nr 6 pt. "Zjawiska fotoelektryczne w złożonych heterostrukturach HgCdTe stosowanych w konstrukcjach niechłodzonych detektorów podczerwieni" w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej. Podstawowym celem tej części projektu jest pokonanie nierozwiązanych dotąd problemów związanych z teorią, konstrukcją i technologią detektorów promieniowania podczerwonego z Hg1‑xCdxTe pracujących bez chłodzenia kriogenicznego. Zrealizowane już w ramach tego projektu badania obejmowały: - Optymalizację epitaksji złożonych heterostruktur Hg- 1‑xCdxTe metodą MOCVD dla detektorów podczerwieni, - Udoskonalenie fotolitografii, - Udoskonalenie morfologii powierzchni warstw epitaksjaln[...]

Software optimisation in high efficiency data acquisition systems


  High efficiency is one of the significant requirement for modern data acquisition systems. It is especially important in the case of high speed network applications because network bandwidth approaches microprocessors processing capability. In such a case, CPUs performance degradation becomes a bottleneck which limits the communication rate. Therefore, to obtain efficient system resource utilization issues like: thread synchronization, dynamic memory management and efficient utilization of dynamic data structure must be taken into consideration during software development process. Data flow optimization in the system The system has been designed to work with up to RXN = 8 data streams with Pstream = 0.8 Gbps data throughput each. It gives total of 6.4 Gbps continuous data stream organized in Lframe = 1049 B data frames (1024 B of data + 21 B of header + 4 B of CRC). The frames are collected into the the blocks (N = 256 frames each) which are pushed to the first storage FIFO. Then the data blocks are popped following threads for further processing (Fig. 1). The most restrictive part of the system are the data receiving threads, where each single thread is used to process one input data stream. For the data transfers and the frame size specified above, the thread has to process single frame within: (1) The data processing time includes: - Data buffer preparation for the received frame (Tbuf), - Thread wake up when input data are ready to process (Twakup), T L P s frame frame stream = 8 ⋅ = 9.8μ - CRC data verification (TCRC), - Frames collection into the blocks (Tblock), - Pushing the block into the FIFO for further processing (Tpush) where steps 1-4 are performed for each frame and step 5 is done when the data block contains full set of frames. To allow the real time data processing, the following condition need to be met for the processing time: (2) As further analysis shows, the FIFO access in multithread envi[...]

Niechłodzone i minimalnie chłodzone detektory średniej i dalekiej podczerwieni nowej generacji

Czytaj za darmo! »

Konieczność chłodzenia kriogenicznego jest główną przeszkodą na drodze do szerokich zastosowań techniki w zakresie średniej (3...8 µm) i dalekiej (8...16 µm) podczerwieni. Podstawową cechą nowej generacji fotodetektorów promieniowania podczerwonego pracujących w obu zakresach widmowych jest efektywna praca bez konieczności chłodzenia kriogenicznego. Polską specjalnością badawczą[...]

Optymalizacja epitaksji i doskonalenie architektury detektorów podczerwieni z HgCdTe

Czytaj za darmo! »

Technika podczerwieni znalazła trwałą pozycję w zastosowaniach militarnych, lotniczych i kosmicznych, a obecnie następuje gwałtowny rozwój zastosowań cywilnych [1,2]. Podstawowym elementem każdego urządzenia techniki podczerwieni jest detektor promieniowania podczerwonego, który decydująco wpływa na walory użytkowe urządzeń. Wysokie wykrywalności bliskie do fundamentalnych granic określonych przez kwantowy szum promieniowana i wysokie szybkości działania mogą być osiągnięte tylko przy użyciu detektorów fotonowych (fotodetektorów). Szczególne znaczenie dla rozwoju detektorów ma tellurek kadmowo-rtęciowy (Hg1-xCdxTe), materiał, który umożliwia konstrukcję detektorów o optymalnych właściwościach dla każdej długości fali w zakresie bliskiej, średniej i dalekiej podczerwieni [1-5].[...]

Długofalowe fotodiody z HgCdTe pracujące w temperaturach bliskich pokojowej


  Badania nad zjawiskami nierównowagowymi w półprzewodnikach przeznaczonych do wykrywania promieniowania podczerwonego zostały zapoczątkowane przez badaczy brytyjskich [1]. W złączach spolaryzowanych w kierunku zaporowym n+/ν oraz p+/π zaobserwowano zjawiska: ekskluzji, natomiast w złączach typu n+/π or p+/ν ekstrakcji nośników ładunku. Konsekwencją tych badań było opracowanie struktur P+/ν/N+ oraz P+/π/N+, w których można zaobserwować dławienie mechanizmów Augera, co powoduje zmniejszenie gęstości nośników ładunku w obszarze absorbera. Czas życia nośników mniejszościowych w warstwach HgCdTe typu p jest większy niż warstwach typu n co wynika z różnic między czasami życia ograniczonymi odpowiednio procesami Auger 7 i Auger 1 [2]. Z tego powodu znacznie częściej konstruowane są struktury P+/π/N+ niż struktury P+/ν/N+. Kluczowym problemem przy wytwarzaniu fotodiod nierównowagowych jest kontrolowane domieszkowanie typu p na niskim poziomie z wysokimi czasami życia nośników. Do wytwarzania fotodiod z dławieniem generacji Augera obecnie wykorzystywane są dwie technologie: epitaksja z wiązek molekularnych MBE (Molecular Beam Epitaxy) i osadzanie warstw ze związków metaloorganicznych MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). MBE pozwala na precyzyjną kontrolę nad położeniem heterozłączy oraz domieszkowaniem donorowym in situ. Kontrolowane domieszkowanie akceptorowe struktur, które mają pracować w warunkach nierównowagowych wymaga jednak niewygodnej implantacji jonów arsenu przeprowadzanej ex situ [3]. Z tego powodu wzrost metodą MOCVD jest bardziej atrakcyjny - umożliwia kontrolowane domieszkowanie donorowe jak i akceptorowe in situ na wymaganych poziomach. Dla osiągnięcia domieszkowania typu p na niskim poziomie (<1016 cm-3) w obszarze absorbera w obydwu metodach wzrostu zarówno MBE [3], jak i MOCVD [4] wymagana jest anihilacja wakansów rtęci. Jest ona dokonywana poprzez wygrzewanie ex-s[...]

 Strona 1