Wyniki 1-8 spośród 8 dla zapytania: authorDesc:"E. Kamińska"

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice DOI:10.15199/13.2016.8.14


  W pracy przedstawiono wyniki prac badawczych nad technologią tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej. Omówione zostaną konstrukcje tranzystorów przeznaczonych do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy oraz do zastosowań w energoelektronice. Przedstawione zostaną wybrane elementy technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu Ammono- GaN m.in. wykonywanie izolacji za pomocą implantacji jonów oraz wykonywanie kontaktów omowych w procesie rewzrostu warstw GaN. Omówione zostaną wyniki prac nad zwiększeniem napięcia przebicia tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym. Słowa kluczowe: azotek galu, HEMT, tranzystor, elektronika mocy, mikrofale, energoelektronika.Prace nad technologią przyrządów na bazie azotku galu w Instytucie Technologii Elektronowej rozpoczęto w latach 90-tych XX w. W tym czasie jedynie nieliczne laboratoria opanowały technologię epitaksji wysokiej jakości warstw GaN typu n i typu p. Nawiązanie dwustronnej współpracy naukowej z wiodącymi laboratoriami amerykańskimi z North Carolina State University oraz Xerox Palo Alto Research Center’s (PARC) Electronic Materials Laboratories pozwoliło na bardzo wczesne włączenie się w światowy nurt badań nad przyrządami z azotku galu. Pierwsze prace dotyczyły opracowania kontaktów omowych do azotku galu typu p i typu n. Opracowano wówczas kontakty omowe do azotku galu z wykorzystaniem domieszkowania przy użyciu reakcji w fazie stałej [1] oraz kontroli aktywacji domieszki Mg w GaN typu p z wykorzystaniem metalizacji na bazie Zr [2]. Opracowano również stabilnie termiczne kontakty omowe na bazie azotków i borków metali trudnotopliwych (TiN, ZrN, ZrB2) [3-4]. Doświadczenie zebrane podczas tych prac oraz dzięki uczestnictwu w projektach europejskich dotyczących (HYPHEN, MORGaN) pozwoliło na opracowanie własnej technologii wytwarzania tranzystorów HEMT na bazie azotku na różnych podłożach (szafir, Si, SiC, GaN), [...]

Amorficzne półprzewodniki tlenkowe dla elektroniki przezroczystej i elastycznej DOI:10.15199/13.2016.8.13


  Przedmiotem badań są przezroczyste amorficzne półprzewodniki tlenkowe i przezroczyste tlenki przewodzące - unikatowa klasa materiałów elektronicznych łączących cechy amorficznej mikrostruktury i kontrolowanego przewodnictwa elektrycznego przy zachowaniu wysokiej transmisji optycznej w obszarze widzialnym. W ramach prac prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej opracowano technologię wytwarzania przezroczystych amorficznych warstw In-Ga -Zn-O o kontrolowanych w szerokim zakresie właściwościach transportowych. Zrozumienie mechanizmów formowania się amorficznych warstw tego materiału oraz wpływu parametrów procesu osadzania na jego właściwości elektryczne umożliwiło wytworzenie stabilnych kontaktów prostujących oraz całkowicie przezroczystych tranzystorów MESFET na giętkich podłożach, w tym na folii i papierze. W przyszłości na bazie opracowanych przyrządów wytworzone zostaną zintegrowane telemedyczne systemy diagnostyki osobistej wykonane w formie elementów przyklejanych na skórę. Słowa kluczowe: elektronika przezroczysta, elektronika elastyczna, amorficzne półprzewodniki tlenkowe, tranzystory cienkowarstwowe.Elektronika przezroczysta jak i elektronika elastyczna stają się jednymi z najbardziej obiecujących technologii dla przyszłych przyrządów i urządzeń elektronicznych. W szczególności, przewiduje się, że przezroczyste, elastyczne przyrządy półprzewodnikowe będą stanowiły istotny wkład do gwałtownie rozwijającej się koncepcji Internetu Przedmiotów (ang. Internet of Things, IoT), wedle której jednoznacznie identyfikowalne obiekty mogą pośrednio albo bezpośrednio gromadzić, przetwarzać lub wymieniać dane za pośrednictwem sieci informatycznych. Do tego typu przedmiotów zaliczają się między innymi urządzenia gospodarstwa domowego, artykuły oświetleniowe, sensory biochemiczne, ubrania, opakowania itp. Rozwój elektroniki użytkowej zależy w dużej mierze od wydajności, powtarzalności, niezawodności i kosztów wytworzenia tranz[...]

Technologia cienkich warstw tlenku cynku o kontrolowanych własnościach strukturalnych, transportowych i optycznych DOI:10.15199/13.2016.8.12


  W ramach artykułu zaprezentowaliśmy wyniki prac dotyczących kontroli struktury, morfologii, własności transportowych i optycznych cienkich warstw tlenku cynku (ZnO) wytwarzanych na drodze magnetronowego rozpylania katodowego. Wykorzystując zaawansowany reaktor rozpylania katodowego umożliwiający kontrolę parametrów procesu osadzania takich, jak temperatura podłoża, przepływ gazów, ciśnienie gazów, moc podawana na katody pokazujemy jaką rolę odgrywają poszczególne parametry w kontroli własności wytwarzanego materiału. Prezentujemy zarówno badania z zakresu podstawowego dotyczące domieszkowania monokrystalicznych cienkich warstw ZnO przy pomocy akceptorów Ag, jak i badania stosowane dotyczące inżynierii przerwy energetycznej w celu opracowania przezroczystych elektrod dla diod elektroluminescencyjnych UV czy prace nad wzrostem nanoporowatego ZnO dla zastosowań w czujnikach gazowych, biochemicznych oraz urządzeniach do magazynowania energii. Słowa kluczowe: Tlenek cynku, ZnO, magnetronowe rozpylanie katodowe, przezroczysta elektronika, czujniki, sensory.Rozwój przezroczystej elektroniki, fotowoltaiki i optoelektroniki przyczynił się do intensyfikacji poszukiwań materiałów o własnościach preferowanych do takich zastosowań. W szczególności są to szeroka przerwa energetyczna, wysoka wydajność emisji światła czy możliwość kontroli rodzaju i stopnia przewodnictwa. Tlenek cynku (ZnO) jest półprzewodnikiem o przerwie energetycznej równej 3,4 eV, wysokiej energii wiązania ekscytonów (60 meV), charakteryzującym się łatwością domieszkowania na typ n oraz perspektywami skutecznego domieszkowania na typ p. Z tych względów, a także dlatego, że może on być wytwarzany w postaci cienkich warstw z wykorzystaniem wielu technik eksperymentalnych - od technik epitaksjalnych jak epitaksja z wiązek molekularnych (ang. molecular beam epitaxy, MBE) po chemiczne techniki krystalizacji z roztworów - ZnO stał się przedmiotem licznych badań. Dodatkowo możli[...]

 Strona 1