Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"MICHAŁ WARZECHA"

Czytnik RFID przystosowany do pracy w podziemnych wyrobiskach górniczych

Czytaj za darmo! »

W artykule określono i podano wyniki analizy podstawowych problemów konstrukcyjnych oryginalnego czytnika pracującego w systemie zdalnej identyfikacji obiektów RFID (Radio Frequency IDentification) przystosowanego do pracy w podziemnych wyrobiskach górniczych i spełniającego wymogi dyrektyw ATEX i EMC. Prezentowane urządzenie zostało wdrożone do produkcji jako element projektu celowego ROW 394-[...]

technologia heterozłącza CIS/CdS do zastosowań fotowoltaicznych

Czytaj za darmo! »

Cienkowarstwowe polikrystaliczne ogniwa p-CuInSe2/n-CdS ze sprawnościami przekraczającymi 10% zaczęto wytwarzać w Boeing Corporation na początku lat osiemdziesiątych. W roku 1987 Arco Solar osiąga rekordową sprawność ogniw cienkowarstwowych na poziomie 14,1%. W latach 80. wprowadzane są złożone struktury typu ZnO/n-CdS/p-CuInSe2/Mo/ szkło, które zasadniczo używane są do dziś. Pod koniec lat [...]

Pomiary pirometryczne w modelowaniu termicznym lampy halogenowej stosowanej w procesie RTP

Czytaj za darmo! »

Pirometryczny pomiar temperatury żarnika halogenowego dostarcza bardzo szybko informacji o promieniowanym strumieniu ciepła, przez co jest bardzo atrakcyjny w sterowaniu procesem RTP. Precyzyjne sterowanie źródłami ciepła ma decydujące znaczenie w efektywnym wykorzystaniu procesów RTP. Modelowanie transportu energii w tym silnie nieliniowym procesie pozwala na zbudowanie systemu sterowania, [...]

Sterowanie MBS termicznym procesem próżniowej selenizacji warstw fotowoltaicznych


  Półprzewodniki trójskładnikowe, których przedstawicielem jest diselenek miedziowo-indowy, CuInSe2 (CIS), charakteryzują się dużą absorpcją promieniowania, przez co mają dużą szansę na zastosowanie w masowej produkcji wysokowydajnych ogniw fotowoltaicznych [1]. Wytwarzanie cienkiej warstwy CIS polega na naniesieniu warstw elementarnych prekursorów Cu, In oraz Se na odpowiednio przygotowane podłoże, a następnie termicznym uformowaniu docelowego materiału lub na selenizacji warstw Cu-In. Prekursory metaliczne są poddawane obróbce termicznej w standardowym piecu dyfuzyjnym w zamkniętym reaktorze grafitowym zawierającym źródła par Se [2] lub z wykorzystaniem techniki szybkiej obróbki termicznej RTP (Rapid Thermal Processing) [3]. Proces termiczny składa się z dwóch etapów, przeprowadzanych w różnych temperaturach. Termiczne wytwarzanie CIS metodą RTP ma wiele zalet technologicznych. Najważniejsze to skrócenie czasu procesu oraz uzyskanie powierzchniowej jednorodności materiału. Głównymi czynnikami, które mają wpływ na jednorodność temperatury oraz powtarzalność procesu RTP są: źródło promieniowania podczerwonego, konstrukcja komory oraz system sterowania temperatury, łącznie z nieinwazyjnym systemem pomiaru temperatury w czasie rzeczywistym [4]. Budowa urządzeń RTP, a w szczególności kontrola czasowego profilu temperatury obrabianego materiału są złożonym zagadnieniem badawczym ze względu na radiacyjny przekaz energii cieplnej [5,6]. Uzyskanie założonej trajektorii temperatury zależy od dokładności zastosowanego modelu oraz zaproponowania odpowiedniego aparatu numerycznego. Procedura sterowania zbudowanego urządzenia w oparciu o model matematyczny uwzględnia możliwości pomiarowe oraz sposób zasilania elementów grzejnych. Urządzenie RTP Próżniowy piec RTP zbudowano na bazie zestawu lamp halogenowych oraz klosza kwarcowego, stanowiącego ściany komory próżniowej. Lampy umieszczono w reflektorach chłodzonych wod[...]

 Strona 1