Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"MARIAN A. HERMAN"

Epitaksja warstw atomowych w ultrawysokiej próżni; fizyka procesu i jego zastosowania

Czytaj za darmo! »

Epitaksja jest to zachodzący na powierzchni kryształu podłożowego zorientowany krystalograficznie wzrost warstwy monokrystalicznej, w wyniku którego struktura i orientacja krystalograficzna warstwy znajdują się w określonej relacji do struktury i orientacji kryształu podłożowego. Jest to proces, w którym istotną rolę odgrywa zarówno transport masy przez objętość fazy wyjściowej krystalizowanego materiału, jak i kinetyka zjawisk powierzchniowych, zachodzących w obszarze oddzielającym od siebie niekrystaliczną fazę wyjściową od kryształu podłożowego lub już wykrystalizowanej warstwy epitaksjalnej. Epitaksja Warstw Atomowych (ALE) jest metodą krystalizacji z fazy gazowej cienkich warstw związków chemicznych, najczęściej półprzewodnikowych, która charakteryzuje się impulsowym, prz[...]

 Strona 1