Wyniki 1-7 spośród 7 dla zapytania: authorDesc:"Jerzy Klamka"

Życzę wszystkim Czytelnikom, Autorom i Osobom Współpracującym z Redakcją "ELEKTRONIKI" Sukcesów i dużo radości w Nowym Roku 2013

Czytaj za darmo! »

Nasz miesięcznik "ELEKKTRONIKA - konstrukcje technologie zastosowania" informuje Czytelników nie tylko o osiągnięciach polskiej nauki i techniki w zakresie szeroko rozumianej elektroniki, ale również o wynikach prac autorów zagranicznych. W wybranych zeszytach prezentujemy najnowsze osiągnięcia różnych instytutów oraz realizowanych projektów naukowo-badawczych. Można tu znaleźć też artykuły przeglądowe dotyczące rozwoju r[...]

60-lecie pracy na rzecz rozwoju elektroniki półprzewodnikowej w Polsce - wspomnienia


  Moje wspomnienia wiążą się głównie z początkiem prac badawczych w dziedzinie elektroniki półprzewodnikowej w kraju, ale też z różnymi utrudnieniami i przeszkodami na drodze jej rozwoju. Już jako student Politechniki Warszawskiej Wydziału Łączności (obecnie Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych) miałem szczęście trafić do Zakładu Elektroniki Instytutu Podstawowych Problemów Techniki PAN, aby w1953 r. wykonać tam inżynierską pracę dyplomową. Zakładem kierował prof. dr inż. Janusz Groszkowski, inicjator badań w dziedzinie przyrządów półprzewodnikowych. Temat mojej pracy dyplomowej wzbudził duży niepokój, gdyż dotyczył wykonania diody w oparciu o półprzewodnik międzymetaliczny. Podczas studiów inżynierskich nie słyszałem o istnieniu półprzewodników, a specjalnością wyuczoną była konstrukcja i technologia lamp elektronowych. Wkrótce niepokój minął, gdyż Profesor pomagał i stwarzał wspaniałą atmosferę do pracy. Doceniał inicjatywę pracowników i ich wspierał, a także wyróżniał za dobre wyniki, czego później, jako Jego etatowy pracownik, doświadczyłem. Miałem szczęście opracowywać i wprowadzać do praktyki pierwsze polskie różnego rodzaju przyrządy półprzewodnikowe. Zaczynała się era elektroniki półprzewodnikowej. Zakład Elektroniki był w trakcie organizacji i początki pracy były bardzo trudne. Brak było podstawowej aparatury technologicznej, pomiarowej a nawet wystarczającej ilości mebli. Przede wszystkim brak było dostatecznej wiedzy dotyczącej półprzewodników. Wszyscy pracownicy uczyli się czytając dostępną literaturę, która była tylko w języku angielskim. Niestety, znałem tylko język niemiecki, którego zacząłem uczyć się już w czasie okupacji (była to decyzja Ojca, płk WP, który twierdził, że trzeba znać język wroga). Trzeba było wiec szybko uczyć się języka angielskiego, do czego zachęcał Profesor. Stopniowo warunki pracy poprawiały się, potrzebna aparatura technologiczna i pomiarowa wykonywana była na miejscu. Można było [...]

Życzę wszystkim Czytelnikom, Autorom i Osobom Współpracującym z redakcją "ELEKTRONIKI" dużo radości i sukcesów w życiu zawodowym w Nowym Roku 2015. DOI:

Czytaj za darmo! »

Jak Państwo zauważyli, miesięcznik naukowo-techniczny "ELEKTRONIKA - konstrukcje, technologie, zastosowania" jest rozpowszechniany i dociera w ramach prenumeraty do wyższych uczelni, ośrodków badawczych i przemysłowych, różnych instytucji, a także do prywatnych osób interesujących się lub rozwijających szeroko rozumianą elektronikę. Artykuły publikowane s[...]

Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. I) DOI:


  Chciałbym tu przedstawić początki badań i rozwoju przyrządów półprzewodnikowych dla różnych zastosowań, w którym osobiście uczestniczyłem. Moja przygoda z półprzewodnikami rozpoczęła się we wrześniu 1953 r. w Zakładzie Elektroniki IPPT PAN, którym kierował prof. dr inż. Janusz Groszkowski (rys. 1), inicjator badań w dziedzinie przyrządów półprzewodnikowych. Tam przyszło mi wykonać dyplomową pracę inżynierską. Mój problem polegał na tym, że podczas studiów nie słyszałem o istnieniu półprzewodników. Moją wyuczoną specjalnością inżynierską były bowiem lampy elektronowe. W nadchodzącej przyszłości przyrządy półprzewodnikowe miały je stopniowo wyeliminować. Początki zakładu były trudne. Nie tylko nie było podstawowego wyposażenia do wykonywania prac technologicznych, ale nawet dostatecznej ilości mebli. W tym czasie w zakładzie były prowadzone prace doświadczalne nad diodami i tranzystorami ostrzowymi z wykorzystaniem polikrystalicznego germanu [1]. Moim zadaniem było zrobić diodę ostrzową z zastosowaniem AlSb. Kolejnym przyrządem, nad którym pracowałem, był tranzystor ostrzowy o konstrukcji współosiowej [2]. Tego rodzaju przyrządy nie miały żadnego znaczenia praktycznego, ale badania i doświadczenie nabyte przy ich wytwarzaniu przydały się w następnym etapie prac. Na świecie pracowano mad przyrządami ze złączem p-n.Już jako inżynier pracujący w w/w zakładzie i równocześnie student kursu magisterskiego (rys. 2) rozpocząłem prace nad pierwszymi przyrządami ze złączem p-n. W tym celu musiałem wytworzyć monokryształ germanu, gdyż wówczas w kraju był dostępny tylko polikryształ tego półprzewodnika [3, 4]. Pierwsze diody prostownicze ze złączem p-n (rys. 3, 4) wytwarzałem już w mojej pracowni w 1956 r. [5]. Rys. 1. Prof. dr inż. J[...]

Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II) DOI:


  Przedmiotem prac prowadzonych w mojej pracowni w Zakładzie Elektroniki IPPT PAN (a od 1966 r. w ITE PAN, później ITE) w dziedzinie elektroniki mikrofalowej była nie tylko teoria, technologia i konstrukcja, lecz także miernictwo przyrządów półprzewodnikowych oraz ich aplikacja. Już w 1961 r. opracowałem pierwsze waraktory, będące odpowiednikami podobnych diod zagranicznych (rys. 10). Stosowano je we wzmacniaczach parametrycznych w urządzeniach radarowych. W następnych latach opracowałem i wprowadziłem do produkcji laboratoryjnej kolejne rodzaje waraktorów przeznaczonych do pracy w powielaczach częstotliwości i układach przestrajających (rys. 11). Początkowo stosowano w nich german, a następnie krzem i arsenek galu, uzyskując w ten sposób coraz wyższe częstotliwości graniczne, powyżej 200 GHz. Waraktory pracowały w różnych pasmach mikrofalowych [15-19]. Kolejny etap moich prac nad przyrządami półprzewodnikowymi obejmował diody stosowane w generatorach sygnałów mikrofalowych w paśmie X. W 1967 r. rozpocząłem prace nad krzemowymi diodami lawinowymi. Opracowałem technologie i różne konstrukcje tych diod, mając na uwadze najskuteczniejsze odprowadzanie ciepła z obszaru złącza p-n. W ciągu czterech lat opracowałem trzy typy diod do generatorów o coraz większej mocy ciągłej, w granicach 750 mW (rys. 12). Były one produkowane laboratoryjnie i stosowane w różnych placówkach naukowych cywilnych i wojskowych opracowujących generatory mikrofalowe. W owym czasie generatory lawinowe konstruowano też w Zakładzie Miernictwa Pionu Mikrofal (rys. 13) [20, 21]. Rys. 10. Germanowe waraktory ze stopowym złączem p-n (In-Ge) z kontaktem ostrzowym Rys. 11. Krzemowe waraktory w różnych obudowach i o różnym przeznaczeniu 20 PRZEGLĄD TECHNICZNY 19-20/2017 bardzo dobrze opanowana, ale zawsze występowały trudności z zakupem odpowiednich płytek GaAs, ponieważ ten materiał nie był w Polsce wytwarzany. Diody Gunna były specjalnie zaprojektowane i [...]

 Strona 1